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	碳化硅
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          碳化硅 文章
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          碳化硅助力電動汽車的續(xù)航和成本全方位優(yōu)化
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 與傳統(tǒng)的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經(jīng)成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC 讓設計人員能夠減少元器件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。SiC 元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少 CO2 排放量
的環(huán)保型產(chǎn)品和系統(tǒng)。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的
開發(fā)領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業(yè)的
應用中都實現(xiàn)了更佳的節(jié)能效果。水原德健, 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經(jīng)理
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          • 關鍵字：
                        202207  碳化硅  電動汽車  羅姆                          
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          碳化硅助力電動汽車續(xù)航和成本的全方位優(yōu)化
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 受訪人：水原德健  羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導體器件的應用場景。當?shù)皖l、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
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          • 關鍵字：
                        羅姆  電動汽車  碳化硅                          
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          賽米控與羅姆就碳化硅功率元器件展開新的合作
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規(guī)級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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          • 關鍵字：
                        羅姆  碳化硅  SiC  無線寬帶                          
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          意法半導體與賽米控合作,在下一代電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)中集成碳化硅功率技術
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布，為世界排名前列的電源模塊系統(tǒng)廠商賽米控（Semikron）的eMPack?電動汽車電源模塊提供碳化硅(SiC)技術。該供貨協(xié)議是兩家公司為期四年的技術合作開發(fā)成果。采用意法半導體先進的 SiC 功率半導體，雙方致力于在更緊湊的系統(tǒng)中實現(xiàn)卓越的能效，并在性能方面達到行業(yè)標桿。SiC 正迅速成為汽車行業(yè)首選的電動汽車牽引驅(qū)動的電源技術，有助于提高行駛里程和可靠性。賽米控最近宣布已獲得一筆價值 1
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  賽米控  電動汽車  碳化硅                          
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          UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）宣布推出具有業(yè)界出眾品質(zhì)因數(shù)的1200V第四代SiC FET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2022年5月11日移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）系列。
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          • 關鍵字：
                        UnitedSiC  Qorvo  SiC  碳化硅  場效應管                          
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          安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小 
          
                                                            
            
                    	
          • 安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關組件迅速增長的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節(jié)省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
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          • 關鍵字：
                        安森美  TOLL封裝  碳化硅  MOSFET                          
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          羅姆SiC評估板測評：快充測試
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅(qū)動空載輸出12V，gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度，3uS左右總結(jié)由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設備
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM                          
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          羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號，用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM                          
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          羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM                          
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          SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET                          
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          碳化硅MOSFET晶體管的特征
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  MOSFET                          
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          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  SBD                          
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          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復特性比較
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅  SBD                          
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          SiC肖特基勢壘二極管的特征，及與Si二極管的比較
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
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          • 關鍵字：
                        碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管                          
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          SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
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          • 關鍵字：
                        SiC  碳化硅                          
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          碳化硅介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結(jié)而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。

 
發(fā)現(xiàn)
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發(fā)展了生產(chǎn)碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。

 
性質(zhì)
碳化硅至少有70種		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
          熱門主題
          
      			
          
      			
          
       	          						碳化硅   
										樹莓派   
					linux   
      			
          
    		
          
  		
          
		
          
	
          
	
          

          

          
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