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EUV將在7納米節(jié)點發(fā)威？
- 核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
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KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統(tǒng)
- KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計節(jié)點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗
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EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律
- 據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進步的速度。 在幾十年來，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節(jié)省了更
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ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率
- 微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計2013年底前，可達到80瓦的目標(biāo)，2015年達250瓦、每小時產(chǎn)出125片。 半導(dǎo)體生產(chǎn)進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
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ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位
- 極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。 ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對相關(guān)設(shè)備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。 ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)
- 5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預(yù)計2013年還將有14%的增長。 臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺積電。
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Intel：14nm進展順利 一兩年后量產(chǎn)
- Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。 Rattner指出，Intel
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光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題
- GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。
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通向14/15nm節(jié)點的技術(shù)挑戰(zhàn)
- 當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當(dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
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