sic-mosfet 文章 最新資訊
SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力?！ 」β拾雽?dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
- 關(guān)鍵字： X-FAB SiC
安森美半導(dǎo)體推動(dòng)電動(dòng)汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展
- 電動(dòng)汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動(dòng)力，用電機(jī)驅(qū)動(dòng)車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項(xiàng)要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵(lì)下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動(dòng)汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場，中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報(bào)道，2016年中國電動(dòng)汽車占全世界電動(dòng)汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個(gè)，與現(xiàn)
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT SiC
如何更加快速地為電動(dòng)汽車充電
- 推出電動(dòng)汽車（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動(dòng)車輛皆可與基于內(nèi)燃機(jī)的車輛媲美。
- 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車 SiC 傳輸電力
應(yīng)用角：汽車 - 電動(dòng)汽車電池?cái)嚅_系統(tǒng)
- 在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_連接。專門設(shè)計(jì)的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計(jì)必須支持在負(fù)載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來實(shí)現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個(gè)接觸器：一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導(dǎo)體，另一個(gè)更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池?cái)嚅_電路圖如圖1所示?！ ‰妱?dòng)汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池?cái)嚅_問題。功率半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： MOSFET，混合動(dòng)力
羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會(huì)”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會(huì)”，屆時(shí)將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國5大城市，面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)和應(yīng)用技術(shù)。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費(fèi)報(bào)名通道已開啟! 一年一度的“ROHM技術(shù)研討會(huì)”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動(dòng)足跡遍及全國各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動(dòng)、分享經(jīng)驗(yàn)的良好平臺(tái)。今年，根據(jù)各個(gè)城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來精
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？
- MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源 BJT MOSFET
教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
- 關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器 連續(xù)電流
功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 電源
干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享
- 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 設(shè)計(jì)
6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門
- 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)
MOSFET開關(guān)損耗分析
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對MOSFET柵極電荷、極間
- 關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔 緩啟動(dòng) 開關(guān)損耗
sic-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic-mosfet電路
sic-mosfet相關(guān)帖子
sic-mosfet資料下載
sic-mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473