碳化硅 文章 最新資訊
意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓
- 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業(yè)客戶的擴產(chǎn)計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。 意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 碳化硅
碳化硅基板及磊晶成長領(lǐng)域 環(huán)球晶布局掌握關(guān)鍵技術(shù)
- 由于5G、電動車、高頻無線通信及國防航天等新興科技趨勢的興起，產(chǎn)業(yè)對于高頻率、低耗損的表現(xiàn)需求日益增加，如何在高溫、高頻率及高電壓等惡劣環(huán)境作業(yè)下?lián)p失較少功率的化合物半導(dǎo)體材料，備受產(chǎn)業(yè)期待。而基于碳化硅（SiC）芯片制作寬能隙半導(dǎo)體的器件，能夠滿足傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體所不能滿足的諸多優(yōu)點。放眼全球化合物半導(dǎo)體大廠，碳化硅（SiC）晶圓的供應(yīng)以美國大廠Cree為首，是具有上下游整合制造能力的整合組件制造商（IDM），在碳化硅之全球市占率高達六至七成。磊晶廠則以美國的II-VI Incorporated為代表；模
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 寬能隙半導(dǎo)體
三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線
- 中國化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
“新一輪產(chǎn)業(yè)升級，全球進入第三代半導(dǎo)體時代“
- 隨著物聯(lián)網(wǎng)，大數(shù)據(jù)和人工智能驅(qū)動的新計算時代的發(fā)展，對半導(dǎo)體器件的需求日益增長，對器件可靠性與性能指標(biāo)的要求也更加嚴(yán)苛。以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體開始逐漸受到市場的重視，國際上已形成完整的覆蓋材料，器件，模塊和應(yīng)用等環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)鏈。全球新一輪的產(chǎn)業(yè)升級已經(jīng)開始，正在逐漸進入第三代半導(dǎo)體時代。 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。已在智能電網(wǎng)，軌道交通，新能源，開關(guān)電源等領(lǐng)域得到了應(yīng)用，展現(xiàn)出了優(yōu)良的性質(zhì)和廣闊的
- 關(guān)鍵字： 碳化硅，半導(dǎo)體
減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET
- 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 碳化硅 UPS
英飛凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和應(yīng)用分析
- 2020年2月，碳化硅的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應(yīng)用場景的？下一步產(chǎn)品計劃如何？碳化硅業(yè)的難點在哪里？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū) 開關(guān)電源應(yīng)用高級市場經(jīng)理 陳清源據(jù)悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產(chǎn)品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
- 關(guān)鍵字： MOSEFT 碳化硅 SMD
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模 式
- 關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
GT Advanced Technologies和安森美半導(dǎo)體 簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議
- GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議，總價值可達5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應(yīng)用。
- 關(guān)鍵字： GT Advanced Technologies 安森美 碳化硅
碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領(lǐng)域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導(dǎo)體器件。碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領(lǐng)域目前最具前景的半導(dǎo)體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導(dǎo)體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導(dǎo)體市場預(yù)計將達到15億美元。SiC器件的供應(yīng)商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關(guān)鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
羅姆子公司SiCrystal和意法半導(dǎo)體宣布簽署碳化硅晶圓長期供應(yīng)協(xié)議
- 近日，羅姆和橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;)宣布，意法半導(dǎo)體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應(yīng)協(xié)議。SiCrystal為一家在歐洲SiC晶圓市場占有率領(lǐng)先的龍頭企業(yè)。協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導(dǎo)體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅晶片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“該SiC襯底長期供應(yīng)協(xié)
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 晶圓
環(huán)球晶圓：硅晶圓明年回溫
- 半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶圓董事長徐秀蘭日前表示，明年半導(dǎo)體景氣仍受貿(mào)易摩擦、總體經(jīng)濟及匯率三大變數(shù)干擾，但從客戶端庫存改善、拉貨動能加溫，以及應(yīng)用擴大等來看，硅晶圓產(chǎn)業(yè)已在本季落底，明年上半年整體景氣動能升溫速度優(yōu)于預(yù)期，她預(yù)估環(huán)球晶圓明年首季與本季持平或略增，往后將會逐季成長。
- 關(guān)鍵字： 環(huán)球晶圓 硅晶圓 碳化硅
Maxim發(fā)布隔離式碳化硅柵極驅(qū)動器，提供業(yè)界最佳電源效率、有效延長系統(tǒng)運行時間
- 近日，Maxim Integrated Products, Inc 宣布推出MAX22701E隔離柵極驅(qū)動器，幫助高壓/大功率系統(tǒng)設(shè)計者將電源效率提升4%，優(yōu)于競爭產(chǎn)品；功耗和碳排放減少30%。驅(qū)動器IC優(yōu)化用于工業(yè)通信系統(tǒng)的開關(guān)電源，典型應(yīng)用包括太陽能電源逆變器、電機驅(qū)動、電動汽車、儲能系統(tǒng)、不間斷電源、數(shù)據(jù)農(nóng)場及其他大功率/高效率電源等。目前，許多開關(guān)電源采用寬帶隙碳化硅(SiC)晶體管來提高電源效率和晶體管可靠性。但是，高開關(guān)頻率的瞬態(tài)特性會產(chǎn)生較大噪聲，影響系統(tǒng)的正常工作或者需要額外的措施抑制干擾
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 柵極驅(qū)動器
意法半導(dǎo)體完成對碳化硅晶圓廠商Norstel AB的并購
- 近日， 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST）于12月2日宣布，完成對瑞典碳化硅（SiC）晶圓制造商Norstel AB（“ Norstel”）的整體收購。在2019年2月宣布首次交易后，意法半導(dǎo)體行使期權(quán)，收購了剩余的45％股份。Norstel并購案總價為1.375億美元，由現(xiàn)金支付。
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 碳化硅 Norstel AB
碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發(fā)現(xiàn)
愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術(shù)仍為眾人使用中。
性質(zhì)
碳化硅至少有70種 [ 查看詳細 ]
碳化硅電路
碳化硅相關(guān)帖子
碳化硅資料下載
碳化硅專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473