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基于ST ASM330LHH MEMS Sensor系列的智能座艙高精度慣性導航方案
- 隨著汽車輔助駕駛和無人駕駛的發(fā)展，慣性導航越來越成為不可或缺的技術需求。在城市密集的高樓大廈下、復雜的高架下、冗長的地下隧道里，GPS信號因為受到遮擋和干擾，提供不了導航服務。這時候高精度的慣性導航就能很好彌補GPS信號丟失的不足，保證正常的導航行程。慣性導航IMU的核心是慣性傳感器，當慣性導航IMU安裝在車輛上時，它可以通過測是車輛運動的加速度和角速度來計算車輛的位移和方位角。 能夠填補GPS信號丟失的空白，為車輛提供高精度定位，確保車輛行駛安全。ST汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH系列，為先進的
- 關鍵字： ST ASM330LHH MEMS Sensor 智能座艙 高精度慣性導航
鎧俠公布藍圖：2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日，據(jù)媒體報道，日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍圖，目標2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度，預測到2027年達到1000層堆疊的目標是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示，公司計劃于2030至2031
- 關鍵字： 鎧俠 3D NAND堆疊
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關于3D DRAM技術的最新研究成果，展示了其在該領域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
- 關鍵字： SK海力士 3D DRAM
西門子推出Calibre 3DThermal軟件，持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析，幫助應對從芯片設計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設計工具，能夠在整個設計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件，可針對?3D?
- 關鍵字： 西門子 Calibre 3DThermal 3D IC
生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風功不可沒
- 最新一代人工智能或將開啟新一輪科技革命，全面提升各種人機交互體驗。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語音轉文字（STT）和自然語言處理（NLP）等音頻應用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應用質量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語言模型的生成式人工智能？還是說硬件依然功不可沒？就拿高信噪比（SNR）微機電系統(tǒng)（MEMS）麥克風來說，它為實現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|人機交互
- 關鍵字： NLP STT SNR MEMS 麥克風
邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業(yè)化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
- 關鍵字： 3D 內(nèi)存 存儲 三星
“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動
- 據(jù)賽微電子消息，近日，2023年度國家重點研發(fā)計劃“智能傳感器”重點專項“8英寸硅基壓電薄膜及壓電MEMS傳感器制造工藝平臺”項目啟動暨實施方案論證會在北京經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)召開。該項目由賽微電子控股子公司賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司牽頭，聯(lián)合武漢大學、蘇州大學、中國科學院空天信息創(chuàng)新研究院、中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、武漢敏聲新技術有限公司、北京智芯微電子科技有限公司、成都纖聲科技有限公司、上海矽?？萍脊煞萦邢薰镜葐挝还餐瑢嵤?。資料顯示，賽萊克斯微系統(tǒng)科技（北京）有限公司專業(yè)從事半導體晶
- 關鍵字： 傳感器 MEMS 賽微電子
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
- 關鍵字： 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預計今年量產(chǎn)
- 近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
- 關鍵字： 聯(lián)電 3D IC
如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領域似乎正在趨于融合。
- 關鍵字： 3D-IC
3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時
- 在 AI 服務器中，內(nèi)存帶寬問題越來越凸出，已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下，HBM 內(nèi)存很火，它相對于傳統(tǒng) DRAM，數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發(fā)展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內(nèi)存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
- 關鍵字： 3D DRAM
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