18a 制程 文章 最新資訊
英特爾版 X3D 技術(shù)將至：18A-PT 芯片工藝官宣，14A 節(jié)點(diǎn)即將推出
- 4 月 30 日消息，英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州圣何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進(jìn)展。陳立武宣布，公司現(xiàn)在正在與即將推出的 14A 工藝節(jié)點(diǎn)（1.4nm 等效）的主要客戶進(jìn)行接觸，這是 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的后續(xù)一代。英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現(xiàn)在配備了公司增強(qiáng)版的背面電源傳輸技術(shù)，稱為PowerDirect。陳立武還透露，公司的關(guān)鍵 18A 節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于風(fēng)險生產(chǎn)階段，預(yù)計今年晚
- 關(guān)鍵字： 英特爾 X3D 18A-PT 芯片工藝 14A 晶圓廠代工 1.4nm
日本政府?dāng)M2025年成Rapidus股東，修法已通過
- 據(jù)日本共同通信社和日經(jīng)新聞報道，日本政府計劃在2025年下半年對半導(dǎo)體企業(yè)Rapidus出資1,000億日元，并成為其股東。這一計劃的法律基礎(chǔ)已經(jīng)確立，日本參議院于4月25日通過了《信息處理促進(jìn)法》等修正案，正式為相關(guān)支持鋪平道路。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省（經(jīng)產(chǎn)?。┲鞴艿男畔⑻幚硗七M(jìn)機(jī)構(gòu)（IPA）將新增金融業(yè)務(wù)，向民間金融機(jī)構(gòu)為下一代半導(dǎo)體企業(yè)提供債務(wù)擔(dān)保。這一機(jī)制將使日本政府能夠通過IPA對Rapidus進(jìn)行出資，出資對象將通過公開招募選定，預(yù)計為Rapidus。經(jīng)產(chǎn)省已在2025年度預(yù)算中預(yù)留了1,000億日元
- 關(guān)鍵字： 制程 Rapidus 晶圓代工
臺積電高歌猛進(jìn)，二線廠商業(yè)績承壓
- 作為全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)的龍頭，2024年臺積電全年合并營收達(dá)900億美元，同比增長30%；稅后凈利達(dá)365億美元，同比大幅增長35.9%。毛利率達(dá)到56.1%，營業(yè)利益率達(dá)45.7%，皆創(chuàng)歷史新高。2025年首季，臺積電的營運(yùn)表現(xiàn)遠(yuǎn)超市場預(yù)期。據(jù)晶圓代工業(yè)內(nèi)人士透露，臺積電首季毛利率達(dá)58.8%，且預(yù)計第二季毛利率有望介于57%-59%的高位區(qū)間；美元營收有望實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長13%、同比增長近40%。與之形成鮮明對比的是，二線代工廠首季營運(yùn)并未出現(xiàn)明顯回暖跡象。具體來看，聯(lián)電2025年首季合并營收為新臺幣578
- 關(guān)鍵字： 臺積電 市場分析 EDA 制程
英特爾18A工藝雄心遇挫？旗艦2納米芯片據(jù)稱將外包給臺積電生產(chǎn)
- 財聯(lián)社4月23日訊（編輯 馬蘭）據(jù)媒體報道，英特爾正委托臺積電使用其2納米制程生產(chǎn)Nova Lake CPU?？紤]到英特爾自己擁有18A工藝，且一直宣傳該工藝勝過臺積電的2納米技術(shù)，這份代工合同可能透露出一些引人深思的訊號。英特爾聲稱將為客戶提供最好的產(chǎn)品，而這可能是其將Nova Lake生產(chǎn)外包給臺積電的一個原因。但業(yè)內(nèi)也懷疑，既然18A工藝已經(jīng)投入了試生產(chǎn)，英特爾將生產(chǎn)外包可能是由于產(chǎn)能需求的驅(qū)動，而不是性能或回報等方面的問題。還有傳言稱，英特爾可能采取雙源戰(zhàn)略：既使用臺積電的2納米技術(shù)生產(chǎn)旗艦產(chǎn)品，
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 工藝 2納米芯片 臺積電
英特爾將在 2025 VLSI 研討會上詳解 18A 制程技術(shù)優(yōu)勢
- 4 月 21 日消息，2025 年超大規(guī)模集成電路研討會（VLSI Symposium）定于 2025 年 6 月 8 日至 12 日在日本京都舉行，這是半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂級國際會議。VLSI 官方今日發(fā)布預(yù)覽文檔，簡要介紹了一系列將于 VLSI 研討會上公布的論文，例如 Intel 18A 工藝技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于 Intel 3 制程，Intel 18A 節(jié)點(diǎn)在性能、能耗及面積（PPA）指標(biāo)上均實(shí)現(xiàn)顯著提升，將為消費(fèi)級客戶端產(chǎn)品與數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品帶來實(shí)質(zhì)性提升。英特爾聲稱，在相同電壓（1.1V）和復(fù)雜度條件下，I
- 關(guān)鍵字： 英特爾 2025 VLSI 18A 制程技術(shù)
AMD拿下臺積電2nm工藝首發(fā)
- 4月15日，AMD宣布其新一代Zen 6 EPYC處理器「Venice」正式完成投片（tape out），成為業(yè)界首款采用臺積電2nm（N2）制程技術(shù)的高效能運(yùn)算（HPC）處理器，預(yù)計將于明年上市。這也是AMD首次拿下臺積電最新制程工藝的首發(fā)，而以往則都是由蘋果公司的芯片首發(fā)。N2是臺積電首個依賴于全環(huán)繞柵極晶體管（Gate All Around，GAA）的工藝技術(shù)，預(yù)計與N3（3nm）相比，可將功耗降低24%至35%，或者在相同運(yùn)行電壓下的性能提高15%，同時晶體管密度是N3的1.15倍，這些提升主要得
- 關(guān)鍵字： AMD N2 制程 臺積電
英特爾宣布 18A 工藝節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險生產(chǎn)
- 英特爾的代工服務(wù)高級副總裁 Kevin O'Buckley 在 2025 年愿景大會上宣布了公司 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)展。?在 2025 年愿景會議上，英特爾今天宣布已進(jìn)入其 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的風(fēng)險生產(chǎn)，這是一個關(guān)鍵的生產(chǎn)里程碑，標(biāo)志著該節(jié)點(diǎn)現(xiàn)在處于小批量測試制造運(yùn)行的早期階段。英特爾的代工服務(wù)高級副總裁 Kevin O'Buckley 宣布了這一消息，因?yàn)橛⑻貭柤磳⑼耆瓿善洹八哪晡鍌€節(jié)點(diǎn)”（5N4Y） 計劃，該計劃最初由前首席執(zhí)行官帕特·基辛格 （Pat Gelsinger）
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 制程
英特爾18A制程搶單臺積電，瞄準(zhǔn)英偉達(dá)和博通
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，追兵英特爾來勢洶洶，瑞銀分析師Timothy Arcuri最新報告指出，英特爾在新任執(zhí)行長陳立武帶領(lǐng)下，著重發(fā)展半導(dǎo)體設(shè)計與代工能力，正積極爭取英偉達(dá)與博通下單18A制程。Timothy Arcuri表示，英偉達(dá)比博通更有機(jī)會下單英特爾晶圓代工，可能用于游戲產(chǎn)品，但效能與功耗仍是英偉達(dá)考慮的重點(diǎn)。 另一方面，英特爾透過改善先進(jìn)封裝技術(shù)，縮小與臺積電的差距，英特爾EMIB接近臺積電的CoWoS-L希望能吸引以英偉達(dá)為首的大客戶支持。此外，英特爾與聯(lián)電的合作相當(dāng)順利，最快可能在202
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 臺積電 英偉達(dá) 博通
中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)！
- 3月24日消息，中國科學(xué)院（CAS）研究人員成功研發(fā)突破性的固態(tài)深紫外（DUV）激光，能發(fā)射 193 納米的相干光（Coherent Light），與當(dāng)前被廣泛采用的DUV曝光技術(shù)的光源波長一致。相關(guān)論壇已經(jīng)于本月初被披露在了國際光電工程學(xué)會（SPIE）的官網(wǎng)上。目前，全球主要的DUV光刻機(jī)制造商如ASML、Canon和Nikon，均采用氟化氬（ArF）準(zhǔn)分子激光技術(shù)。這種技術(shù)通過氬（Ar）和氟（F）氣體混合物在高壓電場下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193納米波長的光子。這些光子以短脈沖、高能量形式發(fā)射，輸出功
- 關(guān)鍵字： 制程 DUV光刻機(jī)
Intel首批18A工藝晶圓投產(chǎn)，大批量生產(chǎn)可能比預(yù)期更早
- Intel新CEO陳立武上任之際，Intel工廠傳出了捷報，位于亞利桑那州的新晶圓廠的Intel 18A工藝開始初始批量生成，新工藝的量產(chǎn)計劃有望提早實(shí)現(xiàn)。Intel工程經(jīng)理Pankaj Marria在LinkedIn的帖子中以“雄鷹已著陸”為喻，強(qiáng)調(diào)這一節(jié)點(diǎn)開發(fā)是先進(jìn)制程研發(fā)的重要里程碑。從中我們了解到Intel 18A節(jié)點(diǎn)已開始批量生產(chǎn)首批晶圓，供客戶進(jìn)行測試與評估。這標(biāo)志著英特爾18A節(jié)點(diǎn)的工藝設(shè)計套件（PDK）正式進(jìn)入1.0版本，客戶已開始利用該套件進(jìn)行定制芯片的測試。Intel 18
- 關(guān)鍵字： Intel 18A 晶圓
即使18A得到提升，英特爾也會繼續(xù)使用臺積電的服務(wù)
- 盡管英特爾希望減少對臺積電制造服務(wù)的使用，但該公司將在可預(yù)見的未來繼續(xù)從這家總部位于中國臺灣的代工廠訂購芯片，一位高級管理人員昨天在一次技術(shù)會議上表示。英特爾的宏偉計劃是在英特爾代工內(nèi)部生產(chǎn)盡可能多的產(chǎn)品，但由于這可能不是最佳策略，它目前正在評估其產(chǎn)品的百分比應(yīng)該在臺積電生產(chǎn)?！拔艺J(rèn)為一年前我們在談?wù)摫M快將[TSMC的使用量]降至零，但這已經(jīng)不是策略了，”英特爾企業(yè)規(guī)劃和投資者關(guān)系副總裁John Pitzer在摩根士丹利技術(shù)、媒體和電信會議上說。“我們認(rèn)為，至少與臺積電合作的一些晶圓總是好的。他們是一個很
- 關(guān)鍵字： 18A 英特爾 臺積電
2納米制程競爭 臺積電穩(wěn)步向前或芒刺在背？
- 在半導(dǎo)體制程技術(shù)的競賽中，2納米制程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。 臺積電（TSMC）正在積極研發(fā)2納米制程，于2024年開始試產(chǎn)，并計劃于2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。 臺積電將在2納米節(jié)點(diǎn)引入GAA（環(huán)繞柵極）納米片晶體管技術(shù)，這是從傳統(tǒng)的FinFET轉(zhuǎn)向新一代晶體管架構(gòu)的重大轉(zhuǎn)變。 臺積電也計劃興建2納米晶圓廠，以滿足未來的生產(chǎn)需求。臺積電在制程技術(shù)上一直保持領(lǐng)先，擁有穩(wěn)定的制造流程和廣泛的客戶基礎(chǔ)。 與蘋果、AMD、高通等大客戶的緊密合作，使其在市場上具有強(qiáng)大的影響力。 且需面對來自三星和英特爾在GA
- 關(guān)鍵字： 2納米 制程 臺積電
計劃上半年流片，英特爾18A制程準(zhǔn)備就緒
- 近日，英特爾宣布，其18A制程節(jié)點(diǎn)（1.8納米）已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，并計劃在今年上半年開始設(shè)計定案。該制程將導(dǎo)入多項先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。18A制程相較于英特爾3nm制程，可將芯片密度提升30%，并提高每瓦性能約15%。英特爾計劃將18A制程應(yīng)用于即將推出的Panther Lake筆電處理器與Clearwater Forest服務(wù)器CPU，這兩款產(chǎn)品預(yù)計將于年底前上市。18A制程的一大突破是PowerVia背面供電技術(shù)。該技術(shù)透過將粗間距金屬層與凸塊移至芯片背面，并采用納米級硅穿孔（through-silicon
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A 制程
英特爾18A節(jié)點(diǎn)SRAM密度與臺積電持平 背面功率傳輸是一大優(yōu)勢
- 英特爾在國際固態(tài)電路會議 (ISSCC) 上公布了半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的一些有趣進(jìn)展，展示了備受期待的英特爾 18A 工藝技術(shù)的功能。演示重點(diǎn)介紹了 SRAM 位單元密度的顯著改進(jìn)。PowerVia 系統(tǒng)與 RibbonFET (GAA) 晶體管相結(jié)合，是英特爾節(jié)點(diǎn)的核心。該公司展示了其高性能 SRAM 單元的堅實(shí)進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)了從英特爾 3 的 0.03 μm2 減小到英特爾 18A 的 0.023 μm2。高密度單元也顯示出類似的改進(jìn)，縮小到 0.021 μm2。這些進(jìn)步分別代表了 0.77 和
- 關(guān)鍵字： 英特爾 18A SRAM 臺積電
16/14nm也受限 但擋不住中國崛起！光刻機(jī)采購金額首次大幅下降
- 2月13日消息，雖然受到美國制裁，但中國一直是以光刻機(jī)為主的晶圓/芯片制造設(shè)備的最大采購國，而根據(jù)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)TechInsights的最新報告，2025年中國半導(dǎo)體廠商的采購將首次出現(xiàn)大幅下降。報告稱，2024年，中國對半導(dǎo)體制造設(shè)備的采購額為410億美元，而在2025年預(yù)計會降至380億美元，降幅超過7％。TechInsights認(rèn)為，這一方面是美國的出口管制政策越發(fā)收緊，另一方面是中國半導(dǎo)體本身不斷取得突破，同時芯片供應(yīng)超過了需求。30億美元的下降很大，不過380億美元的采購規(guī)模，仍然讓中國穩(wěn)居世
- 關(guān)鍵字： 12nm 芯片代工 芯片制造 制程
18a 制程介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條18a 制程!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對18a 制程的理解，并與今后在此搜索18a 制程的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對18a 制程的理解，并與今后在此搜索18a 制程的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
18a 制程相關(guān)帖子
18a 制程資料下載
18a 制程專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473