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          rf-cmos 文章 最新資訊

          Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF

          •   手機高級功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊,該模塊是世界上最經(jīng)濟的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴展性,AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能,包括交換機和復(fù)合濾波器,可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。  
          • 關(guān)鍵字: Amalfi  CMOS  

          RF芯片T5743的網(wǎng)絡(luò)接收節(jié)點設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 節(jié)點  網(wǎng)絡(luò)  RF  射頻接收  T5743  

          CCD和CMOS主要技術(shù)分析

          • CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項成像技術(shù),它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術(shù),便能使圖像監(jiān)控達到預(yù)期的效果。另外,還可看到,C
          • 關(guān)鍵字: 分析  技術(shù)  主要  CMOS  CCD  

          GPS與WAN通訊相結(jié)合的RF設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: WAN  通訊結(jié)合  GPS  RF  

          手機RF設(shè)計難點及方案

          • 一、 關(guān)于手機RF干擾問題的解決  針對GSM手機的RF干擾問題,劉俊勇指出,GSM 手機是TDMA工作方式,RF收發(fā)并不是同時進行的,減少RF干擾的基本原則是一定要加強匹配和隔離。  在設(shè)計時要考慮到發(fā)射機處于大功率發(fā)
          • 關(guān)鍵字: 方案  難點  設(shè)計  RF  手機  

          提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案

          • 摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計方案,使用CMOS工藝設(shè)計了兩級全差分放大電路,在此基礎(chǔ)上設(shè)計輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
          • 關(guān)鍵字: CMOS  共源共柵  功率放大器  方案    

          GPS與WAN通訊相結(jié)合的RF解決方案

          • 研華TREK產(chǎn)品采用輔助GPS(A-GPS)、航位推算、藍牙和WWAN協(xié)議(GPRS/GSM或CDMA/HSDPA),能夠保證設(shè)備在高樓、山區(qū)、峽谷、隧道和地下停車場等區(qū)域正常工作,提升車隊管理效率和競爭力。TREK系列產(chǎn)品采用寬溫工作范
          • 關(guān)鍵字: RF  解決方案  結(jié)合  通訊  WAN  GPS  

          基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準

          • 摘要:傳統(tǒng)基準電路主要采用帶隙基準方案,利用二級管PN結(jié)具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準。針對BJT不能與標準的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
          • 關(guān)鍵字: CMOS  VTH  電壓基準    

          全CMOS基準電壓源的分析與仿真

          • 摘要:文章基于CMOS 0.18mu;m工藝,在Hspice下,對四利PMOS管基準電壓源進行了分析和仿真,文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
            關(guān)鍵詞:基準電壓;CMOS集成電路;Hspice

            0 引言
            模擬電路廣泛
          • 關(guān)鍵字: 仿真  分析  電壓  基準  CMOS  

          艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用

          •   艾克賽利(Accelicon),器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference),并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
          • 關(guān)鍵字: 艾克賽利  CMOS  

          高速通信的混頻器和調(diào)制器設(shè)計

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 高速通信  混頻器  調(diào)制器  混頻  RF  

          2.4GHz 0.35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計

          • 摘要:片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點,電路采用SMIC0.35-mu;mCMOS工藝設(shè)計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級放大
          • 關(guān)鍵字: 4GHz  CMOS  35  集成    

          鎖存繼電器的CMOS電路研究

          • 圖1中電路會根據(jù)一個脈沖,切換一個DPDT(雙刀雙擲)鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關(guān)至步進電壓信號發(fā)生器,一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器,一個繼電器驅(qū)動器,以及一個繼電器線圈?! ∷矂娱_關(guān)提供驅(qū)動電路的步進電壓信
          • 關(guān)鍵字: 研究  電路  CMOS  繼電器  

          用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

          • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。

          • 關(guān)鍵字: CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)  

          一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計

          • 摘要:設(shè)計了一種基于0.25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點,補償誤差放大器輸出極點的方法,避免了為補償LDO輸出極點,而需要大電容或復(fù)雜補償
          • 關(guān)鍵字: 穩(wěn)壓器  設(shè)計  線性  LDO  成型  CMOS  全集  
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          rf-cmos介紹

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