3d 閃存文章最新資訊

2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過(guò)，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
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3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

　　觸摸屏的保護(hù)玻璃，又稱之為保護(hù)蓋，用來(lái)保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求，保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板的頂部，再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來(lái)越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng)，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來(lái)越重要，這也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開(kāi)發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。　　2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬(wàn)片，占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
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3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫(xiě)速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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逆天閃存設(shè)備　居然能將數(shù)據(jù)保存至少百年

　　據(jù)俄羅斯“衛(wèi)星”消息，俄羅斯經(jīng)濟(jì)與社會(huì)項(xiàng)目創(chuàng)新與發(fā)展社發(fā)布消息稱，俄羅斯Raidix公司將與日本松下共同開(kāi)發(fā)能將數(shù)據(jù)保存至少100年的創(chuàng)新閃存設(shè)備。　　目前，所有的閃存設(shè)備對(duì)數(shù)據(jù)的保存可以被認(rèn)為是暫時(shí)的，它們可以無(wú)錯(cuò)誤地保存數(shù)據(jù)5到10年，在此之后則需要將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到新的閃存中。　　日俄雙方公司均認(rèn)為，合作應(yīng)該是互利的。松下公司將向俄方提供自己處理“冷保存”(訪問(wèn)頻率不高)數(shù)據(jù)的freeze-ray技術(shù)，同時(shí)，Raidix公司的工作是將&ldquo
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華為閃存技術(shù)，不止快人一步

　　云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、移動(dòng)互聯(lián)正在改變世界。據(jù)預(yù)測(cè)，到2020年，全球移動(dòng)寬帶用戶將從2016年的40億基礎(chǔ)上，增加20億移動(dòng)寬帶用戶，全球大數(shù)據(jù)、大數(shù)據(jù)分析以及大數(shù)據(jù)技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模將高達(dá)2000億美元。　　華為在2016全球聯(lián)接指數(shù)中預(yù)測(cè)，2020年，數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代將全面來(lái)臨，屆時(shí)，大數(shù)據(jù)分析將無(wú)處不在，想象一下，數(shù)十億計(jì)的智能電話、數(shù)百萬(wàn)智能汽車(chē)、數(shù)百萬(wàn)智能無(wú)人機(jī)、數(shù)百萬(wàn)智能機(jī)器人在我們的身邊運(yùn)轉(zhuǎn)，遍布的物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等技術(shù)將給人們的生活帶來(lái)巨大的改變和驚喜。　　數(shù)據(jù)同樣在企業(yè)中蔓延，IDC預(yù)測(cè)，202
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3D Touch還不夠好用？蘋(píng)果可能另有其謀

任何一個(gè)行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，都有義務(wù)去推進(jìn)新技術(shù)的發(fā)展，隨著后續(xù)功能的適配，3D Touch的未來(lái)一片光明。
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醫(yī)療新巨頭誕生：6000萬(wàn)美元的大合并！

　　去年10月，全球3D打印醫(yī)療應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)3D Medical，與頂級(jí)醫(yī)學(xué)圖像處理技術(shù)開(kāi)商Mach7合并。如今，這樁交易已經(jīng)宣布完成，合并后的新公司被稱為Mach7 Technologies，并將在澳大利亞證交所上市，交易代碼M7T。　　據(jù)悉，3D Medical原本就以向醫(yī)生提供針對(duì)不同病人的3D打印各種定制器官和骨骼模型而知名;而Mach7的主要業(yè)務(wù)則是醫(yī)學(xué)影像技術(shù)。在這筆總額高達(dá)6000萬(wàn)美元的合并交易完成之后，新公司將會(huì)把總部設(shè)在澳洲的墨爾本。　　據(jù)了解，3D Medical和Ma
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存儲(chǔ)“芯”發(fā)展剖析3D NAND閃存市場(chǎng)現(xiàn)狀

國(guó)內(nèi)大力扶持存儲(chǔ)，各種巨額的投資項(xiàng)目爭(zhēng)議不小，但是為了存儲(chǔ)自主的未來(lái)，也值。
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東芝計(jì)劃投資3600億日元建設(shè)3D閃存新廠房

　　東芝近日公布聚焦能源、社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施、半導(dǎo)體存儲(chǔ)業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴(kuò)大在存儲(chǔ)業(yè)務(wù)上的投資。為擴(kuò)大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠(三重縣四日市市)的區(qū)域建造新廠房以及引進(jìn)生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會(huì)批準(zhǔn)。　　閃存廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)等產(chǎn)品，根據(jù)預(yù)測(cè)，以企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心為主的需求今后也將不斷擴(kuò)大。東芝四日市工廠將進(jìn)行改造以便于在3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)中，能夠高效利用與2D閃存通用的現(xiàn)有制造工序。在四
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春季上新朗科閃存盤(pán)集合完畢開(kāi)學(xué)季待你檢閱

　　新學(xué)期伊始，全國(guó)各地的大學(xué)生們也全部返校，開(kāi)始了新學(xué)期緊張的學(xué)習(xí)生活。新學(xué)期，新氣象，沒(méi)有一款得心應(yīng)手的閃存盤(pán)怎么“漲姿勢(shì)”呢?朗科閃存盤(pán)春季上新集合完畢，正在熱切期待你的檢閱!還有上班一族、商務(wù)人士，也來(lái)為自己選購(gòu)一款新裝備吧!　　　　U712C閃存盤(pán)　　朗科U712C作為一款閉著眼睛都能插上的閃存盤(pán)開(kāi)啟了閃存盤(pán)接口的革命，USB Type-C 新型接口讓你可隨心所欲的插入智能手機(jī)、平板電腦、筆記本，不用區(qū)分正反面，讓傻傻分不清的你再也不用
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投資10nm/3D NAND　晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%

　　國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動(dòng)2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長(zhǎng)3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長(zhǎng)13%，達(dá)421億美元。　　SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測(cè)2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲(chǔ)備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
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武漢新芯閃存芯片廠動(dòng)工中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)能否后來(lái)居上？

　　中國(guó)正打造一個(gè)世界級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲(chǔ)芯片。中國(guó)正斥資240億美元打造一個(gè)世界級(jí)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，將與一家美國(guó)公司合作生產(chǎn)廣泛用于電子設(shè)備的存儲(chǔ)芯片。　　武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC)發(fā)言人表示，武漢新芯周一將在湖北省武漢市動(dòng)工興建中國(guó)自己的首家閃存芯片工廠。這家芯片代工企業(yè)為中國(guó)政府所有。　　武漢新芯去年與美國(guó)閃存生產(chǎn)商Spansion Inc. (CODE)結(jié)成合作伙伴，共同研發(fā)下一代芯片技術(shù)。Spansion后來(lái)在一樁50億美元的全股票合并交易中被柏士半導(dǎo)體(C
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中國(guó)砸240億美元躍進(jìn)3D NAND閃存時(shí)代

國(guó)內(nèi)終于要有了存儲(chǔ)，剩下的問(wèn)題就是國(guó)產(chǎn)閃存應(yīng)該如何與三星、Intel、東芝們競(jìng)爭(zhēng)呢？初期的價(jià)格戰(zhàn)是不可避免的，但長(zhǎng)久來(lái)看還得是技術(shù)立足。
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東芝將投資3,600億日?qǐng)A擴(kuò)大閃存芯片生產(chǎn)

　　東芝公司(Toshiba Corp., 6502.TO, TOSSY)周四稱，將投資3,600億日?qǐng)A(合32億美元)，用于擴(kuò)大閃存芯片生產(chǎn)。這是東芝為保持與韓國(guó)對(duì)手三星電子(Samsung Electronics Co., 005930.SE)的競(jìng)爭(zhēng)能力而推出的最新舉措。　　東芝預(yù)計(jì)，在截至3月底的當(dāng)前財(cái)政年度內(nèi)，公司將出現(xiàn)巨額虧損。東芝正在進(jìn)行全方位的企業(yè)重組，包括削減數(shù)千個(gè)工作崗位和出售較小的部門(mén)等，旨在將重心放在半導(dǎo)體及核電廠業(yè)務(wù)上。　　東芝說(shuō)，這項(xiàng)3,600億日?qǐng)A的投資計(jì)劃將跨越未來(lái)三
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2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線？

　　為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。　　1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競(jìng)爭(zhēng)力　　與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲(chǔ)容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競(jìng)爭(zhēng)力。　
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