美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。  

　　產(chǎn)業(yè)分析師認為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計算機產(chǎn)品、消費電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當中保持優(yōu)勢地位。 

　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。IM Flash公司的競爭對手包括三星、Hynix、東芝以及部分臺灣廠商。美光和Intel希望合資公司在芯片工藝和產(chǎn)能上都不會輸于競爭對手。IM Flash將在NAND閃存工藝上率先釆用50nm工藝，在2008年底到2009年初，12英寸50nm NAND產(chǎn)品將投入量產(chǎn)。