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          據(jù)報道，三星在 2025 年上半年 DRAM 市場份額降至 33%，押注 HBM 和 DDR5 復蘇
          
                                                            
            
                    	
          • 三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據(jù)韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發(fā)布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM  存儲                          
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          走進芯片：CMOS反相器
          
                                                            
            
                    	
          • 以一個實際的CMOS反相器實物為例，從逆向的角度出發(fā)，為大家簡單介紹其在芯片中的具體呈現(xiàn)形式。通過這一過程，希望能夠幫助各位讀者在后續(xù)的逆向工程實踐中，快速而準確地判斷出CMOS反相器，從而為深入分析芯片的整體架構和功能奠定堅實的基礎。在芯片的微觀世界中，CMOS反相器通常由一個P型MOSFET和一個N型MOSFET組成。這兩個晶體管的源極和漏極分別相連，形成一個互補對稱的結構。當輸入信號為低電平時，N型MOSFET處于關閉狀態(tài)，而P型MOSFET則導通，電流從電源流向輸出端，使得輸出端呈現(xiàn)高電平；反之，
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          • 關鍵字：
                        CMOS  圖像傳感器  ISP                          
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          GlobalFoundries 與中國代工廠合作，進行本地化汽車級 CMOS 生產
          
                                                            
            
                    	
          • 盡管第三季度前景疲軟，受消費者需求低迷影響，但 GlobalFoundries 正在中國采取大膽行動。這家芯片制造商通過與新代工廠的新協(xié)議，正在加速其“中國為中國”戰(zhàn)略，首期將啟動汽車級 CMOS 和 BCD 技術，根據(jù)其 新聞稿 和 IT Home 的報道。如 IT之家所強調，并援引公司高管的話，目標訂單來自在中國有需求的國內外半導體公司——在轉移代工廠時，無需客戶重新開發(fā)或重新認證其芯片設計。根據(jù)來自 Seeking Alpha 的財報記錄，
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          • 關鍵字：
                        CMOS  汽車電子  傳感器                          
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          CMOS 2.0：后納米芯片時代的分層邏輯
          
                                                            
            
                    	
          • 五十多年來，半導體行業(yè)一直依賴一個簡單的方程式——縮小晶體管，在每片晶圓上封裝更多晶體管，并隨著成本的下降而看到性能飆升。雖然每個新節(jié)點在速度、能效和密度方面都提供了可預測的提升，但這個公式正在迅速耗盡。隨著晶體管接近個位數(shù)納米工藝，制造成本正在飆升，而不是下降。電力傳輸正在成為速度與熱控制的瓶頸，定義摩爾定律的自動性能提升正在減少。為了保持進步，芯片制造商已經(jīng)開始抬頭看——字面意思。他們不是將所有內容都構建在一個平面上，而是垂直堆疊邏輯、電源和內存。雖然 2.5D 封裝已經(jīng)將其中一些投入生產，將芯片并排
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          • 關鍵字：
                        CMOS 2.0  納米  分層邏輯                          
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          內存現(xiàn)貨價格更新：DDR4 價格下滑放緩，韓國內存制造商引發(fā)大幅漲價
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) TrendForce 最新內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DDR4，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了顯著的月度價格上調，之前的價格下跌趨勢有所緩解。至于 NAND 閃存，高容量產品受到買方和賣方預期價格差異的限制，實際交易中變得稀缺。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：關于 DDR4 產品的現(xiàn)貨價格，由于兩家主要韓國供應商對消費級 DRAM 芯片實施了大幅度的月度漲價，之前的價格下跌趨勢有所緩和。目前，DDR4 市場顯示現(xiàn)貨價格已停止下跌，交易量有明顯增加。轉向 DDR5 產品，隨著合約價
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          • 關鍵字：
                        存儲  DRAM  DDR4                          
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          DDR6 預計將于 2027 年大規(guī)模應用，據(jù)報道內存巨頭已最終完成原型設計
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著 JEDEC 于 7 月 9 日發(fā)布 LPDDR6 標準，內存巨頭正競相滿足來自移動和 AI 設備的激增需求。值得注意的是，據(jù)行業(yè)消息人士援引 商業(yè)時報 的報道，DDR6 預計將于 2027 年進入大規(guī)模應用。領先的 DRAM 制造商，包括三星、美光和 SK 海力士，已經(jīng)啟動了 DDR6 開發(fā)，重點關注芯片設計、控制器驗證和封裝模塊集成。正如商業(yè)時報所述，三大主要 DRAM 制造商已完成 DDR6 原型芯片設計，現(xiàn)在正與內存控制器和平臺參與者如英特爾和 AMD 合作進行接口測試。在
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          • 關鍵字：
                        DDR6  DRAM  存儲                          
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          中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產
          
                                                            
            
                    	
          • 中國存儲半導體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導體市場的影響力，在大約一年后將其產能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內存開始在三星電子和 SK 海力士主導的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內市場需求和政府補貼的推動下，中國內存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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          • 關鍵字：
                        CXMT  YMTC  DRAM  NAND                          
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          SK 海力士據(jù)報道將 DDR4/ LPDDR4X 合同價格上調 20%，因 Q3 需求保持強勁
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著內存制造商逐步淘汰 DDR4，預計出貨將在 2026 年初結束，合同價格持續(xù)上漲。據(jù)中國的 華爾街見聞 報道，SK 海力士已將 DDR4 和 LPDDR4X 內存的合同價格上調約 20%，標志著新一輪價格上漲。這種趨勢與 TrendForce 的發(fā)現(xiàn)相呼應，該機構指出，三大主要 DRAM 供應商正在將產能重新分配給高端產品，并逐步淘汰 PC、服務器級 DDR4 和移動 LPDDR4X。因此，據(jù) TrendForce 預測，2025 年第三季度主流 DRAM 的平
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          • 關鍵字：
                        DDR4  DRAM  存儲                          
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          全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
          
                                                            
            
                    	
          • 在高速視覺應用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關鍵角色。當設計需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時，僅僅關注分辨率或幀率遠遠不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機制——直接決定了能否無失真地“凍結”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權衡光學格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個重要的考慮因素是傳感器的預期應用。某些應用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應用
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          • 關鍵字：
                        安森美  CMOS  傳感器  HDR                          
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          內存現(xiàn)貨價格更新：16Gb DDR4 消費者內存價格上升，而 PC 內存失去動力
          
                                                            
            
                    	
          • 根據(jù) TrendForce 最新的內存現(xiàn)貨價格趨勢報告，關于 DRAM，16Gb DDR4 消費者內存芯片的現(xiàn)貨價格持續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等 PC 內存芯片則出現(xiàn)輕微回調。至于 NAND 閃存，供應商逐步釋放產能資源，加上中國國家補貼的減弱效應，導致現(xiàn)貨市場低迷。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：盡管過去一周現(xiàn)貨價格略有下降，但這主要反映了之前 DDR4 芯片價格的快速大幅上漲。整體供應仍然非常緊張。值得注意的是，16Gb DDR4 消費級 DRAM 芯片的現(xiàn)貨價格繼續(xù)上漲，而 8Gb DDR4 等
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          • 關鍵字：
                        內存  DDR4  DRAM                          
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          歷史性 DDR4 現(xiàn)貨價格飆升，據(jù)報道使 DDR5 翻倍，推動南亞科技的庫存暴利
          
                                                            
            
                    	
          • 上周，臺灣地區(qū)頂級 DRAM 制造商南亞科技據(jù)報道暫停了 DDR4 現(xiàn)貨報價，因為價格飆升。現(xiàn)在，隨著 DDR4 16Gb 芯片的價格幾乎是同等 DDR5 的兩倍——這是 DRAM 歷史上的第一次——該公司有望從其大量庫存中獲利，根據(jù)經(jīng)濟日報的最新數(shù)據(jù)，引用了 DRAMeXchange 的數(shù)據(jù)，DRAMeXchange 是一個趨勢力旗下的 DRAM 定價平臺。隨著三星、美光和中國芯片制造商縮減 DDR4 生產，南亞科技已成為該行業(yè)的主要供應商。據(jù)報告稱，南亞科技第一季度庫存飆升至創(chuàng)紀錄的 37.59 億新
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          • 關鍵字：
                        DDR4  DRAM  存儲                          
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          適用于DRAM和處理器的3D堆棧集成
          
                                                            
            
                    	
          • 東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展?！斑@些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發(fā)的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現(xiàn)了 10μm 的
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          • 關鍵字：
                        DRAM  處理器  3D堆棧集成                          
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          這一領域芯片，重度依賴臺積電
          
                                                            
            
                    	
          • 英特爾和三星正在研發(fā)先進的制程節(jié)點和先進的封裝技術，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺積電。大型語言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴展。更強大的 LLM 模型推動了需求，并需要更多的計算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機、CPU、存儲和 DRAM。目前，大約一半的半導體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會更高。臺積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導體領域幾乎占據(jù) 100% 的市場份額。臺積電生產：Nv
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          • 關鍵字：
                        CMOS                          
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          2D CMOS，下一個飛躍
          
                                                            
            
                    	
          • 二維材料憑借其原子級厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
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          • 關鍵字：
                        CMOS                          
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          臺灣地區(qū)的 DRAM 供應商南亞科技據(jù)報道暫停 DDR4 現(xiàn)貨價格報價，庫存緊張
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲，據(jù)報道，臺灣地區(qū)的主要供應商南亞科技已暫停報價，這表明供應緊張和需求增長，據(jù)經(jīng)濟日報報道。行業(yè)消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發(fā)生在現(xiàn)貨市場，而在合同市場，供應商正在囤積庫存并穩(wěn)步推高價格。TrendForce 的最新調查發(fā)現(xiàn)，由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購，服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務器 DDR4 合同價格預計環(huán)比將上漲
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          • 關鍵字：
                        DRAM  存儲  市場分析                          
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