3d 閃存文章最新資訊

最快NOR閃存+突破性接口，Spansion帶用戶體驗(yàn)“極

新春過后不久，Spansion又帶來了它的得意新作——Spansion® HyperBus™ 接口和基于該新接口的產(chǎn)品家族HyperFlash™ NOR閃存設(shè)備。據(jù)悉，搭載了
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Spansion完成對(duì)富士通微控制器和模擬業(yè)務(wù)部門收購

2013年 08月02日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今天宣布已經(jīng)完成對(duì)富士通半導(dǎo)體有限
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四種閃存設(shè)計(jì)優(yōu)劣點(diǎn)分析

由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產(chǎn)品之間的區(qū)別。在本文中，我
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LSI SandForce揭幕SHIELD閃存糾錯(cuò)技術(shù)

LSI SandForce詳細(xì)介紹了其下一代固態(tài)硬盤(SSD)控制器內(nèi)置的全新糾錯(cuò)方法，稱為SHIELD。SandForce在在加利福尼亞州圣克拉拉召開的Flash Memory Summit峰會(huì)上披
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Spansion 起訴旺宏電子侵犯其專利權(quán)

2013年 08 月 15 日，中國北京 — 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)今日宣布起訴臺(tái)灣旺宏電子股份有限
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3D NAND競爭火熱三星成市場最大贏家

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對(duì)電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對(duì)存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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3D NAND風(fēng)暴來襲，中國存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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面對(duì)大陸攻勢　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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東芝要做64層3D閃存：三星48層情何以堪？

　　三星3D V-NAND立體堆疊閃存行業(yè)聞名，而且已經(jīng)堆到了驚人的48層，工藝精良，不過據(jù)《日經(jīng)亞洲評(píng)論》報(bào)道，東芝正在謀劃多達(dá)64層的NAND閃存，比三星多三分之一! 　　7月15日，東芝舉辦了日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導(dǎo)體二廠的啟用儀式，并透露將在此生產(chǎn)48層堆疊閃存，并計(jì)劃2016財(cái)年(截止到2017年3月底)內(nèi)量產(chǎn)。　　這種閃存的成本和價(jià)格會(huì)比較高，但是因?yàn)槿萘靠梢宰龅母?，平均價(jià)格反而會(huì)更便宜，可用于從智能手機(jī)、固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心等各種領(lǐng)域，初期主要供應(yīng)持續(xù)增長的數(shù)據(jù)中心。
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東芝3D閃存芯片：存儲(chǔ)容量將提高三成

　　目前，越來越多的智能手機(jī)廠商，開始大幅度提高手機(jī)閃存的容量，市場對(duì)于閃存的需求和技術(shù)要求越來越高。據(jù)悉，日本東芝和韓國三星電子在閃存技術(shù)上存在激烈競爭，而東芝領(lǐng)先了一局，該公司即將大規(guī)模生產(chǎn)3D閃存。　　　　手機(jī)內(nèi)存越配越高　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞周六報(bào)道，本財(cái)年內(nèi)(明年三月底之前)，東芝公司將會(huì)投產(chǎn)最新一代的3D閃存，這將領(lǐng)先于閃存老對(duì)手三星電子。　　眾所周知的是，東芝因?yàn)樨?cái)務(wù)丑聞，公司運(yùn)營陷入了艱難境地，東芝也希望自己占據(jù)技術(shù)優(yōu)勢的閃存業(yè)務(wù)，能夠提振全公司的表現(xiàn)。
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東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競爭力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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