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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d 閃存

          3d 閃存 文章 最新資訊

          Micron35億美金押寶NAND閃存

          •    美國(guó)半導(dǎo)體廠商Micron美光表示,他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資,以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。     產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為,美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存,一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景,另外,美光也希望借此在和三星電子、東芝等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢(shì)地位。    美光之前和Intel合資成立IM Flash公司,目前的主營(yíng)業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
          • 關(guān)鍵字: Micron  NAND  單片機(jī)  美金  嵌入式系統(tǒng)  閃存  

          Spansion將CryptoFlash集成到處理器中

          • Spansion宣布將Discretix CryptoFlash集成到針對(duì)手機(jī)的Spansion安全處理器中  Spansion 宣布,Discretix的CryptoFlash™ 安全技術(shù)將集成到Spansion的安全處理器中,用于基于閃存的手機(jī)安全解決方案。Discretix位于以色列的尼坦亞,在針對(duì)閃存和便攜式產(chǎn)品方面,是嵌入式安全解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商。 Spansion基于內(nèi)存的手機(jī)安全解決方案適用于各類手機(jī)市場(chǎng),能夠保護(hù)珍貴的個(gè)人信息、內(nèi)容和
          • 關(guān)鍵字: CryptoFlash  Spansion  處理器  閃存  手機(jī)  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  

          飛思卡爾推出Power Architecture™技術(shù)MCU

          •   飛思卡爾半導(dǎo)體在微控制器(MCU)技術(shù)領(lǐng)域再次取得突破,進(jìn)一步推動(dòng)了下一代傳動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)和其它汽車(chē)控制應(yīng)用的創(chuàng)新步伐。該公司的旗艦產(chǎn)品MPC55xx 汽車(chē)控制系列的基礎(chǔ)是Power Architecture™技術(shù),現(xiàn)在新增了一款MPC5566 ——首款集成了3兆閃存的32位MCU。        MPC5566微控制器在當(dāng)今業(yè)界的MCU上嵌入了最大的閃存容量。通過(guò)滿足汽車(chē)應(yīng)用對(duì)更大嵌入式內(nèi)存的不斷增長(zhǎng)的需求,MPC5566能幫助
          • 關(guān)鍵字: Architecture™    MCU  Power  飛思卡爾  閃存  消費(fèi)電子  消費(fèi)電子  

          意法車(chē)用32-Mbit閃存演繹更高存取性能

          •  新技術(shù)給 M58BW32F帶來(lái)多項(xiàng)重要功能, 包括低壓操作、更高存取性能、靈活的保護(hù)機(jī)制 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼:STM)推出一個(gè)新的專門(mén)為汽車(chē)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)的升級(jí)版32-Mbit閃存芯片M58BW32F。新產(chǎn)品因?yàn)槟軌蛟谄?chē)的全程溫度范圍內(nèi)對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行高速存取操作,所以特別適合汽車(chē)客戶對(duì)傳動(dòng)系統(tǒng)和變速器控制模塊的需求,同時(shí)還適用于其它的配備了最新的32位微控制器的高性能汽車(chē)系統(tǒng)。 新產(chǎn)品M58BW32F采用先進(jìn)的0.11微米制造技術(shù),汲取了ST在獨(dú)立式和嵌入式閃存產(chǎn)品研發(fā)方面多年
          • 關(guān)鍵字: 32bit  32-bit  LBGA80封裝  ST  單片機(jī)  高速存取  汽車(chē)  汽車(chē)電子  嵌入式  嵌入式系統(tǒng)  閃存  意法半導(dǎo)體  封裝  汽車(chē)電子  

          三星8GB60納米閃存 用于便攜式播放設(shè)備

          •    三星在一個(gè)月內(nèi)將NAND的容量提高了四倍。     三星宣布,公司開(kāi)發(fā)出了一種8GB 的NAND閃存設(shè)備。這種新的高容量多級(jí)單元(MLC )閃存是基于60納米的制造工藝,與70納米的產(chǎn)品相比,60納米工藝可以讓產(chǎn)量提高25%。     有了這種最新的技術(shù),三星能夠向消費(fèi)者提供8GB 內(nèi)存的解決方案,它采用兩個(gè)4GB 模塊。新的NAND閃存將于今年第三季度面世。  
          • 關(guān)鍵字: 60納米  便攜式播放  三星  閃存  

          閃存市場(chǎng)混沌 現(xiàn)代與三星價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)

          •    美國(guó)東部時(shí)間7月13日(北京時(shí)間7月14日)消息:據(jù)業(yè)內(nèi)觀察員稱,市場(chǎng)上表現(xiàn)出來(lái)的NAND閃存價(jià)格即將上揚(yáng)的第一個(gè)信號(hào)還沒(méi)有維持多久,在高密iPod nano可能會(huì)延期發(fā)布的傳言中,7月份最新的主流芯片市場(chǎng)動(dòng)態(tài)已經(jīng)預(yù)示出NAND閃存的價(jià)格可能會(huì)再下跌10%。據(jù)業(yè)內(nèi)知情人士說(shuō),現(xiàn)代半導(dǎo)體公司和三星電子公司也都憋足了一口氣準(zhǔn)備展開(kāi)一場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)。       雖然Gartner Dataquest研究公司認(rèn)為計(jì)劃在今年四季度上市銷(xiāo)售的10-12GB
          • 關(guān)鍵字: 三星  閃存  現(xiàn)代  

          閃存8年內(nèi)有望在筆記本上代替硬盤(pán)使用

          •       三星電子在近日推出了首款閃存筆記本電腦。這款筆記本以32GB的NAND閃存完全替代了傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器。   早在去年9月,三星與希捷在閃存是否會(huì)全面取代硬盤(pán)技術(shù)上展開(kāi)爭(zhēng)論,三星高層預(yù)言,硬盤(pán)時(shí)代已步入黃昏,閃存時(shí)代即將來(lái)臨。希捷公司隨即反駁,認(rèn)為閃存完全替代硬盤(pán)還為時(shí)尚早。     從目前筆記本發(fā)展的趨勢(shì)來(lái)看,移動(dòng)性強(qiáng),省電等指標(biāo)已經(jīng)成為用戶購(gòu)買(mǎi)筆記本電腦時(shí)的重要考慮因素,未來(lái)筆記本將進(jìn)一步在不影響性能的前提下向輕薄化和長(zhǎng)電池使用時(shí)間發(fā)展,閃存
          • 關(guān)鍵字: 閃存  存儲(chǔ)器  

          英特爾稱不出售閃存業(yè)務(wù) 裁員下月出結(jié)果

          •       6月23日消息,據(jù)外電報(bào)道,針對(duì)當(dāng)前愈演愈烈的裁員傳聞,英特爾CEO歐德寧日前表示,最終的決定可能在下月財(cái)報(bào)分析師大會(huì)上宣布。    據(jù)英國(guó)媒體報(bào)道,由于幾個(gè)季度的持續(xù)低迷,英特爾今年4月宣布,將對(duì)公司業(yè)務(wù)進(jìn)行重組,其中包括裁員。此后,英特爾便先后關(guān)閉了蘇格蘭一小型工廠,取消了一光存儲(chǔ)平臺(tái)部門(mén),另外還將兩個(gè)閃存部門(mén)合二為一。    最近幾周,又有消息稱,英特爾最多可能裁員1.6萬(wàn)人。同時(shí),還將對(duì)部分業(yè)務(wù)進(jìn)行重組,例如出售閃業(yè)務(wù)門(mén)等。對(duì)此,歐德寧
          • 關(guān)鍵字: 閃存  英特爾  

          閃存VS硬盤(pán):消費(fèi)電子帶來(lái)“共榮”

          • 有國(guó)外媒體日前對(duì)包括硬盤(pán)和閃存在內(nèi)的存儲(chǔ)行業(yè)進(jìn)行了一番分析。分析認(rèn)為,硬盤(pán)和閃存之爭(zhēng)并不會(huì)帶來(lái)“你死我活”的局面,兩者通過(guò)相互競(jìng)爭(zhēng)、技術(shù)進(jìn)步,加上消費(fèi)電子市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求不斷擴(kuò)大,兩者的未來(lái)都很“光明”。   日立全球存儲(chǔ)技術(shù)公司的高級(jí)副總裁比爾
          • 關(guān)鍵字: 便攜式  閃存  消費(fèi)電子  硬盤(pán)  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  

          三星與索尼就長(zhǎng)期供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判

          •   三星電子近日證實(shí),正在就供應(yīng)NAND閃存問(wèn)題與索尼談判。三星發(fā)言人表示:“我們正在與包括索尼在內(nèi)的一些大公司就供應(yīng)NAND閃存進(jìn)行談判,但是目前還沒(méi)有確定任何細(xì)節(jié)。”         索尼希望獲得8G以上的NAND閃存,預(yù)計(jì)訂單將占到三星明年NAND總產(chǎn)量的五分之一以上。據(jù)稱雙方預(yù)計(jì)將在明年上半年簽約。蘋(píng)果電腦11月與三星簽署了五億美元的長(zhǎng)期協(xié)議,在2010年以前將一直從三星進(jìn)貨.
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          常憶推出新型高速SPI閃存

          •  常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz 的1Mb、2Mb、4Mb 串行外圍接口(SPI) 內(nèi)存,8Mb及16Mb也將在2006年推出,以供應(yīng)計(jì)算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫(yī)療監(jiān)控器、硬盤(pán)、光儲(chǔ)存(ODD)、無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、打印機(jī)、復(fù)雜可程序邏輯組件(CPLD)/現(xiàn)場(chǎng)可程序門(mén)陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商,提供球最高性能的串行外圍接口(SPI) 之串行閃存。    新一代的PM25LV
          • 關(guān)鍵字: SPI  常憶  高速  閃存  

          三星稱閃存市場(chǎng)06年再增30%

          •        韓國(guó)三星電子在CES展會(huì)上表示,由于便攜式音樂(lè)播放器等的廣泛流行,預(yù)計(jì)2006年的NAND閃存市場(chǎng)將出現(xiàn)大幅增長(zhǎng)。         三星電子閃存營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)副主管Don Barnetson表示,去年全球NAND閃存總銷(xiāo)售額達(dá)100億美元,2004年為70億美元,三星這一急劇增長(zhǎng)的市場(chǎng)中一直保持了60%的市場(chǎng)份額。    
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          閃存數(shù)字電視助IT產(chǎn)業(yè)在今年繼續(xù)復(fù)蘇

          •      據(jù)韓國(guó)三星經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè)稱,在數(shù)字電視和NAND閃存芯片強(qiáng)勁銷(xiāo)售的推動(dòng)下,2006年全球信息技術(shù)行業(yè)將繼續(xù)復(fù)蘇。         據(jù)Asia Pulse網(wǎng)站報(bào)道,三星經(jīng)濟(jì)研究所在一篇報(bào)告中稱,全球信息技術(shù)行業(yè)在2005年第二季度觸底之后已經(jīng)進(jìn)入了復(fù)蘇的軌道。在數(shù)字電視和NAND閃存芯片銷(xiāo)售的推動(dòng)下,IT行業(yè)在2006年將繼續(xù)復(fù)蘇。   &
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          SENSIO推出基于XILINX 3D視頻處理器

          •     雙方擴(kuò)展合作,利用賽靈思 90nm 可編程平臺(tái)的靈活性和低成本優(yōu)勢(shì)增強(qiáng) 3D 娛樂(lè)體驗(yàn)     賽靈思公司 (NASDAQ: XLNX) 與 SENSIO 3D 立體感處理器制造商 SENSIO 公司近日宣布將繼續(xù)開(kāi)展雙方已保持六年的合作。該合作已使雙方開(kāi)發(fā)出突破性的 3D 視頻處理技術(shù)。作
          • 關(guān)鍵字: 3D  SENSIO  XILINX  視頻處理器  

          采用Saifun NROM技術(shù)中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存

          •   中芯國(guó)際與Saifun半導(dǎo)體日前共同宣布,中芯國(guó)際將采用Saifun的NROM技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)閃存存儲(chǔ)卡。   Saifun的NROM技術(shù)在非易失內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域是一個(gè)突破。NROM技術(shù)將存儲(chǔ)能力提高到每個(gè)基本存儲(chǔ)單元四字節(jié),是一般基本存儲(chǔ)單元的兩倍多。不僅如此,NROM技術(shù)簡(jiǎn)化了存儲(chǔ)單元的器件模型,減少了生產(chǎn)步驟,降低了生產(chǎn)成本。   “閃存存儲(chǔ)卡市場(chǎng)對(duì)于我們未來(lái)的發(fā)展而言是一個(gè)重要的驅(qū)動(dòng)力,”中芯國(guó)際首席營(yíng)運(yùn)官M(fèi)arco Mora表示,“在雙方簽署的第二份協(xié)議中,我們將Saifun先進(jìn)的技術(shù)和中
          • 關(guān)鍵字: NROM  Saifun  閃存  中芯  
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          3d 閃存介紹

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