3d 閃存 文章 最新資訊
關于嵌入式閃存，你所不了解的那些事兒
- 多年來，汽車行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新一直推動著半導體行業(yè)的發(fā)展。根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)可知，汽車半導體市場的年收入已經(jīng)超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數(shù)字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內(nèi)部半導體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內(nèi)部半導體元件的總價值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數(shù)汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業(yè)和消費類應用領域的一系列產(chǎn)品中，并且是非易失性存儲器技術的
- 關鍵字： 嵌入式 閃存
半導體：創(chuàng)造“陜西速度”和“西安效率”
- 面對全球信息化加速發(fā)展，以電子信息為代表的新一代信息技術產(chǎn)業(yè)呈爆發(fā)式增長態(tài)勢。2016年陜西實現(xiàn)了新一代信息技術產(chǎn)業(yè)的持續(xù)高速增長，全年電子制造業(yè)總產(chǎn)值超過700億元，同比增長50%以上，其中半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術產(chǎn)業(yè)助力陜西在經(jīng)濟發(fā)展上實現(xiàn)“彎道超車”?半導體產(chǎn)業(yè)在其中又起了怎樣重要的推動作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。 西安高新區(qū)：聚焦新興產(chǎn)業(yè)帶動轉(zhuǎn)型升級 近年來
- 關鍵字： 集成電路 閃存
賽普拉斯與上海華力微電子共同宣布基于SONOS技術的55納米低功耗閃存產(chǎn)品
- 全球領先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導體公司與中國最先進的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產(chǎn)權相結合，為閃存產(chǎn)品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經(jīng)開始使用這項技術進行低功耗嵌入式閃存產(chǎn)品的試生產(chǎn)，針對藍牙低功耗和物聯(lián)網(wǎng)應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優(yōu)化，使其成為微控制器(MCU)和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用的
- 關鍵字： 賽普拉斯 閃存
三星 3D NAND 快閃存儲器新廠上半年投產(chǎn)
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。 三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。 新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器?？扉W存儲器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應用于數(shù)碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。 市調(diào)機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲
- 關鍵字： 三星 3D NAND
工序失衡！2017 DRAM內(nèi)存缺貨/漲價繼續(xù)蔓延
- 從2016年下半年開始，內(nèi)存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續(xù)擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài)，今年因為主要的DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃，全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外，群聯(lián)公司董事長潘建成也強調(diào)，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。 日前，金士頓董事長陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內(nèi)存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計劃
- 關鍵字： DRAM 閃存
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