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          3d 閃存 文章 最新資訊

          三星產(chǎn)能轉(zhuǎn)向NAND閃存 公司市場份額猛增

          • iSuppli公司日前表示,2007年第2季度三星電子(Samsung)NAND閃存銷售額達(dá)到14億美元,比第1季度的12億美元增長18.9%。三星在2007年上半年將部分產(chǎn)能從DRAM轉(zhuǎn)向NAND閃存,該公司的NAND市場份額猛增至45.9%,比1季度的44.1%高幾乎兩個(gè)百分點(diǎn)。     iSuppli內(nèi)存/存儲系統(tǒng)首席分析師NamHyungKim表示,“三星第2季度表現(xiàn)強(qiáng)勁主要是按容量計(jì)算增長11%,出貨量增加歸功于擴(kuò)大蘋果iPhone和iPod等消
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  三星  NAND  閃存  消費(fèi)電子  

          歐盟批準(zhǔn)英特爾與意法半導(dǎo)體合并閃存業(yè)務(wù)

          • 英特爾和意法半導(dǎo)體(STMicro)合并雙方閃存部門的計(jì)劃周一獲得了歐盟委員會的批準(zhǔn)。該合并計(jì)劃得到了私募基金公司FranciscoPartners的支持。  這筆交易將有助于合并后的公司實(shí)現(xiàn)規(guī)模化運(yùn)營,解決閃存產(chǎn)品激烈的價(jià)格競爭,并可以使兩家公司擺脫這個(gè)給他們的利潤率帶來重壓的業(yè)務(wù)。雙方今年5月首次宣布了這樁交易。  根據(jù)交易條款,意法半導(dǎo)體將向新成立的公司出售其閃存資產(chǎn),英特爾將出售其NOR閃存資產(chǎn)及資源。做為交換,英特爾將得到合資企業(yè)45.1%的股權(quán)及4.32億美元現(xiàn)金,意法半導(dǎo)
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  ST  NOR  閃存  

          PISMO顧問委員會發(fā)布新2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)

          • 致力于簡化系統(tǒng)級存儲驗(yàn)證和測試的業(yè)界組織 PISMO顧問委員會近日宣布,PISMO 2.0多媒體標(biāo)準(zhǔn)已通過審批。這一針對目前PISMO2.0規(guī)范的全新多媒體擴(kuò)展版為芯片組和存儲供應(yīng)商增加了   MMC存儲接口支持,從而滿足手機(jī)和消費(fèi)產(chǎn)品中存儲豐富媒體內(nèi)容的需求。PISMO™顧問委員會于2004年由Spansion和ARM創(chuàng)建,目前共有15家成員公司。  新增MMC支持后,PISMO多媒體規(guī)范使設(shè)計(jì)者可以方便地在不同廠商提供的開發(fā)平臺上測試多種存
          • 關(guān)鍵字: PISMO  NOR  NAND  閃存  

          英特爾閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡

          • 美國英特爾2007年8月21日宣布,NOR閃存生產(chǎn)工藝將向65nm過渡。計(jì)劃2008年上半年面向客戶供應(yīng)樣品。該公司的閃存主要面向手機(jī)及數(shù)字家電等產(chǎn)品。該公司表示,生產(chǎn)工藝向65nm過渡將有利于提高性價(jià)比。  英特爾的閃存產(chǎn)品包括低成本產(chǎn)品“StrataFlash嵌入式存儲器”和“嵌入式閃存”以及串行產(chǎn)品“串行閃存”等。
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  NOR  閃存  

          盤點(diǎn)2006全球NOR閃存供應(yīng)商top 5

          •  2006年Spansion取代英特爾成為最大NOR閃存供應(yīng)商   市場調(diào)研公司iSuppli日前公布了2006年全年及第四季度五家最大NOR閃存供應(yīng)商的初步排名。    2006年全球NOR閃存供應(yīng)商排名      “盡管2006年NOR市場擴(kuò)張,但這年供應(yīng)商的日子并不好過。”iSuppli的資深分析師Mark DeVoss表示?!半m然2006年不象2005年那樣糟糕,但市場形勢仍然嚴(yán)峻。2005年總體NOR銷售額下降了15.5%,市場形勢依然嚴(yán)峻,所有
          • 關(guān)鍵字: NOR  閃存  Spansion  

          三星調(diào)高閃存價(jià)格 帶動內(nèi)存價(jià)格上升

          •  在三星向外界透露位于韓國的工廠于8月3日因故停產(chǎn)后,各廠商均密切關(guān)注該事件對NAND閃存價(jià)格造成的影響。業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升。    業(yè)界預(yù)測DRAM內(nèi)存合同價(jià)在8月還將上升,同時(shí)受三星電子上周一因某工廠停產(chǎn)的影響,NAND閃存的價(jià)格也持續(xù)攀升。三星近日提高了NAND閃存在現(xiàn)貨市場的價(jià)格,力晶半導(dǎo)體公司(Powerchip Semiconductor Corporation,PSC)因此也調(diào)高了eTT DRAM內(nèi)存的報(bào)價(jià)。   在三星向外界透露
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  

          三星停電事故造成NAND Flash供需更加吃緊

          •  NAND Flash供需出現(xiàn)進(jìn)一步緊繃的狀況。究其原因,除年底旺季需求增加外,最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故,導(dǎo)致市場產(chǎn)生供給量減少之預(yù)期亦是主因。然而合約價(jià)部份,由于廠商仍存在過度上漲,可能造成需求冷卻之疑慮。因此,即使上漲也應(yīng)止于小幅上揚(yáng)。    Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電,生產(chǎn)NAND Flash等之6條生產(chǎn)線全部停止運(yùn)轉(zhuǎn)。雖然4日恢復(fù)運(yùn)轉(zhuǎn),但原本部份制造中的產(chǎn)品將廢棄?,F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量,9月份實(shí)際供給
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          NAND閃存迎來大發(fā)展 新芯片工藝是轉(zhuǎn)折點(diǎn)

          • 據(jù)閃存技術(shù)的最大支持者之一稱,閃存將“接管”整個(gè)世界。   本周三,SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說,一方面,NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地,現(xiàn)在,它又對1.8英寸,甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構(gòu)成了威脅。   他說,NAND下一個(gè)大市場將是視頻,明年,市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機(jī)和拍照手機(jī)。明年,市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。   在未來的5-7年內(nèi),NAND還將開始取代DRAM。由于技
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          NAND缺貨潮空襲 存儲卡小廠幾乎倒一半

          • 2007年NAND Flash價(jià)格走勢戲劇化,但對下游廠商而言,可謂是幾家歡樂幾家愁,一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價(jià)格止跌反彈,終止長達(dá)1年的慘淡經(jīng)營時(shí)期;然對于產(chǎn)業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言,這波NAND Flash價(jià)格大漲的行情,反而不是什么好消息。因?yàn)樾S的拿貨能力有限,當(dāng)上游NAND Flash大廠供給一夕大減,連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時(shí),等于是宣判小廠正式出局!   業(yè)界表示,這波NAND Flash價(jià)格上漲除了是蘋果(Ap
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          Q2三星NAND Flash市占率43.9%

          •  集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名,南韓三星(Samsung)第二季市占率達(dá)43.9%,穩(wěn)居全球龍頭寶座,日本東芝 (Toshiba)居次,海力士 (Hynix)位居第三;包括三星等前三大廠合計(jì)市占率達(dá)85.5%,市場集中度高。集邦科技表示,第二季由于制造商暫緩產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,加上大廠們新制程技術(shù)轉(zhuǎn)換仍處調(diào)整期,因此整體NAND Flash位產(chǎn)出量僅維持與第一季相當(dāng)水平,不過受惠于產(chǎn)品價(jià)格止跌大幅彈升1成以上水平,帶動NANDFlash制造廠銷售
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  閃存  

          DRAM和NAND閃存價(jià)格上漲幅度開始回落

          • 閃存的合約價(jià)格在7月下半月繼續(xù)上漲,不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計(jì)第三季度價(jià)格將輕微上漲,同時(shí)出貨量也大幅提升了。同時(shí),NAND目前價(jià)格也呈現(xiàn)上升趨勢,這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。    DRAM報(bào)價(jià)一片漲聲   根據(jù)內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange(集邦電子)的數(shù)據(jù),在7月上半月,512Mb DDR2芯片的合約價(jià)格上漲了20%以上,不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。   DRAMeXchange表示,目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報(bào)價(jià)
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          手機(jī)與MP3 NAND Flash 市場需求過半

          • 集邦科技表示,手機(jī)及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產(chǎn)能最多的前兩大終端裝置,合計(jì)使用的NAND Flash將占市場需求端的一半以上,達(dá)52.1%,將是左右NAND Flash市場供需的關(guān)鍵。集邦科技指出,手機(jī)將是今年NAND Flash最大應(yīng)用市場,所占比重達(dá)27.3%,MP3/PMP播放器次之,約占24.8%;其中MP3/PMP播放器市場,iPod全球市占率超過一半以上,Apple因而是影響市場供需的關(guān)鍵廠商。至于手機(jī)市場方面,由于NAND&n
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  消費(fèi)電子  

          MP3、手機(jī)、DSC成NAND Flash應(yīng)用金三角

          •   NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴(kuò)散,從過去由數(shù)碼相機(jī)(DSC)獨(dú)霸應(yīng)用端型態(tài),近期已轉(zhuǎn)變成MP3播放器、手機(jī)、DSC金三角撐起一片天局面,3者合計(jì)占NAND Flash應(yīng)用達(dá)80%,隨身碟應(yīng)用則緊追在后;值得注意的是,自2007年第3季起,由于插卡式手機(jī)快速普及,使得手機(jī)占NAND Flash應(yīng)用比重已正式超過MP3播放器。   目前NAND Flash應(yīng)用主要包括DSC、MP3播放器、手機(jī)、隨身碟和其它應(yīng)用,其中,DSC、MP3播放器、手機(jī)等3項(xiàng)領(lǐng)域共占
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          Nand Flash合約價(jià)大漲 模塊廠樂透

          • 集邦科技最新報(bào)告指出,伴隨需求持穩(wěn)放大,加上DRAM、FLASH產(chǎn)能供給調(diào)整趨于平衡,NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象,七月上旬NANDFLASH合約報(bào)價(jià),SLC大漲15%至30%之多%。集邦認(rèn)為,依照當(dāng)前掌握數(shù)據(jù)觀察,整體NAND Flash需求將在第三季超過供給,下半年NAND Flash將供不應(yīng)求,第三季、第四季供給缺口各約0.3%、1.5%。 模塊廠勁永指出,F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌,因上游國際大廠SLC及MLC制程轉(zhuǎn)換影響,五月份下旬價(jià)格才開始緩步
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          iPhone銷售將影響NAND Flash市場供需

          • NAND flash方面,由于iPhone內(nèi)部使用的NAND flash顆粒是以三星(Samsung)的產(chǎn)品為主,所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預(yù)估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右,而2008年iPhone的出貨量將占全球手機(jī)市場的1%左右,到達(dá)1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同,則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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          3d 閃存介紹

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