按全球第一大光刻設備供應商ASML公司的預估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達80%。

　　ASML預計Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因為受工藝制程的進一步縮小推動，產(chǎn)業(yè)可能會在今年下半年開始復蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會要求購買新的或者升級現(xiàn)有的設備。

　　如08年僅只有各領域的領先者在購買設備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預計2009年會加速工藝制程的進步，如flash進入35nm及DRAM進入45nm。

　　Q1之所以銷售額低是因為僅只有7臺新設備發(fā)貨，其中1臺為浸液式設備(說明還有部分二手設備發(fā)貨)。在Q1中新光刻設備每臺的平均售價，ASP為1380萬歐元，但浸液式光刻設備高達2500-3000萬歐元。

　　而Q1的訂單中，ASP為2580萬歐元，包括7臺是浸液式設備。如果加上backlog公司共計有38臺設備的訂單，其中25臺為浸液式，由此也表示未來的訂單中浸液式光刻設備的數(shù)量逐漸增多。

　　ASML還有5臺EUV訂單，但是要2010年之后才能發(fā)貨。由于公司backlog僅限于未來12個月內(nèi)發(fā)貨計，所以目前EUV的訂單都未計在backlog中。

　　在今年的SPIE先進光刻會議上報道利用EUV的技術己實現(xiàn)全視場的28nm線及間隔(dence lines)。

　　雖然如此，ASML公司仍有在2010年時發(fā)出5臺EUV設備的計劃。

　　ASML對于全球EUV設備約50億歐元的大市場中，預計能占據(jù)市場份額70%。但是現(xiàn)在公司更直接的市場是光刻兩次成象技術(double patterning)設備。

　　公司計劃于今年7月初發(fā)貨第一臺Twinscan NXT設備，它可以實現(xiàn)2nm的套刻精度。ASML公司希望全球能有100%的市場份額。因為該技術可能延伸現(xiàn)有的光刻技術應用于22nm的Logic電路、35nm的閃存電路及40nm的DRAM之中。

　　由此可見，利用現(xiàn)有光學方法的光刻技術完全能滿足2010年后一段時間內(nèi)全球光刻市場的需求。