high na euv 文章 最新資訊
EUV光刻，新的對手
- 最近，美國勞倫斯利弗莫爾國家實(shí)驗(yàn)室（LLNL）宣布開發(fā)出了一種名稱為大孔徑銩（BAT）激光器，這種激光器比現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn) CO2 激光器將 EUV 光源提高約 10 倍。這一進(jìn)步，可能為新一代「超越 EUV」的光刻系統(tǒng)鋪平道路，從而生產(chǎn)出更小、更強(qiáng)大、制造速度更快、同時耗電量更少的芯片。簡而言之，美國開發(fā)的新一代 BAT 激光器，遠(yuǎn)超現(xiàn)在的 EUV 光刻，能夠?qū)⑿侍嵘?10 倍。EUV 光刻有多強(qiáng)？目前來看，沒有 EUV 光刻，業(yè)界就無法制造 7nm 制程以下的芯片。EUV 光刻機(jī)也是歷史上最復(fù)雜、最
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納米壓印光刻技術(shù)旨在挑戰(zhàn)EUV
- 9 月，佳能推出了這項(xiàng)技術(shù)的第一個商業(yè)版本，有朝一日可能會顛覆最先進(jìn)的硅芯片的制造。它被稱為納米壓印光刻 （NIL），能夠?qū)π≈?14 納米的電路特征進(jìn)行圖案化，使邏輯芯片能夠與目前正在量產(chǎn)的 Intel、AMD 和 Nvidia 處理器相媲美。NIL 系統(tǒng)提供的優(yōu)勢可能會挑戰(zhàn)價值 1.5 億美元的機(jī)器，這些機(jī)器在當(dāng)今先進(jìn)的芯片制造中占據(jù)主導(dǎo)地位，即極紫外 （EUV） 光刻掃描儀。如果佳能是正確的，其機(jī)器最終將以極低的成本提供 EUV 質(zhì)量的芯片。該公司的方法與 EUV 系統(tǒng)完全不同，后者完全由總部位于荷
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中芯沒EUV是好事？外媒爆自產(chǎn)DUV大突破
- 荷蘭芯片設(shè)備制造巨擘ASML執(zhí)行長?？耍–hristophe Fouquet）表示，盡管中國大陸企業(yè)如中芯國際近年來在半導(dǎo)體領(lǐng)域有顯著進(jìn)展，但由于無法取得最先進(jìn)的極紫外光微影設(shè)備（EUV），芯片制程技術(shù)仍落后臺積電、三星等代工龍頭約10至15年。Tom's Hardware報導(dǎo)，?？私邮芎商m《鹿特丹商報》（NRC）采訪時指出，中芯國際和華為僅使用深紫外光曝光設(shè)備（DUV），在成本效益上無法與臺積電的制程技術(shù)相提并論。他認(rèn)為，美國政府祭出的禁止EUV出口中國大陸禁令確實(shí)有效，讓中國落后西方約15 年
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移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運(yùn)營商認(rèn)證
- 近日，全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應(yīng)商移遠(yuǎn)通信宣布，其旗下符合3GPP R17標(biāo)準(zhǔn)的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運(yùn)營商認(rèn)證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢，該模組可滿足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關(guān)、移動熱點(diǎn)、高清視頻直播等FWA應(yīng)用對高速、穩(wěn)定5G網(wǎng)絡(luò)的需求。移遠(yuǎn)通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運(yùn)營商認(rèn)證此前，RG650V系列已通過了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認(rèn)證，此次再獲北美兩項(xiàng)認(rèn)證，表明該模組已全面取得北美運(yùn)營商的認(rèn)可，標(biāo)志著搭
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ASML凈銷售額75億歐元，凈利潤為21億歐元，預(yù)計2024年全年凈銷售額約為280億歐元
- 阿斯麥（ASML）近日發(fā)布2024年第三季度財報。2024年第三季度，ASML實(shí)現(xiàn)凈銷售額75億歐元，毛利率為50.8%，凈利潤達(dá)21億歐元。今年第三季度的新增訂單金額為26億歐元2，其中14億歐元為EUV光刻機(jī)訂單。ASML預(yù)計2024年第四季度的凈銷售額在88億至92億歐元之間，毛利率介于49%到50%，2024年全年的凈銷售額約為280歐元。ASML還預(yù)計，2025年的凈銷售額在300億至350億歐元之間，毛利率介于51%到53%。ASML 2024年第三季度財報一覽（除非特別說明，數(shù)字均以百萬歐元
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英特爾計劃與日本 AIST 合作建立芯片研究中心
- IT之家 9 月 3 日消息，日經(jīng)報道稱，英特爾將與日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（AIST）在日本建立芯片研發(fā)基地，新設(shè)施將在三到五年內(nèi)建成，配備極紫外線光刻（EUV）設(shè)備?！?圖源：英特爾設(shè)備制造商和材料公司將付費(fèi)使用該設(shè)施進(jìn)行原型設(shè)計和測試。據(jù)介紹，這將是日本第一個行業(yè)成員能夠共同使用極紫外光刻設(shè)備的中心。IT之家查詢獲悉，產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所隸屬經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省，是日本一家設(shè)法使用集成科學(xué)和工程知識來解決日本社會和經(jīng)濟(jì)發(fā)展需要的研究機(jī)構(gòu)，總部位于東京，2001 年成為獨(dú)立行政機(jī)構(gòu)的一個新設(shè)計的法律機(jī)構(gòu)。
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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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極紫外光刻新技術(shù)問世，大幅降本增效
- 日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)設(shè)計了一種極紫外（EUV）光刻技術(shù)，超越了半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限。
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臺積電不用當(dāng)盤子了？日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾（ASML）是半導(dǎo)體設(shè)備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進(jìn)芯片，都需采用ASML制造商生產(chǎn)的昂貴極紫外光曝光機(jī)（EUV），根據(jù)《Tom's Hardware》報導(dǎo)，日本科學(xué)家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產(chǎn)成本。報導(dǎo)指出，沖繩科學(xué)技術(shù)學(xué)院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機(jī)，相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設(shè)備大規(guī)模量產(chǎn)，可能重塑芯片制造設(shè)備產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況。值得關(guān)注的是，新系統(tǒng)在光學(xué)投影設(shè)定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
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價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計將支持公司新一代更強(qiáng)大的計算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備，安裝時間需要數(shù)月，預(yù)計可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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臺積電：仍在評估 High NA EUV 光刻機(jī)，采用時間未定
- IT之家 7 月 30 日消息，《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術(shù)。對此，臺積電海外營運(yùn)資深副總經(jīng)理暨副共同營運(yùn)長張曉強(qiáng)表示，仍在評估 High NA EUV 應(yīng)用于未來制程節(jié)點(diǎn)的成本效益與可擴(kuò)展性，目前采用時間未定?！?nbsp;ASML EXE:5000 High NA EUV 光刻機(jī)，圖源：ASML上個月，ASML 透露將在 2024 年內(nèi)向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機(jī)，價值達(dá) 3.8
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臺積電大舉拉貨EUV光刻機(jī)
- 臺積電依然是 EUV 設(shè)備的最大買家。臺積電 2nm 先進(jìn)制程產(chǎn)能將于 2025 年量產(chǎn)，設(shè)備廠正如火如荼交機(jī)，尤以先進(jìn)制程所用之 EUV（極紫外光刻機(jī)）至為關(guān)鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之下，ASML 2025 年交付數(shù)量增長將超過 3 成，臺廠供應(yīng)鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。設(shè)備廠商透露，EUV 設(shè)備供應(yīng)吃緊，交期長達(dá) 16~20
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