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先進(jìn)封裝
先進(jìn)封裝 文章 最新資訊
價(jià)格和需求同亮眼，HBM存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝將迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)
- 市場(chǎng)對(duì)人工智能的熱情還在持續(xù)升溫，隨著芯片庫(kù)存調(diào)整卓有成效，以及市場(chǎng)需求回暖推動(dòng)，全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格正從去年的暴跌中逐步回升，內(nèi)閃存產(chǎn)品價(jià)格均開(kāi)始漲價(jià)。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于AI需求高漲，目前英偉達(dá)（NVIDIA）以及其他品牌的GPU或ASIC供應(yīng)緊俏，除了CoWoS是供應(yīng)瓶頸，HBM亦同，主要是HBM生產(chǎn)周期較DDR5更長(zhǎng)，投片到產(chǎn)出與封裝完成需要兩個(gè)季度以上所致。行業(yè)人士表示，在產(chǎn)能緊缺下目前DRAM以及綁定英偉達(dá)新款A(yù)I芯片的HBM存儲(chǔ)系統(tǒng)售價(jià)更高。在此帶動(dòng)下，從今年
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華泰證券：先進(jìn)封裝、碳化硅出海及元宇宙顯示的發(fā)展機(jī)會(huì)
- 華泰證券發(fā)布研報(bào)稱(chēng)，在3月20日-3月22日開(kāi)展的2024 SEMICON China(上海國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì))上，華泰證券與數(shù)十家國(guó)內(nèi)外頭部半導(dǎo)體企業(yè)交流，并參加相關(guān)行業(yè)論壇，歸納出以下趨勢(shì)：1)前道設(shè)備：下游需求旺盛，國(guó)產(chǎn)廠商持續(xù)推出新品，完善工藝覆蓋度；2)后道設(shè)備：AI拉動(dòng)先進(jìn)封裝需求，測(cè)試機(jī)國(guó)產(chǎn)化提速；3)SiC：2024或是襯底大規(guī)模出海與國(guó)產(chǎn)8寸元年；4)元宇宙和微顯示：硅基OLED有望成為VR設(shè)備主流顯示方案，AI大模型出現(xiàn)可能推動(dòng)智慧眼鏡等輕量級(jí)AR終端快速增長(zhǎng)?！ ∪A泰證券主要觀點(diǎn)如下：
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先進(jìn)封裝技術(shù)：在半導(dǎo)體制造中贏得一席之地
- 在半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展中，摩爾定律一度被視為不可逾越的巔峰，然而隨著其優(yōu)勢(shì)逐漸達(dá)到極限，業(yè)界對(duì)于芯片性能提升的關(guān)注點(diǎn)開(kāi)始轉(zhuǎn)向后端生產(chǎn)，特別是封裝技術(shù)的創(chuàng)新。先進(jìn)封裝技術(shù)，作為半導(dǎo)體技術(shù)的下一個(gè)突破點(diǎn)，正以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)市場(chǎng)的新一輪增長(zhǎng)。傳統(tǒng)上，封裝工藝在半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中一直被視為后端環(huán)節(jié)，往往被低估其重要性。原因有兩點(diǎn)：首先，使用老一代設(shè)備仍然可以封裝晶片。其次，封裝大多由外包的半導(dǎo)體組裝和測(cè)試公司（OSAT）完成，這些公司主要依靠低廉的勞動(dòng)力成本而非其他差異化競(jìng)爭(zhēng)。然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)的變化，封
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50億元！先進(jìn)封裝等半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約湖北黃石
- 3月23日，湖北黃石市人民政府和聞泰科技共同主辦了“聞泰科技2024年全球精英合作伙伴大會(huì)暨黃石光電子信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)布會(huì)”，共有51個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目集中簽約，總投資高達(dá)507.9億元。其中，現(xiàn)場(chǎng)有31個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目分4批集中簽約，部分項(xiàng)目涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域。第一批簽約共9個(gè)聞泰供應(yīng)鏈項(xiàng)目包括半導(dǎo)體先進(jìn)封裝項(xiàng)目（投資10億元）；第二批簽約共8個(gè)項(xiàng)目包括半導(dǎo)體光學(xué)材料項(xiàng)目（投資20億元）、半導(dǎo)體紫外LED芯片及模組項(xiàng)目（投資5億元）、精細(xì)金屬掩膜版項(xiàng)目（投資5億元）；第三批簽約共7個(gè)項(xiàng)目包括半導(dǎo)體掩膜版項(xiàng)目（投資10億元）
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3億美元！AAMI滁州生產(chǎn)基地落成投產(chǎn)
- 3月18日，總投資3億美元的先進(jìn)半導(dǎo)體材料（安徽）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“滁州生產(chǎn)基地”）正式落成投產(chǎn)。根據(jù)報(bào)道，滁州生產(chǎn)基地由先進(jìn)封裝材料國(guó)際有限公司（AAMI）投資，總投資3億美元，位于中新蘇滁高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)。首期生產(chǎn)基地建成廠房總建筑面積達(dá)7萬(wàn)平方米，包括多條沖壓式及蝕刻式引線框架產(chǎn)線，滁州生產(chǎn)基地?fù)碛懈呔芤€框架以及高精密沖壓模具設(shè)計(jì)與制造的能力，以及世界先進(jìn)的表面處理技術(shù)，提供全面的引線框架產(chǎn)品和材料解決方案，年產(chǎn)能1.5萬(wàn)千米，并采用數(shù)字化及網(wǎng)絡(luò)化生產(chǎn)管理系統(tǒng)。滁州生產(chǎn)基地是先進(jìn)封裝材料國(guó)際
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存儲(chǔ)大廠10億美元加碼HBM先進(jìn)封裝
- SK海力士負(fù)責(zé)封裝開(kāi)發(fā)的李康旭副社長(zhǎng)認(rèn)為，半導(dǎo)體行業(yè)前50年都在專(zhuān)注芯片本身的設(shè)計(jì)和制造，但是，下一個(gè) 50 年，一切將圍繞芯片封裝展開(kāi)。據(jù)彭博社報(bào)道，SK海力士（SK Hynix）今年將在韓國(guó)投資超過(guò)10億美元，用于擴(kuò)大和改進(jìn)其芯片制造的最后步驟，即先進(jìn)封裝。前三星電子工程師、現(xiàn)任 SK Hynix 封裝開(kāi)發(fā)主管的李康旭表示，推進(jìn)封裝工藝創(chuàng)新是提高HBM性能、降低功耗的關(guān)鍵所在，也是SK海力士鞏固HBM市場(chǎng)領(lǐng)先地位的必由之路。高度聚焦先進(jìn)封裝SK海力士HBM不斷擴(kuò)產(chǎn)SK海力士在最近的財(cái)報(bào)中表示，
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臺(tái)積電先進(jìn)制程／封裝擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)，全臺(tái)北中南大規(guī)模建廠
- 臺(tái)積電不只海外擴(kuò)產(chǎn)，中國(guó)臺(tái)灣也持續(xù)進(jìn)行，董事長(zhǎng)劉德音承諾，中國(guó)臺(tái)灣投資持續(xù)進(jìn)行，目前市場(chǎng)消息，除了2納米廠及先進(jìn)封裝廠，接下來(lái)更先進(jìn)1納米也將興建八至十座工廠，因應(yīng)市場(chǎng)需求。2納米廠部分，因高性能計(jì)算與智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，原規(guī)劃兩座2納米廠的高雄將再增一座，三座2納米廠量產(chǎn)后，高雄將成為臺(tái)積電2納米重要基地。最早規(guī)劃2納米廠的新竹寶山，四座廠依市場(chǎng)需求再規(guī)劃2納米，加上近期通過(guò)都審，6月?lián)芙o臺(tái)積電用地中科也有2納米廠，屆時(shí)2納米將全面爆發(fā)，滿足市場(chǎng)需求。2納米N2制程采納米片（Nanosheet）電晶體結(jié)構(gòu)
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異構(gòu)集成面臨更多障礙
- 業(yè)界能夠使小芯片集成在封裝中成為現(xiàn)實(shí)，這只是時(shí)間問(wèn)題。
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?先進(jìn)封裝，兵家必爭(zhēng)之地
- 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的歷史長(zhǎng)河中，戈登·摩爾是一個(gè)不可或缺的名字。去年 3 月，戈登·摩爾逝世于夏威夷的家中，享耆壽 94 歲。由他提出的摩爾定律在引領(lǐng)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展近 60 年后，也逐漸走向極限。摩爾定律預(yù)測(cè)，集成電路上的晶體管數(shù)量每隔約 18 個(gè)月就會(huì)翻倍，與此同時(shí)，芯片的性能也會(huì)持續(xù)提升。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，業(yè)界開(kāi)始面臨前所未有的挑戰(zhàn)。有聲音開(kāi)始質(zhì)疑，「摩爾定律是否已經(jīng)走到盡頭？」總有人相信，摩爾定律未死。業(yè)界巨頭如臺(tái)積電、英特爾和三星等公司并未放棄，持續(xù)投入大量資金、人力和資源，希望在這場(chǎng)納米尺
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30 億美元，美國(guó)投向先進(jìn)封裝
- 美國(guó)本土半導(dǎo)體制造復(fù)興計(jì)劃正在推進(jìn)。
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30億美元，美國(guó)加碼先進(jìn)封裝領(lǐng)域
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間11月20日，美國(guó)宣布計(jì)劃投入大約30億美元的資金，專(zhuān)門(mén)用于資助美國(guó)芯片封裝行業(yè)。該計(jì)劃資金來(lái)自美國(guó)《芯片法案》中專(zhuān)門(mén)用于研發(fā)的110億美元資金，與價(jià)值1000億美元的芯片制造業(yè)激勵(lì)資金池是分開(kāi)的。上述計(jì)劃將專(zhuān)門(mén)用于各種活動(dòng)，包括建立先進(jìn)的封裝試點(diǎn)設(shè)施，用于驗(yàn)證新技術(shù)并將其轉(zhuǎn)移給美國(guó)制造商；勞動(dòng)力培訓(xùn)計(jì)劃，以確保新流程和工具配備有能力的人員；以及為材料和基材，設(shè)備、工具和流程，電力輸送和熱管理，光子學(xué)和連接器，小芯片生態(tài)系統(tǒng)，以及測(cè)試、修復(fù)、安全性、互操作性和可靠性的協(xié)同設(shè)計(jì)等項(xiàng)目提供資金。先進(jìn)封
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一文看懂TSV技術(shù)
- 前言從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱(chēng)為T(mén)SV構(gòu)建的，TSV是首字母縮寫(xiě)，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術(shù)。它是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們?nèi)绾喂ぷ饕约八鼈兊挠猛?。?000年的第一個(gè)月，Santa Clara Universi
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對(duì) IC 工藝缺陷的新見(jiàn)解
- 流程邊際性和參數(shù)異常值曾經(jīng)在每個(gè)新節(jié)點(diǎn)上都會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，但現(xiàn)在它們?cè)诙鄠€(gè)節(jié)點(diǎn)和先進(jìn)封裝中成為持續(xù)存在的問(wèn)題，其中可能存在不同技術(shù)的混合。此外，每個(gè)節(jié)點(diǎn)都有更多的工藝，應(yīng)大型芯片制造商的要求進(jìn)行更多的定制，即使在同一節(jié)點(diǎn)，從一個(gè)代工廠到下一個(gè)代工廠也有更多的差異化。結(jié)果，一種解決方案不再能解決所有問(wèn)題。使這些問(wèn)題變得更加復(fù)雜的是，當(dāng)新的缺陷機(jī)制尚未完全了解時(shí)，各種其他新工藝（例如混合鍵合）會(huì)在制造和裝配流程的早期產(chǎn)生隨機(jī)和系統(tǒng)性缺陷。為了解決這些問(wèn)題，工程師依靠一系列檢查方法、智能缺陷分類(lèi)和機(jī)器學(xué)習(xí)分析，在產(chǎn)
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發(fā)力先進(jìn)封裝核心應(yīng)用 長(zhǎng)電科技三季度業(yè)績(jī)環(huán)比增長(zhǎng)提速
- 全球領(lǐng)先的集成電路芯片成品制造和技術(shù)服務(wù)提供商長(zhǎng)電科技（600584.SH）公布了2023年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。財(cái)報(bào)顯示，長(zhǎng)電科技第三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入人民幣82.6億元，環(huán)比增長(zhǎng)30.8%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)人民幣4.8億元，環(huán)比增長(zhǎng)24%。今年以來(lái)，長(zhǎng)電科技發(fā)力先進(jìn)封裝核心應(yīng)用，持續(xù)提升面向應(yīng)用場(chǎng)景的整體解決方案能力，優(yōu)化產(chǎn)能布局，進(jìn)一步鞏固了公司在全球集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)中的領(lǐng)先地位。長(zhǎng)電科技在汽車(chē)電子、5G通信、高性能計(jì)算(HPC)、新一代功率器件等熱點(diǎn)市場(chǎng)不斷實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新突破。公司抓住汽車(chē)智能化、電動(dòng)化帶來(lái)的市場(chǎng)機(jī)
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五位半導(dǎo)體行業(yè)專(zhuān)家對(duì)芯片缺陷分析
- 在圓桌會(huì)議上，半導(dǎo)體工程專(zhuān)家們就“半導(dǎo)體和封裝技術(shù)日益增加的復(fù)雜性將如何推動(dòng)故障分析方法的轉(zhuǎn)變”展開(kāi)了討論，討論嘉賓包括Bruker Nano Surfaces&Metrology應(yīng)用與產(chǎn)品管理主管Frank Chen、Onto Innovation企業(yè)業(yè)務(wù)部產(chǎn)品管理主管Mike McIntyre、Teradyne的ASIC可靠性工程師Kamran Hakim、賽默飛世爾科技高級(jí)產(chǎn)品專(zhuān)家Jake Jensen以及賽默飛世爾科技高級(jí)營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Paul Kirby。以下是這場(chǎng)討論的精彩摘錄。[從左到右]
- 關(guān)鍵字： 先進(jìn)封裝，F(xiàn)A SEM TEM
先進(jìn)封裝介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條先進(jìn)封裝!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)先進(jìn)封裝的理解，并與今后在此搜索先進(jìn)封裝的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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先進(jìn)封裝專(zhuān)欄文章
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