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EUV微影前進7nm制程,5nm仍存在挑戰(zhàn)
- EUV微影技術將在未來幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過,根據(jù)日前在美國加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示,實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術將在未來幾年內導入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點。 不過,根據(jù)日前在美國加州舉辦的年度產業(yè)策略研討會(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示,實現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
- 關鍵字: EUV 7nm
EUV面臨的問題和權衡
- 新的光刻工具將在5nm需要,但薄膜,阻抗和正常運行時間仍然存在問題。 Momentum正在應用于極紫外(EUV)光刻技術,但這個談及很久的技術可以用于批量生產之前,仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。 EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節(jié)點推向下一個階段。 如今,GlobalFoundries,英特爾,三星和臺積電相互競爭,將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
- 關鍵字: EUV
KLA-Tencor宣布推出針對光學和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM產品線
- 今天,KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測產品線。自從1978年公司推出第一臺檢測系統(tǒng)以來,KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測的主要供應商,新的FlashScan產品線宣告公司進入專用空白光罩的檢驗市場。光罩坯件制造商需要針對空白光罩的檢測系統(tǒng),用于工藝開發(fā)和批量生產過程中的缺陷檢測,此外,光罩制造商(“光罩廠”)為了進行光罩原料檢測,設備監(jiān)控和進程控制也需要購買該檢測系統(tǒng)。 FlashScan系統(tǒng)可以檢查針對光學或極紫外(EUV)光刻的空白光罩。
- 關鍵字: KLA-Tencor EUV
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