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體積更小且支持大功率！ROHM開始量產(chǎn)TOLL封裝的SiC MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產(chǎn)TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產(chǎn)品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產(chǎn)品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產(chǎn)品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統(tǒng)）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業(yè)設備。與以往封裝產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產(chǎn)品的
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET
英飛凌與羅姆攜手推進SiC功率器件封裝兼容性，為客戶帶來更高靈活度
- ●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產(chǎn)品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產(chǎn)品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執(zhí)行官伊野和英（右）全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
- 關鍵字： 英飛凌 羅姆 ROHM SiC功率器件 SiC
ROHM推出適用于Zone-ECU的高性能智能高邊開關！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，針對汽車照明、汽車門鎖、電動車窗等正逐步采用Zone-ECU*1的車身相關應用，推出6款不同導通電阻值的高邊IPD*2（智能高邊開關）“BV1HBxxx系列”，非常適合用來保護系統(tǒng)免受功率輸入過大等問題的影響。全系列產(chǎn)品均符合AEC-Q100車規(guī)標準，滿足對車載產(chǎn)品嚴苛的可靠性要求。隨著自動駕駛和電動汽車（EV）的不斷發(fā)展，汽車的電子控制越來越復雜。與此同時，從功能安全角度來看，電子保護的重要性日益凸顯，以區(qū)域為單位對汽車進行管理的“Zone-E
- 關鍵字： ROHM Zone-ECU 高邊開關
ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低電路電流的超小尺寸CMOS運算放大器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，推出工作時的電路電流可控制在業(yè)界超低水平的超小尺寸CMOS運算放大器“TLR1901GXZ”。該產(chǎn)品非常適用于電池或充電電池驅動的便攜式測量儀、可穿戴設備和室內探測器等小型應用中的測量放大器。近年來，隨著便攜式測量儀和可穿戴設備等由電池驅動的應用對控制精度要求的不斷提高，用于量化溫度、濕度、振動、壓力、流量等參數(shù)的傳感器以及用來放大傳感器信號的運算放大器的重要性日益凸顯。另一方面，在致力于實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展社會等大背景下，應用產(chǎn)品的小型化和節(jié)能化已成
- 關鍵字： ROHM CMOS運算放大器 運放 運算放大器
ROHM發(fā)布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）”，該模型提升了收斂性和仿真速度。功率半導體的損耗對系統(tǒng)整體效率有重大影響，因此在設計階段的仿真驗證中，模型的精度至關重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”，通過提高每種特性的復現(xiàn)性，滿足了高精度仿真的需求。然而另一方面，該模型存在仿真收斂性問題和運算時間較長等問題，亟待改進。新模型“ROHM Level 3（L3）”通過采用簡化的模型
- 關鍵字： ROHM SPICE模型 ROHM Level 3 SiC MOSFET模型
內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統(tǒng)采用
- 全球先進的太陽能發(fā)電及儲能系統(tǒng)技術的專業(yè)企業(yè)SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統(tǒng)新產(chǎn)品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊?！癝unny Central FLEX”是為大規(guī)模太陽能發(fā)電設施、儲能系統(tǒng)以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網(wǎng)的效率和穩(wěn)定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
- 關鍵字： 羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
日本電裝與Rohm建立電動汽車和自動駕駛芯片聯(lián)盟
- 5 月 8 日，日本汽車零部件供應商電裝和芯片制造商 Rohm Semiconductor 宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，旨在加深半導體開發(fā)和生產(chǎn)方面的合作。兩家公司援引日經(jīng)新聞和 Car Watch 的報道稱，該聯(lián)盟將涵蓋聯(lián)合芯片開發(fā)、集成制造和協(xié)調原材料采購，實施細節(jié)將在稍后最終確定。電裝長期以來一直從 Rohm 采購芯片，但新協(xié)議將把這種關系擴大到共同制造。雙方將整合各自的半導體專業(yè)知識，共同開發(fā)專為電動汽車 （EV）、高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS） 和自動駕駛量身定制的模擬 IC。
- 關鍵字： 電裝 Rohm 電動汽車 自動駕駛 芯片聯(lián)盟
ROHM開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界超高光輻射強度的小型表貼型近紅外LED
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出小型頂部發(fā)光型表貼近紅外 (NIR)*1 LED新產(chǎn)品，非常適用于VR/AR*2設備、工業(yè)光學傳感器、人體感應傳感器等應用。近年來，在VR/AR設備和生物感測設備等領域，對使用了近紅外（NIR）的先進感測技術的需求不斷增加。由于這些技術用于眼動追蹤、虹膜識別、血流量和血氧飽和度測量等應用，因此對精度的要求非常高。另外，應用產(chǎn)品的小型化、低功耗化以及設計靈活性的提升也備受重視。此外，在工業(yè)設備領域，隨著精密打印機控制和自動化系統(tǒng)的發(fā)展，近紅外LED的作
- 關鍵字： ROHM 超高光輻射強度 近紅外LED
ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產(chǎn)品共3款機型，包括非常適用于企業(yè)級高性能服務器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器（HSC）*4電路的“RS7E200BG”（30V），以及非常適用于AI服務器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。隨著高級數(shù)據(jù)處理技術的進步和數(shù)字化轉型的加速，
- 關鍵字： ROHM AI服務器 服務器電源 MOSFET
rohm介紹
Rohm株式會社為全球知名的半導體生產(chǎn)企業(yè)，ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產(chǎn)商在京都起家的ROHM，于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業(yè),在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業(yè)規(guī)模，憑借被稱為"超常思維"的創(chuàng)新理念，加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗，ROHM [ 查看詳細 ]
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