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imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
- 關鍵字： imec High-NA EUV DRAM
極紫外光刻新技術問世，大幅降本增效
- 日本沖繩科學技術大學院大學設計了一種極紫外（EUV）光刻技術，超越了半導體制造業(yè)的標準界限。
- 關鍵字： EUV
臺積電不用當盤子了？日本開發(fā)出更便宜EUV 撼動芯片業(yè)
- 荷商艾司摩爾（ASML）是半導體設備巨頭，臺積電等龍頭公司制造先進芯片，都需采用ASML制造商生產的昂貴極紫外光曝光機（EUV），根據《Tom's Hardware》報導，日本科學家已開發(fā)出簡化的EUV掃描儀，可以大幅降低芯片的生產成本。報導指出，沖繩科學技術學院（OIST）Tsumoru Shintake教授提出一種全新、大幅簡化的EUV曝光機，相比ASML開發(fā)和制造的工具更便宜，如果該種設備大規(guī)模量產，可能重塑芯片制造設備產業(yè)的現(xiàn)況。值得關注的是，新系統(tǒng)在光學投影設定中只使用兩面鏡子，與傳統(tǒng)的
- 關鍵字： 臺積電 EUV ASML
價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
- 關鍵字： Intel High NA EUV 光刻機 晶圓 8納米
臺積電大舉拉貨EUV光刻機
- 臺積電依然是 EUV 設備的最大買家。臺積電 2nm 先進制程產能將于 2025 年量產，設備廠正如火如荼交機，尤以先進制程所用之 EUV（極紫外光刻機）至為關鍵，今明兩年共將交付超過 60 臺 EUV，總投資金額上看超過 4000 億元新臺幣。在產能持續(xù)擴充之下，ASML 2025 年交付數量增長將超過 3 成，臺廠供應鏈沾光，其中家登積極與 ASML 攜手投入下一代 High-NA EUV 研發(fā)，另外帆宣、意德士、公準、京鼎及翔名等有望同步受惠。設備廠商透露，EUV 設備供應吃緊，交期長達 16~20
- 關鍵字： EUV
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