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          hyper-na euv 文章 最新資訊

          首先采用EUV光刻工藝 三星半導(dǎo)體代工優(yōu)劣勢(shì)分析

          •   張忠謀曾比喻說(shuō):“三星是一只700磅的大猩猩”,表示它十分強(qiáng)悍。然而在現(xiàn)階段的代工業(yè)中三星尚是“新進(jìn)者”,需要時(shí)間的積累。   01、引言   據(jù)IC Insight公布的今年Q2數(shù)據(jù),三星半導(dǎo)體依158億美元,同比增長(zhǎng)46.5%,超過(guò)英特爾而居首。   全球半導(dǎo)體三足鼎立,英特爾、臺(tái)積電、三星各霸一方,近期內(nèi)此種態(tài)勢(shì)恐怕難以有大的改變,但是一定會(huì)此消彼長(zhǎng),無(wú)論哪家在各自領(lǐng)域內(nèi)都面臨成長(zhǎng)的煩惱。   然而在三家之中三星謀求改變的勢(shì)頭最猛,而臺(tái)積電
          • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

          EUV需求看俏 ASML頻傳捷報(bào)

          •   全球最大芯片光刻設(shè)備市場(chǎng)供貨商阿斯麥 (ASML) 公布最新2017第二季財(cái)報(bào)。ASML表示,由于不論邏輯芯片和DRAM客戶(hù)都積極準(zhǔn)備將EUV導(dǎo)入芯片量產(chǎn)階段,EUV光刻機(jī)目前第二季已累積27臺(tái)訂單總計(jì)28億歐元。   ASML 第二季營(yíng)收凈額 (net sales)21億歐元,毛利率(gross margin)為45%。在第二季新增8臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單,讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺(tái),總值高達(dá)28億歐元。   ASML預(yù)估2017第三季營(yíng)收凈額(net sales)約為22億歐元,毛
          • 關(guān)鍵字: ASML  EUV  

          EUV在手天下我有 ASML二季度表現(xiàn)亮眼

          •   全球最大芯片光刻設(shè)備市場(chǎng)供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財(cái)報(bào)。ASML第二季營(yíng)收凈額21億歐元,毛利率為45%。在第二季新增8臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單,讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺(tái),總值高達(dá)28億歐元。   預(yù)估2017第三季營(yíng)收凈額約為22億歐元,毛利率約為43%。因?yàn)槭袌?chǎng)需求和第二季的強(qiáng)勁財(cái)務(wù)表現(xiàn),ASML預(yù)估2017全年?duì)I收成長(zhǎng)可達(dá)25%。   ASML總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)溫彼得指出:“ASML今年的主要營(yíng)收貢獻(xiàn)來(lái)自?xún)?nèi)存芯片客戶(hù),尤其在DRAM市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,這部分的
          • 關(guān)鍵字: EUV  ASML  

          三星領(lǐng)先臺(tái)積電引入7納米EUV技術(shù),今年代工市場(chǎng)欲超車(chē)聯(lián)電

          •   據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道,7月11日,韓國(guó)三星電子在首爾舉行的說(shuō)明會(huì)上,向客戶(hù)等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù),從2018年開(kāi)始量產(chǎn)。此次說(shuō)明會(huì)上,三星展示了發(fā)展藍(lán)圖,記載了決定性能好壞的電路線(xiàn)寬的微細(xì)化進(jìn)程。三星表示,采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計(jì)劃從2018年開(kāi)始接單,5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開(kāi)始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率,7納米以下的產(chǎn)品曾被認(rèn)為難以實(shí)現(xiàn)商用化,而EUV是
          • 關(guān)鍵字: 三星  EUV  

          延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵

          •   臺(tái)積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開(kāi)始導(dǎo)入EUV微影技術(shù),以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂,但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比,EUV的投資對(duì)解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問(wèn)題仍是相對(duì)有力的解決方案。   每一季的臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)上,張忠謀董事長(zhǎng)或是共同執(zhí)行長(zhǎng)對(duì)于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì)對(duì)臺(tái)下觀眾做一專(zhuān)門(mén)的報(bào)告,法人代表對(duì)于EUV的導(dǎo)入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對(duì)于臺(tái)積電未來(lái)發(fā)展甚至
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  

          摩爾定律唯一規(guī)則:永遠(yuǎn)不要說(shuō)不可能

          •   摩爾定律在過(guò)去52年中一直是“更小,更快,更便宜”的代名詞,但越來(lái)越多的人認(rèn)為它只是諸多選擇之一,芯片行業(yè)開(kāi)始針對(duì)特定的市場(chǎng)需求進(jìn)行調(diào)整。   這并沒(méi)有使得摩爾定律失去意義。眾多行業(yè)人士透露,從16/14nm沖擊7nm的公司數(shù)量要多于直接沖擊16/14nm finFET的公司。但是,這種遷移也需要考慮到:   · 當(dāng)代工廠利用16/14nm finFET進(jìn)行相同度量時(shí),節(jié)點(diǎn)命名在20nm之后就變得無(wú)意義。因此,對(duì)于10nm或7nm并沒(méi)有一致的定義。更有價(jià)值的數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  

          7nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)即將打響 EUV是否夠成熟?

          • 在先進(jìn)制程方面,玩得起的顯然只剩寥寥可數(shù)的那幾個(gè)大玩家,7nm是一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 7nm  EUV  

          KLA-Tencor 快速有效解決客戶(hù)良率問(wèn)題 與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)

          •   看好中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)持續(xù)的蓬勃發(fā)展,工藝控制與成品率管理解決方案提供商KLA-Tencor (科天)透過(guò)半導(dǎo)體檢測(cè)與量測(cè)技術(shù),以最快的速度及最有效的方式 ,幫助客戶(hù)解決在生產(chǎn)時(shí)面對(duì)的良率問(wèn)題。KLA-Tencor立志于幫助中國(guó)客戶(hù)一起提升良率,降低生產(chǎn)成本,提高生產(chǎn)效率,并與中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)一同成長(zhǎng)?! LA-Tencor中國(guó)區(qū)總裁張智安表示,KLA-Tencor成立至今40年,現(xiàn)于全球17國(guó)擁有6000多位員工。2016財(cái)年,KLA-Tencor營(yíng)收表現(xiàn)來(lái)到30億美元。從硅片檢
          • 關(guān)鍵字: KLA-Tencor  EUV  

          半導(dǎo)體押寶EUV ASML突破瓶頸 預(yù)計(jì)2018年可用于量產(chǎn)

          •   摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問(wèn)世以來(lái),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進(jìn)發(fā)展,過(guò)去數(shù)十年來(lái)包括光微影技術(shù)(Photolithography)等一系列制程技術(shù)持續(xù)的突破,才得以讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能依照摩爾定律演進(jìn),進(jìn)而帶動(dòng)全球科技產(chǎn)業(yè)研發(fā)持續(xù)前進(jìn)。   但為延續(xù)產(chǎn)業(yè)良性發(fā)展,光是依賴(lài)于傳統(tǒng)微影技術(shù)仍不夠,因此芯片制造商也正在苦思試圖進(jìn)行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革,即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術(shù),該技術(shù)也成為臺(tái)積電、英特爾(Intel)等
          • 關(guān)鍵字: ASML  EUV   

          基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

          • 航空氣象要素對(duì)飛行安全的影響越來(lái)越大,氣象探測(cè)設(shè)備的重要性也越來(lái)越高。成陽(yáng)國(guó)際機(jī)場(chǎng)配備了風(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá),能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場(chǎng)上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?;诒U巷L(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá)正常運(yùn)行的目的,通過(guò)Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法,結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn),實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能,平均故障修復(fù)時(shí)間提高了95%。
          • 關(guān)鍵字: 故障轉(zhuǎn)移集群  Hyper-V  風(fēng)廓線(xiàn)雷達(dá)  平均故障修復(fù)時(shí)間  

          半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進(jìn)展如何

          •   ASML宣稱(chēng)它的Q2收到4臺(tái)EUV訂單,預(yù)期明年EUV發(fā)貨達(dá)10臺(tái)以上。   EUV光刻設(shè)備一再延遲,而最新消息可能在2020年時(shí)能進(jìn)入量產(chǎn),而非常可能應(yīng)用在5nm節(jié)點(diǎn)。   業(yè)界預(yù)測(cè)未來(lái)在1znm的存儲(chǔ)器生產(chǎn)中可能會(huì)有2層或者以上層會(huì)采用它,及在最先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)(7 or 5nm)的邏輯器件生產(chǎn)中可能會(huì)有6-9層會(huì)使用它。   ASML計(jì)劃2018年時(shí)它的EUV設(shè)備的產(chǎn)能再擴(kuò)大一倍達(dá)到年產(chǎn)24臺(tái),每臺(tái)售價(jià)約1億美元,目前芯片制造商己經(jīng)安裝了8臺(tái),正在作各種測(cè)試。   半導(dǎo)體顧問(wèn)公司的分析師Ro
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  EUV  

          重回摩爾定律兩大武器... EUV+三五族 成大勢(shì)所趨

          •   英特爾在14奈米及10奈米制程推進(jìn)出現(xiàn)延遲,已影響到處理器推出時(shí)程,也讓業(yè)界及市場(chǎng)質(zhì)疑:摩爾定律是否已達(dá)極限?不過(guò),英特爾仍積極尋求在7奈米時(shí)代重回摩爾定律的方法,其中兩大武器,分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV),以及開(kāi)始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。   摩爾定律能否持續(xù)走下去,主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來(lái)愈高。目前包括英特爾、臺(tái)積電、三星等大廠,主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤(rùn)式微影(immersionlitho
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  EUV  

          EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎?

          •   又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時(shí)刻了??v觀整個(gè)半導(dǎo)體發(fā)展藍(lán)圖,研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對(duì)EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。   到了下一代的10nm節(jié)點(diǎn),降低每電晶體成本將會(huì)變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點(diǎn)時(shí)導(dǎo)入EUV微影。更進(jìn)一步來(lái)看,當(dāng)擴(kuò)展到超越5nm節(jié)點(diǎn)時(shí)可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。   目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長(zhǎng)久以來(lái)一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話(huà),7nm制程將會(huì)成為一個(gè)昂貴的半節(jié)點(diǎn)。   不過(guò),研究人
          • 關(guān)鍵字: EUV  SanDisk  

          臺(tái)積電采購(gòu)EUV 2018年或邁入7納米時(shí)代

          • 按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進(jìn)展的速度,幾乎可以預(yù)見(jiàn)的是,2018年上7納米的愿望很美好,但是實(shí)際情況卻困難重重,幾乎是不太可能的事,即便在技術(shù)上能實(shí)現(xiàn),在商業(yè)上來(lái)看也不能算是理性的選擇。
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  7納米  EUV  

          2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

          •  ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺(tái)。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級(jí)大廠未來(lái)采用EUV光刻技術(shù),在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項(xiàng)中幾乎同步,或者說(shuō)臺(tái)積電在10nm時(shí)順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  EUV  
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