rf-cmos 文章 最新資訊
一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
- 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對(duì)PTAT基準(zhǔn)電流進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流反饋補(bǔ)償，設(shè)計(jì)了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時(shí)電源電壓抑制比達(dá)82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字： CMOS 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進(jìn)入數(shù)碼單反相機(jī)市場(chǎng)
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計(jì)令該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動(dòng)態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達(dá)
- 關(guān)鍵字： 圖像傳感器 CMOS
富士通戰(zhàn)略投資Tensilica折射出什么信號(hào)？
- 本周二，Tensilica宣布富士通公司成為其戰(zhàn)略投資者，但是沒有透露富士通具體的投資數(shù)目。兩家公司在聲明中只是輕描淡寫地評(píng)論了Tensilica DPU的優(yōu)勢(shì)并沒有就合作的具體內(nèi)容和未來發(fā)展進(jìn)行闡述，這里結(jié)合個(gè)人的研究分析這個(gè)舉動(dòng)的背后意圖。 信號(hào)1: 日系半導(dǎo)體廠商高舉高打，看重LTE基帶市場(chǎng) 目前，在手機(jī)基帶領(lǐng)域，目前主要的玩家是歐美廠商和中國廠商，大家言必提高通、MTK、博通、ST-Ericsson等等，日系廠商很少進(jìn)入大家的眼界，不過未來，在LTE時(shí)代，日系廠商已經(jīng)完成布局，估計(jì)
- 關(guān)鍵字： 富士通 LTE RF
CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點(diǎn) 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計(jì)將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時(shí)迎來重大轉(zhuǎn)折點(diǎn)。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計(jì)也會(huì)對(duì)各公司的微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)帶來影響。 元件材料及曝光技術(shù)也會(huì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 “估計(jì)一多半的半導(dǎo)體廠商都會(huì)在15nm工藝時(shí)向FinFET過渡”(英特爾)?！霸?0nm以
- 關(guān)鍵字： CMOS 15nm 立體晶體管
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