微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機(jī)臺(tái)技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購(gòu)并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達(dá)55瓦，每小時(shí)晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計(jì)2013年底前，可達(dá)到80瓦的目標(biāo)，2015年達(dá)250瓦、每小時(shí)產(chǎn)出125片。

　　半導(dǎo)體生產(chǎn)進(jìn)入10納米后，雖然可采用多重浸潤(rùn)式曝光方式，但在一片晶圓上要進(jìn)行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長(zhǎng)，成本會(huì)大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為避免摩爾定律面臨極限挑戰(zhàn)，因此積極投入EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)開發(fā)，延續(xù)半導(dǎo)體制程微縮、大幅降低成本的步伐。

　　2012年ASML發(fā)起的「客戶聯(lián)合投資專案」(Customer Co-Investment Program)，獲得全球三大半導(dǎo)體客戶臺(tái)積電、英特爾(Intel)和三星電子(Samsung Electronics)投資，共同開發(fā)EUV機(jī)臺(tái)技術(shù)和18寸晶圓的微影設(shè)備。

　　ASML認(rèn)為EUV瓶頸是在光源上，因此2012年也購(gòu)并光源供應(yīng)商Cymer，積極提升光源效率，讓EUV機(jī)臺(tái)可應(yīng)用在實(shí)際量產(chǎn)上。