日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

        <style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>
        

        <s id="k3y6c"></s>
        <mark id="k3y6c"></mark>
          

          <mark id="k3y6c"></mark>
          


          
	
  	
          
	
          
		首頁　 
		資訊　 
		商機(jī) 　
		下載　 
		拆解 　
		高校　 
		招聘 　
		雜志　 
		會展　 
		EETV　 
		百科 　
		問答　 
		電路圖　 
		工程師手冊 　
		Datasheet　
		100例 　
		活動(dòng)中心　 
		E周刊閱讀 　
		樣片申請
	
          




          
	EEPW首頁 >> 
	主題列表 >> 
	rf-cmos
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          rf-cmos 文章
                  最新資訊  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          標(biāo)準(zhǔn)有助于規(guī)范納米行業(yè)的秩序
          
                                                            
            
                    	
          • 制定行業(yè)公認(rèn)的標(biāo)準(zhǔn)是研究納米技術(shù)必不可少的先期工作

       就像1849年出現(xiàn)的加利福尼亞淘金熱一樣，納米技術(shù)的出現(xiàn)也帶來了巨大機(jī)遇和極大風(fēng)險(xiǎn)。正如在淘金熱時(shí)代出現(xiàn)了很多新技術(shù)、利益和挑戰(zhàn)一樣，人們對納米技術(shù)的探索也將不可避免地促使人們開發(fā)一些新工具突破納米關(guān)鍵技術(shù)，抓住創(chuàng)造巨大財(cái)
富的機(jī)遇，但是也存在給環(huán)境、健康和安全帶來災(zāi)難性影響的可能性。盡管納米技術(shù)將毋庸置疑地形成很多爆炸性的技術(shù)，催生很多新的研究領(lǐng)域，但是也可能對那些不了解
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        納米  CMOS                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          高k柵介質(zhì)中電荷俘獲行為的脈沖特征分析
          
                                                            
            
                    	
          •        本文介紹了電荷俘獲的原理以及直流特征分析技術(shù)對俘獲電荷進(jìn)行定量分析的局限性。接下來，本文介紹了一種超快的脈沖I-V分析技術(shù)，能夠?qū)哂锌焖偎矐B(tài)充電效應(yīng)（FTCE）的高k柵晶體管的本征（無俘獲）性能進(jìn)行特征分析。

先進(jìn)CMOS器件高k柵技術(shù)的進(jìn)展

       近年來，高介電常數(shù)（高k）材料，例如鉿氧化物（HfO2）、鋯氧化物（ZrO2）、氧化鋁（Al2O3）以及
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        脈沖  CMOS                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          SuVolta全新CMOS平臺有效降低集成電路功耗
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SuVolta日前宣布推出PowerShrink?低功耗平臺。該平臺可以有效降低CMOS集成電路2倍以上的功耗，同時(shí)保持性能并提高良率。SuVolta和富士通半導(dǎo)體有限公司(Fujitsu Semiconductor Limited)今天還共同宣布，富士通已獲得授權(quán)使用SuVolta創(chuàng)新型PowerShrink?低功耗技術(shù)。
　　
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  CMOS                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容推出緊湊150 mA器件
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • ?????? 6月9日，應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美(ON Semiconductor)半導(dǎo)體推出五款超小封裝的低壓降(LDO) 線性穩(wěn)壓器，強(qiáng)化用于智能手機(jī)及其他便攜電子應(yīng)用的現(xiàn)有產(chǎn)品陣容。這些新器件基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)技術(shù)，均能提供150毫安(mA)的輸出電流。

　　NCP4682和NCP4685超低電流穩(wěn)壓器的供電電流僅為典型值1微安(μA)，輸出電壓范圍為1.2伏(V)至3.3 V。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        安森美  CMOS  NCP4682                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Microsemi成功收購AML Communications
          
                                                            
            
                    	
          • 致力實(shí)現(xiàn)智能、安全，以及互連世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商─美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC)宣布，公司已于2011年5月27日完成對AML Communications, Inc. (OTCBB:AMLJ) 之收購。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Microsemi  RF                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          PowerShrink平面CMOS平臺有效降低IC功耗
          
                                                            
            
                    	
          • SuVoltaPowerShrink低功耗平臺支持電壓調(diào)節(jié)降低功耗50%以上并能保持IC性能.
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SuVolta  CMOS  PowerShrink                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          0.18 μm CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          •  基準(zhǔn)電壓源可廣泛應(yīng)用于A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、隨機(jī)動(dòng)態(tài)存儲器、閃存以及系統(tǒng)集成芯片中。使用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計(jì)了具有高穩(wěn)定度、低溫漂、低輸出電壓為0.6 V的CMOS基準(zhǔn)電壓源。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  0.18                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          選擇RF和微波濾波器的八大竅門
          
                                                            
            
                    	
          • 在不了解會受到何種損害的情況下，具備高深的數(shù)字電子知識的設(shè)計(jì)師發(fā)現(xiàn)，當(dāng)需要給無線器件確定濾波器參數(shù)時(shí)...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        RF  微波  濾波器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于OFDM的WiMAX RF系統(tǒng)設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 固定WiMAX標(biāo)準(zhǔn)基于正交頻分復(fù)用(OFDM) 技術(shù)，使用256個(gè)副載波; 該標(biāo)準(zhǔn)支持1.75~ 28 MHz范圍內(nèi)的多個(gè)信道帶寬，同時(shí)支持多種不同的調(diào)制方案，包括BPSK、QPSK、16QAM 和64QAM?！　? 主要芯片完成功能
            　　本設(shè)備采用
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  RF  WiMAX  OFDM  基于                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          RF CO2激光電源類別與原理
          
                                                            
            
                    	
          • 關(guān)于激光頭的準(zhǔn)電感諧振技術(shù)。為了使輸入射頻沿激光器長度，電壓分布均勻，加入一對電感并聯(lián)在諧振腔上下電極之間。這樣，由于電感負(fù)導(dǎo)納的補(bǔ)償作用，使激光器沿長度上的駐波比大大下降，失配角小于9°，理論計(jì)算結(jié)果電壓不均勻度小于3％。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        類別  原理  電源  激光  CO2  RF                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          ADI新推出高動(dòng)態(tài)范圍、單通道混頻器系列樹立性能水平新標(biāo)桿
          
                                                            
            
                    	
          • AnalogDevices,Inc.（紐約證券交易所代碼：ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號處理解決方案供應(yīng)商，最新推出五款針對衛(wèi)星通信、無線基站、點(diǎn)到點(diǎn)無線電鏈路、儀器儀表和軍事設(shè)備等高動(dòng)態(tài)范圍應(yīng)用的單通道RF混頻器系列，從而擴(kuò)充了其 RF IC 產(chǎn)品系列。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        ADI  RF                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          EMI/RF吸波材料性能比較
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著工程師們需要遵循的輻射電磁干擾(EMI)規(guī)范的不斷增多，市場上開始出現(xiàn)各種類型的EMI吸波材料。一般而言，市場上所提供的這些吸波材料的厚度很薄并具有很好的外形柔韌性，再加上其背面帶有粘合劑的設(shè)計(jì)使得我們能
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        EMI  RF  吸波材料  性能比較                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          SoC發(fā)射器簡化RF遙控器設(shè)計(jì)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 最常見的遙控器使用紅外(IR)技術(shù)，這主要是因?yàn)榧t外元件成本相對較低，但這些基于IR的控制器有許多缺陷，包括需要在視角范圍內(nèi)、操作角度限制、傳輸距離短、與IR LED相關(guān)的反射和高電流消耗等，這些缺陷大大縮短了電池壽命。RF遙控器解決了這些問題，并且由于可帶給用戶更好的使用體驗(yàn)，產(chǎn)品也日益豐富。此外，技術(shù)改進(jìn)正在使得RF-IR元件之間的價(jià)格差越來越小。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        遙控器  設(shè)計(jì)  RF  簡化  發(fā)射器  SoC                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          一種恒跨導(dǎo)CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：設(shè)計(jì)了一種寬帶軌對軌運(yùn)算放大器，此運(yùn)算放大器在3．3 V單電源下供電，采用電流鏡和尾電流開關(guān)控制來實(shí)現(xiàn)輸入級總跨導(dǎo)的恒定。為了能夠處理寬的電平范圍和得到足夠的放大倍數(shù)，采用用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)作為前
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  運(yùn)算放大器                            
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          用于EMI/RF吸波材料性能比較
          
                                                            
            
                    	
          • 本文設(shè)計(jì)加工了一種簡單的表面電流減少測試裝置，通過它可以在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下對不同EMI吸波材料的吸波性能進(jìn)行相對的比較。盡管吸波材料所引起的表面電流的減少量并不完全等于預(yù)期的EMI減少量的測量值，但該方法可以很快的確定在特定頻率范圍內(nèi)具備最佳吸波性能的材料。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        比較  性能  材料  EMI/RF  用于                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共1590條
	64/106		|‹
			«
																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																													62																63																64																65																66																67																68																69																70																71																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																																								»
			›|
		
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          rf-cmos介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條rf-cmos!
           
		      	歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對rf-cmos的理解，并與今后在此搜索rf-cmos的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
        		關(guān)于我們 - 
        		廣告服務(wù) - 
        		企業(yè)會員服務(wù) - 
        		網(wǎng)站地圖 - 
        		聯(lián)系我們 - 
        		征稿 - 
        		友情鏈接 - 
        		手機(jī)EEPW
        		
          
        		Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          
        		《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
          
      			備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473