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          3d 閃存 文章 最新資訊

          PCB LAYOUT(4):3D PCB

          •   關(guān)于altium的3d模型,雖說沒有什么大用,但也有點小用,先上兩副3D PCB圖,看起來挺直觀的吧。           看起來還是比較直觀的,還可以生成.step文件,給我們的結(jié)構(gòu)工程師,這樣很容易看出是否與結(jié)構(gòu)干涉。那做這個3D模型難不難呢?其實非常簡單。   只要在自己原有的PCB庫中,添加一下3D模型就可以了,這樣原來PCB板上就會帶有3D模型,在2D視圖狀態(tài)下,按一下快捷鍵“3”就會切換到3D視圖狀態(tài)。   關(guān)于如何添加3D封裝,百度上
          • 關(guān)鍵字: PCB  LAYOUT  3D PCB  

          高交會上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

          •   全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。   東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  閃存  3D  201501  

          東芝:泄密了的閃存技術(shù)走勢

          •   全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%?! |芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  閃存  MLC  MMC  SLC  BENAND  

          基于iBeacon定位技術(shù)的智慧圖書館

          •   摘要:本項目遵循物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)架構(gòu),設(shè)計了智慧圖書館整體解決方案。它以iBeacon室內(nèi)定位、3D實境、移動互聯(lián)網(wǎng)、SaaS等技術(shù)為基礎(chǔ),實現(xiàn)了圖書館場景下的智能定位與導(dǎo)航服務(wù)、圖書館增強現(xiàn)實位置服務(wù)、3D運行監(jiān)管、角色個性化服務(wù)等功能。針對讀者,可以獲得圖書智能檢索、館內(nèi)定位與導(dǎo)航、消息推送、向工作人員求助等服務(wù);針對工作人員,使用Unity3D構(gòu)建圖書館場景,實時獲取圖書館內(nèi)讀者與館區(qū)信息,實現(xiàn)圖書館全境動態(tài)監(jiān)管。   引言   近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及相關(guān)技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用普及,圖書館服務(wù)
          • 關(guān)鍵字: iBeacon  物聯(lián)網(wǎng)  傳感網(wǎng)  3D  藍(lán)牙  RSSI  201501  

          無NAND之地:閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心?

          •   NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示,磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
          • 關(guān)鍵字: NAND  SSD  數(shù)據(jù)中心  閃存  

          SSD價格快速下滑 普及化只剩時間問題

          •   固態(tài)硬碟(SSD)價格正迅速下滑,3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴散,帶動儲存容量擴大,并加速SSD大眾化時代的來臨。   據(jù)ET News報導(dǎo),SSD將形成半導(dǎo)體新市場,價格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS資料指出,256GB容量的SSD平均價格在2014年第3季時為124美元,與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。   南韓業(yè)界認(rèn)為,目前價格69美元、容量128GB的SSD,在2015年價格將降低至50美元以下。   南韓Woor
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  SSD  TLC  

          日本“家電王國”風(fēng)光不再 黑白電全線潰退

          •   本企業(yè)不能再單純地依靠技術(shù)優(yōu)勢,正如中國企業(yè)也不能再單純地依靠勞動力成本優(yōu)勢一樣。   據(jù)路透社11月26日消息,日本索尼(SONY)與世界足聯(lián)(FIFA)的贊助合同今年年底即將到期,但是索尼因面臨公司重組,需要削減大筆開支的巨大壓力,所以不會續(xù)約贊助世界杯賽事。此合同將于今年的12月31日正式到期。   筆者搜索了索尼簽約足球的往事:8年前,SONY與FIFA簽署了一項8年的贊助合同,價值330億日元(折合2.79億美元)。這是運動史上金額最高的贊助合約之一,接近2004年歐洲杯贊助費用1億美元
          • 關(guān)鍵字: 索尼  3D  

          3D活體指紋識別 市場潛力大有可為

          •   據(jù)數(shù)據(jù)顯示,自 2002-2012年,中國生物識別行業(yè)的市場平均增長率都在60%以上,2012年市場規(guī)模達到60多億人民幣,而預(yù)計到2015年,中國生物識別行業(yè)的市場規(guī)模將可能達到100億以上。   目前,人們用于身份識別的生物特征主要有:手形、指紋、臉形、虹膜、視網(wǎng)膜、脈搏、耳廓等,行為特征有簽字、聲音、按鍵力度等。    ?   相對其他生物識別,指紋識別在身份認(rèn)證上擁有巨大優(yōu)勢。   更安全可靠: 我們平均每個指紋都有幾個獨一無二可測量的特征點,每個特征點都有大約七個特征
          • 關(guān)鍵字: 指紋識別  3D  

          閃存存儲技術(shù)迅速走向成熟

          •   閃存技術(shù)在中國這幾年已經(jīng)獲得突飛猛進的發(fā)展,正在迅速走向成熟,之前阻礙閃存普及的價格門檻,正在逐步降低,未來閃存的可靠性會和價格一齊下降,但我們能夠通過系統(tǒng)軟件來更好地實現(xiàn)閃存的利用價值?! artner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾  2013年的中國閃存市場  Gartner 大中華區(qū)數(shù)據(jù)中心架構(gòu)與管理首席分析師張瑾首先用數(shù)字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年,首先閃存顆粒,Gartner的研究表明,每GB的價格成本下降41%,這是一個非常大的下降的
          • 關(guān)鍵字: 閃存  

          數(shù)據(jù)經(jīng)濟時代 閃存能否成棟梁

          •   隨著互聯(lián)網(wǎng)、云計算、移動終端和物聯(lián)網(wǎng)的迅猛發(fā)展,全球數(shù)據(jù)量每兩年翻倍的速度增長,人們選用的存儲介質(zhì)也發(fā)生了較大的變化,到2020年全球數(shù)據(jù)總量將達到44ZB。如此高速增長的數(shù)據(jù),采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁?      俗話說:以史為鑒,可以知興替。回顧過往,存儲行業(yè)從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式,磁帶存儲沒有消亡,但磁盤占了主流。當(dāng)前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式,未來磁盤存儲不會消亡,但閃存勢必會占據(jù)
          • 關(guān)鍵字: 閃存  

          PMC FlashTec NVRAM:抓住閃存細(xì)分市場需求

          • 當(dāng)前,基于閃存的創(chuàng)新已經(jīng)成為數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域最大的熱點,市場上已經(jīng)涌現(xiàn)出五花八門的閃存產(chǎn)品。大家公認(rèn)閃存對于數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的加速效果十分明顯,無論是服務(wù)器內(nèi)部的固態(tài)硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經(jīng)在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域得到驗證,尤其是隨著閃存成本價格穩(wěn)步下降,閃存在數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢必然加快。同時,隨著云計算、大數(shù)據(jù)、社交網(wǎng)絡(luò)、移動化四大趨勢的來臨,超大型數(shù)據(jù)中心用戶對于加速的需求更進一步,傳統(tǒng)的閃存產(chǎn)品已經(jīng)不能較好滿足超大型數(shù)據(jù)中心用戶某些關(guān)鍵性應(yīng)用需求,超高性能的閃存產(chǎn)品成為這些超大型數(shù)據(jù)中
          • 關(guān)鍵字: Sandisk  閃存  

          干掉閃存 下代MRAM首次展示:快7倍

          •   近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存,已經(jīng)存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì),而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場?! RAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當(dāng)同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。  TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
          • 關(guān)鍵字: TDK  閃存  

          3D堆疊的TLC閃存敢用嗎?三星850 EVO來了

          • 三星早在7月初就宣布了新一代高端固態(tài)硬盤850 EVO,會采用3D立體堆疊的V-NAND TLC閃存顆粒,但卻一直沒有正式發(fā)布,相關(guān)資料也是從未公開。感謝幾家坐不住的美國電商,850 EVO慢慢揭開了面紗。嗯,2.5寸固態(tài)硬盤都是這副模樣,你還想看到啥?規(guī)格方面,目前了解到的是持續(xù)讀寫速度,最高分別可達550MB/s、520MB/s,已經(jīng)是SATA 6Gbps下的實際極限了,基本不可能再高。還有個無關(guān)痛癢的重量,0.29磅,大約是132克。850 EVO系
          • 關(guān)鍵字: 三星  3D  
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          3d 閃存介紹

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