DRAM芯片轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程難度高，市場(chǎng)供需失衡蔓延到各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入20納米制程世代后，進(jìn)入門檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大，需求的機(jī)臺(tái)設(shè)備多很多，甚至讓DRAM廠加蓋無(wú)塵室來(lái)放擺放機(jī)臺(tái)設(shè)備，否則導(dǎo)致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個(gè)高門檻就是生產(chǎn)難度大增，DRAM市場(chǎng)價(jià)格無(wú)法反彈，這些次級(jí)品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。

　　市場(chǎng)終端需求不好，蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲(chǔ)器容量從1G升級(jí)到2G，其他新機(jī)容量甚至提升到4G存儲(chǔ)器，這樣倍增的存儲(chǔ)器需求，成為2015年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的唯一信念，甚至自我催眠DRAM行情一定不會(huì)太差，但結(jié)果令人失望。

　　業(yè)者認(rèn)為，市場(chǎng)缺乏殺手級(jí)產(chǎn)品消化存儲(chǔ)器芯片，過(guò)去DRAM芯片過(guò)度依賴PC應(yīng)用，現(xiàn)在已大幅分散到各領(lǐng)域，但DRAM產(chǎn)業(yè)的供需平衡關(guān)系十分敏感，過(guò)去3年的好光景還是要面臨修正。

　　其實(shí)，DRAM產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用分散后，DRAM廠對(duì)于產(chǎn)業(yè)掌握度的難度大幅提高。以智能型手機(jī)來(lái)看，DRAM廠就非常傷腦筋，消費(fèi)者口味變化莫測(cè)且瞬息萬(wàn)變，大廠規(guī)格又難掌握，DRAM廠光是每個(gè)月要決定怎么投片、哪些產(chǎn)品提高或減少投片，常常傷透腦筋，要能搜集到各方資訊才能做出正確的判斷，且市場(chǎng)反應(yīng)要很快。

　　業(yè)者分析，PC DRAM市場(chǎng)行情不好，是受到英特爾(Intel)的新處理器Skylake延遲到下半年推出影響，原本PC需求就很差，新處理器延后推出更是一大重?fù)簟Ｒ苿?dòng)存儲(chǔ)器(Mobile RAM)價(jià)格也持續(xù)下跌，連高毛利率的伺服器DRAM也支撐不住。

　　供給端也出現(xiàn)一大殺手，就是20納米制程芯片制程的轉(zhuǎn)換難度十分高，導(dǎo)致過(guò)程中不斷流出次級(jí)品。過(guò)去每一次的制程轉(zhuǎn)換當(dāng)然都有類似情況，但這次20納米制程的意外是，透過(guò)后段的wafer sorting技術(shù)后，每片12吋晶圓透過(guò)sorting出的可用晶圓比重大幅提升，導(dǎo)致流到市場(chǎng)的貨變多，讓整個(gè)DRAM市場(chǎng)到處流竄次級(jí)品。

　　業(yè)者認(rèn)為，20納米DRAM芯片次級(jí)品流竄的情況還會(huì)持續(xù)一陣子，因?yàn)槿请娮?Samsung Electronics)轉(zhuǎn)20納米制程后，還有SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)要轉(zhuǎn)20納米制程，一定會(huì)有同樣的狀況出現(xiàn)，市場(chǎng)還要忍受好一陣子。