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DDR4瘋狂漲價(jià)，DRAM廠商爆賺
- 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，由于DDR4供應(yīng)減少，再加上市場(chǎng)神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現(xiàn)貨價(jià)等規(guī)格單日都暴漲近8%。本季以來(lái)報(bào)價(jià)已翻漲一倍以上，不僅跨過(guò)DRAM廠損益平衡點(diǎn)，更達(dá)到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報(bào)價(jià)大漲，甚至比更高規(guī)格的DDR5報(bào)價(jià)更高，呈現(xiàn)“價(jià)格倒掛”，業(yè)界直言：“至少十年沒(méi)看過(guò)現(xiàn)貨價(jià)單日漲幅這么大。”根據(jù)DRAM專業(yè)報(bào)價(jià)網(wǎng)站DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，6月13日晚間DDR4現(xiàn)貨價(jià)全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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價(jià)格再看漲！ 美光親證實(shí)DDR4將停產(chǎn)大缺貨
- 全球三大DRAM原廠確定從DDR4規(guī)格，轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程產(chǎn)品。 繼韓系兩大內(nèi)存業(yè)者先后釋出DDR4停產(chǎn)時(shí)程，美光（Micron）確定已向客戶發(fā)出信件通知DDR4將停產(chǎn)（EOL，End of Life），預(yù)計(jì)未來(lái)2~3季陸續(xù)停止出貨。美光執(zhí)行副總裁暨業(yè)務(wù)執(zhí)行長(zhǎng)Sumit Sadana接受DIGITIMES專訪表示，DDR4將繼續(xù)「嚴(yán)重缺貨」，未來(lái)美光DDR4/LPDDR4 DRAM，僅會(huì)策略性針對(duì)三大領(lǐng)域長(zhǎng)期客戶持續(xù)供應(yīng)，而DDR5/LPDDR5產(chǎn)品正進(jìn)入市場(chǎng)價(jià)格甜蜜點(diǎn)。美光同步釋出未來(lái)市場(chǎng)策略走向，會(huì)針對(duì)獲利
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美光開始向客戶提供HBM4內(nèi)存樣品 —36 GB容量和2 TB/s帶寬
- 美光本周宣布，該公司已開始向主要客戶運(yùn)送其下一代 HBM4 內(nèi)存的樣品。適用于下一代 AI 和 HPC 處理器的新內(nèi)存組件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的帶寬。美光的首批樣品是 12 層高器件，具有 36 GB 內(nèi)存，具有 2048 位寬接口以及約 7.85 GT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率。這些樣品依賴于采用該公司 1? （1-beta） DRAM 工藝技術(shù)制造的 24GB DRAM 器件，以及臺(tái)積電使用其 12FFC+（2nm 級(jí)）或 N5（5nm 級(jí)）邏輯工藝技術(shù)生產(chǎn)的邏輯基礎(chǔ)芯片。美光最新一代
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HBM4爭(zhēng)霸戰(zhàn)開打 美光領(lǐng)跑
- 生成式AI持續(xù)爆發(fā)，推升高帶寬記憶體（HBM）需求急遽攀升。 全球三大內(nèi)存廠—美光、SK海力士與三星電子全面投入HBM4戰(zhàn)局，爭(zhēng)搶AI加速器內(nèi)存主導(dǎo)權(quán)。 其中，美光搶先宣布送樣，技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)明顯。美光12日宣布，已將最新12層堆疊、容量達(dá)36GB的HBM4，送樣給多家全球客戶。 該產(chǎn)品采用先進(jìn)的1β DRAM制程，搭配2048位寬高速接口，單堆疊傳輸速率突破2.0 TB/s，效能較前一代HBM3E提升超過(guò)60%，能源效率亦提升逾20%，預(yù)計(jì)2026年正式量產(chǎn)。美光指出，HBM4具備內(nèi)存內(nèi)建自我測(cè)試（MBI
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美光出貨全球首個(gè)基于1γ的LPDDR5X 樣品，引領(lǐng)行業(yè)最薄的設(shè)計(jì)
- 隨著內(nèi)存巨頭加大對(duì) 10 納米級(jí) DRAM 的投入，美光于 6 月 3 日宣布，已開始運(yùn)送全球首款基于 1γ 節(jié)點(diǎn)的 LPDDR5X 內(nèi)存的認(rèn)證樣品，旨在增強(qiáng)旗艦智能手機(jī)的 AI 性能。正如 ZDNet 所指出的，1γ 工藝標(biāo)志著第六代 10nm 級(jí) DRAM，預(yù)計(jì)將在今年晚些時(shí)候加速量產(chǎn)。該節(jié)點(diǎn)的線寬約為 11 至 12 納米，在韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)通常稱為 1c DRAM。ZDNet 還指出，LPDDR5X 代表了目前市場(chǎng)上最先進(jìn)的一代低功耗 DRAM，主要應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備。根據(jù)美光的新聞
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美光為Motorola最新款Razr 60 Ultra注入AI創(chuàng)新動(dòng)能
- 美光科技今日（5?月?27?日）宣布，Motorola?最新功能強(qiáng)大的翻蓋手機(jī)Motorola Razr 60 Ultra采用美光高性能、高能效的LPDDR5X內(nèi)存以及先進(jìn)的UFS 4.0解決方案。該款智能手機(jī)搭載Motorola基于大型語(yǔ)言模型的AI功能Moto AI，美光的LPDDR5X和UFS解決方案為其提供了所需的容量、能效、速率和性能。美光企業(yè)副總裁暨手機(jī)和客戶端業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Mark Montierth表示：“美光LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0存儲(chǔ)解
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美光12hi HBM3e在CSP的強(qiáng)勁支持下，到8月出貨量可能超過(guò)8hi
- 當(dāng)三星全速推進(jìn)其 12hi HBM3e 驗(yàn)證和 HBM4 開發(fā)時(shí)，美光一直處于低調(diào)狀態(tài)。但據(jù) New Daily 報(bào)道，這家美國(guó)內(nèi)存巨頭正在悄然崛起——其 12hi HBM3e 良率正在迅速提高，贏得了主要 CSP 的好評(píng)。該報(bào)告援引美光在投資者會(huì)議上的言論，表明該公司對(duì) 12hi HBM3E 押下重注，并預(yù)計(jì)該產(chǎn)品最早在 8 月的出貨量將超過(guò)目前的 8hi HBM3e，目標(biāo)是在第三季度末達(dá)到穩(wěn)定的良率水平。此外，據(jù) New Daily 報(bào)道，由于 NVIDIA 可能會(huì)加快其下一代 R
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三大內(nèi)存廠持續(xù)減產(chǎn)DDR4
- 三大原廠紛紛縮減舊制程產(chǎn)能，除三星電子已傳宣布4月終止1y nm及1z nm制程的DDR4生產(chǎn)，美光亦通知客戶停產(chǎn)服務(wù)器用舊制程DDR4模組，SK海力士據(jù)傳也將DDR4產(chǎn)出比重降至20%。法人認(rèn)為，市場(chǎng)景氣低迷，上游存儲(chǔ)器廠加速產(chǎn)品迭代，降低單位成本以提升獲利，同時(shí)將資源轉(zhuǎn)向高帶寬記憶體（HBM）及DDR5等高階產(chǎn)品。短期內(nèi)內(nèi)存價(jià)格受到關(guān)稅備貨與供給控制支撐，但整體環(huán)境不確定性高，未來(lái)基本面仍存隱憂。三星已通知供應(yīng)鏈，1y nm及1z nm制程的8GB LPDDR4內(nèi)存將于2025年4月停止生產(chǎn)（EOL）
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關(guān)稅轉(zhuǎn)嫁美國(guó)客戶第一槍！美光將加收產(chǎn)品附加費(fèi)
- 全球前三的內(nèi)存制造商美光，不堪自家總統(tǒng)的對(duì)等關(guān)稅壓力，在全球開起漲價(jià)第1槍，要將關(guān)稅轉(zhuǎn)嫁給客戶，因其海外生產(chǎn)基地主要位于亞洲，包括中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣、日、星和大馬等，被加征10%-104%關(guān)稅，雖然半導(dǎo)體產(chǎn)品豁免關(guān)稅，但用于汽車、筆電和服務(wù)器等的內(nèi)存模組和固態(tài)硬盤（SSD）仍要收關(guān)稅，不得不告知美國(guó)客戶，從美國(guó)時(shí)間4月9日起將加收產(chǎn)品附加費(fèi)。據(jù)路透報(bào)道，美光透過(guò)信函告知美國(guó)客戶，從今（4/9）起部分產(chǎn)品將額外收費(fèi)，以抵銷特朗普的對(duì)等關(guān)稅沖擊。 但美光并未回應(yīng)路透報(bào)道。美國(guó)總統(tǒng)特朗普在4/2解放日，宣布4/
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美光、SK海力士跟隨中！三星對(duì)內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價(jià)3-5%：客戶已開始談判新合同
- 4月7日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對(duì)主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價(jià)格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來(lái)，“需求大幅增長(zhǎng)”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)2025年和2026年價(jià)格都會(huì)上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過(guò)剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價(jià)后部分新合同的談判已然啟動(dòng)。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國(guó)接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動(dòng)化，對(duì)半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計(jì)顯示，
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AI和數(shù)據(jù)中心需求激增，美光確認(rèn)內(nèi)存價(jià)格上漲
- 美光已確認(rèn)其提高內(nèi)存價(jià)格的計(jì)劃，理由是未來(lái)幾年對(duì) DRAM 和 NAND 閃存的需求強(qiáng)勁。該公司的最新公告表明，隨著供應(yīng)限制以及人工智能、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)推高了成本，價(jià)格將在 2025 年和 2026 年繼續(xù)上漲。價(jià)格上漲之際，內(nèi)存市場(chǎng)正從供應(yīng)過(guò)剩和收入下降的時(shí)期反彈。在過(guò)去的一年里，由于主要供應(yīng)商的減產(chǎn)以及對(duì)高性能計(jì)算和 AI 工作負(fù)載的需求增加，DRAM 和 NAND 閃存的價(jià)格穩(wěn)步回升。隨著美光確認(rèn)有意提高價(jià)格，三星和 SK 海力士等其他內(nèi)存制造商預(yù)計(jì)將效仿，進(jìn)一步鞏固價(jià)格上漲趨勢(shì)。
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美光斷電減產(chǎn) NAND原廠4月提前調(diào)漲
- NAND Flash價(jià)格由谷底翻漲正蓄勢(shì)待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調(diào)漲報(bào)價(jià)，近期市場(chǎng)傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國(guó)的存儲(chǔ)廠均將從4月起提高報(bào)價(jià)。由于二大韓廠減產(chǎn)措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導(dǎo)致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊，長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下SSD品牌也將于4月起調(diào)漲代理價(jià)格，漲幅可望將超過(guò)10%，全球各大原廠不約而同推動(dòng)漲價(jià)，NAND價(jià)格回漲速度優(yōu)于原先預(yù)期。存儲(chǔ)器業(yè)界觀察，近期整體終端市場(chǎng)的需求并
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驚人的27GB/s讀速！美光全球最快PCIe 6.x SSD首秀
- 3月7日消息，美光推出了一款新的基于PCIe 6.x協(xié)議的固態(tài)硬盤原型產(chǎn)品，順序讀取速度達(dá)到了驚人的27GB/s，成為目前全球最快的PCIe 6.x SSD。這一速度不僅超越了美光去年推出的26GB/s的PCIe 6.x SSD，更是將現(xiàn)有PCIe 5.0 SSD的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)甩在身后。在數(shù)據(jù)中心連接解決方案提供商Astera Labs的展示中，美光的PCIe 6.x SSD原型搭配了Astera Labs的Scorpio P系列交換機(jī)，該交換機(jī)擁有64個(gè)PCIe 6.x通道和四端口架構(gòu)。此外通過(guò)NVIDIA
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美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來(lái)計(jì)算需求
- 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設(shè)計(jì)的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級(jí)）DRAM?節(jié)點(diǎn)?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，1γ DRAM?節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動(dòng)從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
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兩項(xiàng)閃存技術(shù)革新，美光、鎧俠各有動(dòng)作
- DeepSeek等AI模型驅(qū)動(dòng)之下，存儲(chǔ)器市場(chǎng)備受青睞。長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，AI等熱潮將推動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)需求上漲，高容量存儲(chǔ)需求有望為NAND Flash（閃存）市場(chǎng)提供新的增長(zhǎng)動(dòng)力。這一過(guò)程中，少不了技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)品迭代。值得一提的是，為了提升存儲(chǔ)技術(shù)的創(chuàng)新能力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，一些存儲(chǔ)廠商之間正在進(jìn)行技術(shù)共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術(shù)迎來(lái)革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術(shù)：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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美光介紹
美光科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱美光科技）是全球最大的半導(dǎo)體儲(chǔ)存及影像產(chǎn)品制造商之一，其主要產(chǎn)品包括DRAM、NAND閃存和CMOS影像傳感器。美光科技先進(jìn)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)、計(jì)算機(jī)、服務(wù)、汽車、網(wǎng)絡(luò)、安防、工業(yè)、消費(fèi)類以及醫(yī)療等領(lǐng)域，為客戶在這些多樣化的終端應(yīng)用提供“針對(duì)性”的解決方案。
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc.）是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之 [ 查看詳細(xì) ]
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