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          rf-cmos 文章 最新資訊

          基于射頻功率放大器的GSM/DCS雙頻段RF射頻前端設(shè)計(jì)

          • 本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu),使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能,銳迪科的RDA6218就是采用這種結(jié)構(gòu)。射頻功率放大器管芯由原來的兩個(gè)減少為一個(gè),同時(shí)此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸
          • 關(guān)鍵字: 射頻  前端  設(shè)計(jì)  RF  GSM/DCS  功率放大器  基于  頻段  

          一種CMOS綠色模式AC/DC控制器振蕩器電路

          • 摘要:此振蕩器專門針對恒壓恒流(CV-CC)控制、頻率抖動(Frequency Shuffling)技術(shù)。采用電流模脈寬調(diào)制控制方案的電池充電芯片設(shè)計(jì),鋸齒波信號的線性度較好,當(dāng)負(fù)載電路減小時(shí),自動進(jìn)入Burst Mode狀態(tài)提高系統(tǒng)的效
          • 關(guān)鍵字: 控制器  振蕩器  電路  DC  AC  CMOS  綠色  模式  一種  

          解讀“后摩爾定律” 探索IC發(fā)展方向

          •   摩爾定律在自1965年發(fā)明以來的45年中,一直引領(lǐng)著世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向?qū)崿F(xiàn)更低的成本、更大的市場、更高的經(jīng)濟(jì)效益前進(jìn)。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)逐漸逼近硅工藝尺寸極限,摩爾定律原導(dǎo)出的“IC的集成度約每隔18個(gè)月翻一倍,而性能也將提升一倍”的規(guī)律將不再適用。為此,國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖組織(ITRS)在2005年的技術(shù)路線圖中,即提出了“后摩爾定律”的概念。近年的技術(shù)路線圖更清晰地展現(xiàn)了這種摩爾定律與“后摩爾定律”相結(jié)合的發(fā)展趨勢,并認(rèn)為&
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  MEMS  CMOS  

          賽普拉斯推出流水線式全域曝光快門的CMOS圖像傳感器

          •   賽普拉斯公司日前宣布,推出一款用于高端機(jī)器視覺市場的高敏感度、高速CMOS圖像傳感器。全新的250萬像素VITA25K傳感器擁有市場上單器件最大的數(shù)據(jù)吞吐能力,并帶有流水線和觸發(fā)式全域快門。該傳感器具有32個(gè)10-bit數(shù)字低壓差分信號(LVDS)輸出,可以允許圖像數(shù)據(jù)通過標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)協(xié)議進(jìn)行低功耗、低噪聲傳輸。每個(gè)通道以620Mbps的速率運(yùn)行,從而實(shí)現(xiàn)53幀每秒(fps)的無畸變高幀頻和快速讀出。VITA25K是高端機(jī)器視覺應(yīng)用的理想選擇,適用于檢驗(yàn)機(jī)、生物檢測(如下一代掌紋讀取儀)以及智能交通系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: Cypress  圖像傳感器  CMOS  

          基于RF電路設(shè)計(jì)中的常見問題及解決方案

          • 基于RF電路設(shè)計(jì)中的常見問題及解決方案, 單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用,采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上,應(yīng)用于無線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng),無線遙
          • 關(guān)鍵字: 解決方案  常見問題  電路設(shè)計(jì)  RF  基于  

          美國欲掌控智能電網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)關(guān)聯(lián)半導(dǎo)體市場

          •   向低碳社會挺進(jìn)的美國打算控制智能電網(wǎng)領(lǐng)域的主導(dǎo)權(quán),并聲稱將為此竭力取得智能電網(wǎng)的國際標(biāo)準(zhǔn)。目前,NIST(美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究所)已開始與日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省展開標(biāo)準(zhǔn)化討論,而且IEC(國際電工委員會)也在美國主導(dǎo)下展開了研究。包括政府保證的額度在內(nèi),美國準(zhǔn)備向可再生能源等綠色產(chǎn)業(yè)投入 1000億美元的資金,力爭在2020年之前將溫室氣體比2005年削減14%。這一目標(biāo)的實(shí)現(xiàn)要依靠節(jié)能、可再生能源及環(huán)保汽車(插電混合動力車)為主力軍,而作為可為此提供依托的基礎(chǔ)設(shè)施,智能電網(wǎng)被寄予了厚望。   對標(biāo)準(zhǔn)的掌控
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  MCU  RF  

          恩智浦射頻產(chǎn)品技術(shù)中心落戶上海 人才招聘進(jìn)行中

          •   恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)近日宣布,公司增加在射頻研發(fā)的投資,2010年上半年先后在中國上海以及美國馬塞諸塞州比爾里卡市開設(shè)兩家恩智浦高性能射頻(RF)產(chǎn)品技術(shù)中心。中心主要從事射頻/微波集成電路(IC)設(shè)計(jì),涉及領(lǐng)域包括國防航空、工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)學(xué)衛(wèi)星接收器及寬帶通信中等。其中,于年內(nèi)第一季度成立的上海恩智浦高性能射頻產(chǎn)品技術(shù)中心主要關(guān)注從射頻前端到末級放大器的射頻器件設(shè)計(jì)開發(fā)、技術(shù)支持、售后服務(wù)等一條龍全方位射頻解決方案。目前上海公司市場部、技術(shù)部人才招聘正在進(jìn)行。   
          • 關(guān)鍵字: NXP  RF  

          iMouse多功能空中鼠標(biāo)

          • 本文設(shè)計(jì)并實(shí)施了一款基于最新MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)的可以空中使用的鼠標(biāo)產(chǎn)品,以滿足當(dāng)前計(jì)算機(jī)快速家電化、娛樂化的需求。本設(shè)計(jì)集成了先進(jìn)的微電子機(jī)械系統(tǒng)技術(shù)(MEMS)、2.4G低功耗無線射頻通信技術(shù)(2.4G/RF)、USB接口技術(shù)以及實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)uC/OS技術(shù)。本產(chǎn)品可以讓鼠標(biāo)脫離桌面環(huán)境,方便易用,讓用戶獲得家電化的計(jì)算機(jī)操作體驗(yàn),是一款真正“可以飛的鼠標(biāo)”。同時(shí),其所用的技術(shù)還可以滲透到其他傳統(tǒng)的遙控器中,以大幅提升用戶體驗(yàn)。
          • 關(guān)鍵字: 時(shí)代民芯  MEMS  空中鼠標(biāo)  2.4G  RF  

          瑞薩開發(fā)出40nm高密度新型SRAM電路技術(shù)

          •   瑞薩電子開發(fā)出了一種新型SRAM電路技術(shù),可克服因微細(xì)化而增加的CMOS元件特性不均現(xiàn)象,還能在維持速度的同時(shí),以更小的面積實(shí)現(xiàn)合適的工作裕度。以上內(nèi)容是在半導(dǎo)體電路技術(shù)相關(guān)國際會議“2010 Symposium on VLSI Circuits”上發(fā)布的(論文序號:10.2)。作為40nm工藝的產(chǎn)品,該公司試制出了bit密度達(dá)到業(yè)界最高水平的SRAM,并確認(rèn)了其工作性能。主要用于實(shí)現(xiàn)40nm工藝以后SoC(system on a chip)的低成本化及低功耗化。   在So
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  SRAM  CMOS  

          Qualcomm與SEMATECH簽署合作協(xié)議 共同開拓新技術(shù)

          •   全球領(lǐng)先的芯片制造協(xié)會SEMATECH和先進(jìn)無線芯片供應(yīng)商Qualcomm宣布Qualcomm已與SEMATECH簽署了合作協(xié)議,共同推進(jìn)CMOS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展。Qualcomm是第一家進(jìn)入SEMATECH的芯片設(shè)計(jì)公司,Qualcomm將深入?yún)⑴c和SEMATECH的研發(fā)項(xiàng)目,共同探索延續(xù)摩爾定律的新技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: Qualcomm  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

          0.5um CMOS新型電流反饋放大器的分析與設(shè)計(jì)

          • 本文的低壓低功耗 CFOA,它在只需1V 電源電壓情況下,僅產(chǎn)生0.7mW 功耗,84.2dB 的開環(huán)增益,62°的相位裕度,高達(dá)138dB 的共模抑制比, -0.85V~0.97V 的輸出電壓范圍
          • 關(guān)鍵字: CMOS  0.5  um  電流反饋    

          TTL或CMOS集電極開路輸出的功耗

          • 用來計(jì)算TTL集電極開路輸出電路靜態(tài)功耗的公式如下:其中:VT=上拉電阻的有效端接電壓
            R=端接電阻的有效值
            VHI=高電平輸出(通常等于VT)
            VLO=低電平輸出
            VEE=輸出晶體管的射極(或源極
          • 關(guān)鍵字: CMOS  TTL  集電極開路  功耗    

          端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹

          •   端到端網(wǎng)絡(luò)流的介紹   NI端到端網(wǎng)絡(luò)(P2P)流技術(shù)使用PCI Express接口在多個(gè)設(shè)備之間直接,點(diǎn)對點(diǎn)傳輸,而不必通過主處理器或存儲器。這可使同一個(gè)系統(tǒng)中的設(shè)備共享信息而不必占用其它的系統(tǒng)資源。NI P2P技術(shù)被以下設(shè)備支持:PXI Express NI FlexRIO現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)模塊(NI PXIe-7961R, PXIe-7962R, and PXIe-7965R),PXI Express數(shù)字化儀和矢量信號分析儀,包括NI PXIe-5122,PXIe-5622和 PXI
          • 關(guān)鍵字: NI  RF  端到端  

          高線性度設(shè)計(jì)的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

          • 引言
            本文采用±5V電源,設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路,并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的使用
          • 關(guān)鍵字: CMOS  高線性度  調(diào)幅  電路技術(shù)    

          CMOS雙向開關(guān)工作原理

          • CMOS雙向開關(guān)也稱CMOS傳輸門。CMOS雙向開關(guān)在模擬電路和數(shù)字電路應(yīng)用非常廣泛。集成電路CMOS雙向開關(guān)產(chǎn)品有CC4066/4051/4052/4053等,性能優(yōu)良,使用方便且成本低。每個(gè)開關(guān)只有一個(gè)控制端和兩互為輸入/輸出信號端,
          • 關(guān)鍵字: CMOS  開關(guān)  工作原理    
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          rf-cmos介紹

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