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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 閃存

          3d 閃存 文章 最新資訊

          詳解Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟

          • 什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件,與場效應(yīng)管有相同
          • 關(guān)鍵字: Flash存儲(chǔ)器  閃存  

          閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)

          •   幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情,給業(yè)界帶來的極大的沖擊。在 PC 市場衰退后本就不多的 DIY 用戶,要么咬牙買高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然,市場也不是沒有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價(jià)的趨勢,有望持續(xù)到 2019 上半年。  DRAMeXchange 報(bào)告稱,2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷售價(jià)格,預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為,市場需求較低的情況下所增長的產(chǎn)能,是推動(dòng)這一趨勢的主要原因。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  DRAM  

          中國三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開始

          • 外界普遍認(rèn)為,中國存儲(chǔ)芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能,全球內(nèi)存閃存芯片市場的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  閃存  

          中國三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存:2019年開始

          •   對(duì)于關(guān)注國產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來說,從明年開始將會(huì)有實(shí)質(zhì)性的成果,因?yàn)殚L江存儲(chǔ)、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲(chǔ)都將量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱,2019年,中國大陸地區(qū)將有三家存儲(chǔ)芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前,長江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備的第一個(gè)訂單是,生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡,訂單規(guī)模為一萬套32層3D NAND閃存芯片?! ≡谛庐a(chǎn)品方面,長江存儲(chǔ)正在研發(fā)64層的3D NAND閃存,計(jì)劃在2018年年底前推出樣品?! 「L江存儲(chǔ)不同的是,晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說前者已經(jīng)
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  閃存  

          3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

          •   6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)。  基本半導(dǎo)體展臺(tái)以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào),獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?! ∪颡?dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)  展會(huì)期間,基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù),該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力,通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入,使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
          • 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體  3D SiC技術(shù)  碳化硅功率器件  

          被稱為中國“西部硅谷”的西安,在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域有哪些實(shí)力?

          • 對(duì)接資本市場,對(duì)接國家戰(zhàn)略,充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢,西安完全有可能創(chuàng)造出一個(gè)千億級(jí)的產(chǎn)業(yè)。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  閃存  三星  

          下半年閃存芯片行情疲軟:SSD價(jià)格或持續(xù)下滑

          •   TrendForce旗下專注存儲(chǔ)業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場分析報(bào)告,稱2018下半年,NAND Flash閃存市場的增長潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升,市場會(huì)處在一種供需平衡的局面,從而自然延續(xù)NAND Flash合同價(jià)的下降趨勢?! ?bào)告稱,由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期,所以在上半年,閃存市場已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢下,一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯?chǔ)芯片的擴(kuò)張,以避免價(jià)格走到崩盤的
          • 關(guān)鍵字: SSD  閃存  

          紫光對(duì)3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

          • 在“2018中國半導(dǎo)體市場年會(huì)暨IC中國峰會(huì)”上,紫光集團(tuán)有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告,介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間,紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  3D  NAND  自主可控  201807  

          賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案,助力汽車及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應(yīng)用

          • 全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:CY)日前宣布,正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領(lǐng)域,為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設(shè)計(jì)旨在打造無故障嵌入式汽車安全系統(tǒng),是首款符合ISO 26262 功能性安全標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標(biāo)準(zhǔn),在汽車和工業(yè)的極端溫度應(yīng)用環(huán)境中,仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  閃存  nor  

          閃存陣營戰(zhàn)火起,2018誰爭鋒!

          •   分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。   華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競爭當(dāng)中可謂橫空出世,較上年同期飆升十倍。與此同時(shí),NetApp的A系列產(chǎn)品銷售額亦增長超過四倍。   當(dāng)然,這兩輪飛躍主要源自相對(duì)較小的原有銷售份額——分別為730萬美元與4680萬美元。不過增長是實(shí)實(shí)在在的,如今華為公司銷售額已經(jīng)達(dá)到8410萬美元,這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機(jī)會(huì)。   相關(guān)數(shù)據(jù)來自NetApp公司的分析師日活動(dòng),并由富國銀行分析師Aaron Rakers整理
          • 關(guān)鍵字: 閃存  

          三星閃存工廠突發(fā)停電30分鐘:6000片晶圓報(bào)廢

          •   閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車道上,智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊,極大推進(jìn)了發(fā)展。不過,Digitimes 3月14日發(fā)回報(bào)道,3月9日,三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故,TechNews預(yù)計(jì)損失相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。   雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí),但依然損壞了5000~6000片晶圓,是三星3月產(chǎn)量的11%。   三星方面則表示,備用電源(設(shè)計(jì)為20分鐘)的有效啟動(dòng)應(yīng)對(duì)了突發(fā)狀況,所以不會(huì)對(duì)閃存運(yùn)營造成顯著影響。   據(jù)DRAMeXchange(集
          • 關(guān)鍵字: 三星  閃存  

          東芝閃存業(yè)務(wù)無法在三月底賣出

          •   去年,日本東芝公司和美國貝恩資本領(lǐng)軍的財(cái)團(tuán)達(dá)成協(xié)議,以180億美元變賣寶貴的閃存芯片業(yè)務(wù)。據(jù)外媒最新消息,這一交易無法在預(yù)期的三月底(本財(cái)年結(jié)束)獲得通過,但這將是東芝的一個(gè)好消息,東芝有望獲得更高的賣價(jià),或選擇上市。   據(jù)彭博社引述消息人士報(bào)道,目前中國政府相關(guān)部門正在審核東芝轉(zhuǎn)讓閃存業(yè)務(wù)的交易,目前仍然未批準(zhǔn),另外在三月底之前通過審批的可能性不大。   日本一位科技行業(yè)分析師表示,東芝在三月底之前完成這一交易的可能性非常微小,中國相關(guān)機(jī)構(gòu)不太可能執(zhí)行一個(gè)有利于東芝公司的時(shí)間表。   東芝是
          • 關(guān)鍵字: 東芝  閃存  

          中國閃存廠商與蘋果合作可望在該領(lǐng)域迅速取得成功

          •   據(jù)外媒報(bào)道指蘋果正與中國閃存廠商長江存儲(chǔ)商談采用后者生產(chǎn)的NAND flash芯片,后者預(yù)計(jì)今年底開始投產(chǎn)NAND flash芯片,剛剛投產(chǎn)就能獲得蘋果這個(gè)大客戶的青睞將有助于后者迅速在該領(lǐng)域取得成功。     閃存領(lǐng)域需要新的競爭者   在過去十幾年,在NAND flash領(lǐng)域占據(jù)優(yōu)勢的是三星、東芝等閃存廠商,幾大廠商合計(jì)占有全球NAND flash市場份額高達(dá)80%,在這些廠商當(dāng)中,三星以近四成的市場份額占有該市場第一位的市場份額。   過去幾年由于PC從傳統(tǒng)機(jī)械硬盤轉(zhuǎn)換為閃
          • 關(guān)鍵字: 閃存  蘋果  

          未來企業(yè)級(jí)閃存市場發(fā)展前景依然強(qiáng)勁

          •   近日,根據(jù)一份來自IDC最新的有關(guān)企業(yè)級(jí)SSD閃存市場的報(bào)告顯示,SSD企業(yè)級(jí)市場未來前景依然強(qiáng)勁,2016年到2021年期間,出貨量、收入和總出貨容量預(yù)計(jì)都會(huì)呈現(xiàn)顯著增長。IDC預(yù)計(jì)全球SSD出貨量的5年復(fù)合年增長率將達(dá)到15.1%。SSD行業(yè)收入預(yù)計(jì)到2021年達(dá)到336億美元,復(fù)合年增長率為14.8%。   SSD市場前景改善的關(guān)鍵因素是產(chǎn)品可用性的提升,以及更好的定價(jià)動(dòng)態(tài),因?yàn)檎麄€(gè)行業(yè)都在向3D NAND閃存過渡。IDC認(rèn)為,目前NAND閃存供應(yīng)的限制將在2018年開始減少,并進(jìn)一步推動(dòng)整個(gè)
          • 關(guān)鍵字: 閃存  

          投資機(jī)構(gòu)稱2018年半導(dǎo)體需求將放緩 良好業(yè)績難再重現(xiàn)

          •   半導(dǎo)體指數(shù)在兩年的上漲中上漲了92%。   投資者應(yīng)該有選擇性地選擇證券,并關(guān)注需求放緩。        分析人士認(rèn)為,不要指望今年半導(dǎo)體類股的領(lǐng)先市場表現(xiàn)會(huì)在2018年重演。   盡管近期出現(xiàn)拋售,費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)自2016年初以來已經(jīng)上漲了92%,并有望連續(xù)第二年超過所有11個(gè)標(biāo)準(zhǔn)普爾板塊,這是由于獲利增加和前所未有的整合期。   盡管這一趨勢并沒有令分析師們感到悲觀,但一些分析師建議投資者要謹(jǐn)慎選擇,并警惕需求放緩和庫存水平上升的跡象。   以下是分析師對(duì)2018年的看
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          3d 閃存介紹

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