rohm level 3 文章 最新資訊
體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導(dǎo)通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務(wù)器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設(shè)計的薄型電源等工業(yè)設(shè)備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
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英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度
- ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導(dǎo)體產(chǎn)品的客戶提供第二供應(yīng)商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應(yīng)產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設(shè)計與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務(wù)執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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ROHM推出二合一SiC模塊“DOT-247”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出二合一結(jié)構(gòu)的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導(dǎo)體繼電器等工業(yè)設(shè)備的應(yīng)用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時還能實現(xiàn)更高的設(shè)計靈活性和功率密度。目前，光伏逆變器雖以兩電平逆變器為主流產(chǎn)品，但為了滿足更高電壓需求，對三電平NPC、三電平T-NPC以及五電平ANPC等多電平電路的需求正在日益增長。這些電路的開關(guān)部分混合采用了半橋和共源等拓撲結(jié)構(gòu)，因此若使用以往的SiC模塊進行適配，
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ROHM推出適用于Zone-ECU的高性能智能高邊開關(guān)！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，針對汽車照明、汽車門鎖、電動車窗等正逐步采用Zone-ECU*1的車身相關(guān)應(yīng)用，推出6款不同導(dǎo)通電阻值的高邊IPD*2（智能高邊開關(guān)）“BV1HBxxx系列”，非常適合用來保護系統(tǒng)免受功率輸入過大等問題的影響。全系列產(chǎn)品均符合AEC-Q100車規(guī)標準，滿足對車載產(chǎn)品嚴苛的可靠性要求。隨著自動駕駛和電動汽車（EV）的不斷發(fā)展，汽車的電子控制越來越復(fù)雜。與此同時，從功能安全角度來看，電子保護的重要性日益凸顯，以區(qū)域為單位對汽車進行管理的“Zone-E
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ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運算放大器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅(qū)動的便攜式測量儀、可穿戴設(shè)備和室內(nèi)探測器等小型應(yīng)用中的測量放大器。近年來，隨著便攜式測量儀和可穿戴設(shè)備等由電池驅(qū)動的應(yīng)用對控制精度要求的不斷提高，用于量化溫度、濕度、振動、壓力、流量等參數(shù)的傳感器以及用來放大傳感器信號的運算放大器的重要性日益凸顯。另一方面，在致力于實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會等大背景下，應(yīng)用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化已成
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ROHM推出“PFC+反激控制參考設(shè)計”，助力實現(xiàn)更小巧的電源設(shè)計！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出新的參考設(shè)計“REF67004”，該設(shè)計可通過單個微控制器控制被廣泛應(yīng)用于消費電子電源和工業(yè)設(shè)備電源中的兩種轉(zhuǎn)換器——電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振反激式*2轉(zhuǎn)換器。通過將ROHM的優(yōu)勢——由Si MOSFET等功率器件和柵極驅(qū)動器IC組成的模擬控制Power Stage電路，與以低功耗LogiCoA?微控制器為核心的數(shù)字控制電源電路相結(jié)合，推出基于這種模擬和數(shù)字融合控制技術(shù)的“LogiCoA
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用于高側(cè)或低側(cè)測量的1%電流感應(yīng)放大器 IC
- 它們與外部分流電阻器一起工作，有兩種基本類型：一種 （BD1423xFVJ-C） 可以在 -14 至 +80V 的共模范圍內(nèi)感應(yīng)，工作電壓范圍為 2.7 至 18V，另一種 （BD1422xG-C） 可以在 -14 至 +40V 范圍內(nèi)感應(yīng)，工作電壓范圍為 2.7 至 5.5V。在每種情況下，都可以選擇電壓增益：25、50 或 100V/V。以上情況是正確的，但有一個例外：最低增益 80V 類型的增益為 20（不是 25），并且只能為 5.5V 供電，而不是 18V – 下面的表格總結(jié)了這一細節(jié)。80V
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ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導(dǎo)體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設(shè)計階段的仿真驗證中，模型的精度至關(guān)重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復(fù)現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
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內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
- 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術(shù)的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內(nèi)置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設(shè)施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術(shù)設(shè)計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導(dǎo)體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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日本電裝與Rohm建立電動汽車和自動駕駛芯片聯(lián)盟
- 5 月 8 日，日本汽車零部件供應(yīng)商電裝和芯片制造商 Rohm Semiconductor 宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，旨在加深半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)方面的合作。兩家公司援引日經(jīng)新聞和 Car Watch 的報道稱，該聯(lián)盟將涵蓋聯(lián)合芯片開發(fā)、集成制造和協(xié)調(diào)原材料采購，實施細節(jié)將在稍后最終確定。電裝長期以來一直從 Rohm 采購芯片，但新協(xié)議將把這種關(guān)系擴大到共同制造。雙方將整合各自的半導(dǎo)體專業(yè)知識，共同開發(fā)專為電動汽車 （EV）、高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 和自動駕駛量身定制的模擬 IC。
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ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現(xiàn)車載充電器小型化！
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV（電動汽車）車載充電器（以下簡稱“OBC”）的PFC*1和LLC*2轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。HSDIP20的產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的6款機型（BSTxxx1P4K01）和1200V耐壓的7款機型（BSTxxx2P4K01）。通過將各種大功率應(yīng)用的電路中所需的基本電路集成到小型模塊封裝中，可有效減少客戶的設(shè)計時間，而且有助于實現(xiàn)OBC等應(yīng)用中電力變換電路的小型化。HS
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ROHM推出支持負電壓和高電壓（40V/80V）的高精度電流檢測放大器
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，最新推出符合車規(guī)標準AEC-Q100*1的高精度電流檢測放大器“BD1423xFVJ-C”和“BD1422xG-C”。采用TSSOP-B8J封裝的“BD1423xFVJ-C”支持+80V的輸入電壓，適用于48V電源驅(qū)動的DC-DC轉(zhuǎn)換器、冗余電源、輔助電池、電動壓縮機等高電壓環(huán)境。根據(jù)其增益設(shè)置可分為“BD14230FVJ-C”、“BD14231FVJ-C”和“BD14232FVJ-C”三種型號。采用小型SSOP6封裝的“BD1422xG-C”支
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ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超高光輻射強度的小型表貼型近紅外LED
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出小型頂部發(fā)光型表貼近紅外 (NIR)*1 LED新產(chǎn)品，非常適用于VR/AR*2設(shè)備、工業(yè)光學(xué)傳感器、人體感應(yīng)傳感器等應(yīng)用。近年來，在VR/AR設(shè)備和生物感測設(shè)備等領(lǐng)域，對使用了近紅外（NIR）的先進感測技術(shù)的需求不斷增加。由于這些技術(shù)用于眼動追蹤、虹膜識別、血流量和血氧飽和度測量等應(yīng)用，因此對精度的要求非常高。另外，應(yīng)用產(chǎn)品的小型化、低功耗化以及設(shè)計靈活性的提升也備受重視。此外，在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，隨著精密打印機控制和自動化系統(tǒng)的發(fā)展，近紅外LED的作
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ROHM開發(fā)出適用于AI服務(wù)器等高性能服務(wù)器電源的MOSFET
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務(wù)器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務(wù)器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉(zhuǎn)換電路二次側(cè)的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術(shù)的進步和數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速，
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