晶圓級CSP封裝技術趨勢與展望
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當隔離層更厚（>5um）、線路圖形更厚（>5um）、線路阻抗更低（鋁的60％）時，電感通常比SoC中使用鋁線路的電感更優(yōu)越。WLCSP技術中制作銅電感可以實現(xiàn)芯片更低的功耗，使應用擴張到移動產(chǎn)品中。線寬和空間分布L/S是實現(xiàn)高性能電路的重要指標，因此光刻和電鍍也成為整個工藝流程中最重要的技術。
未來的線路再分布技術
生成電路圖形是上文提到的基本技術的重復。它生成UBM層，涂上光刻膠并生成所需的圖形，然后進行電鍍，最后再去除不再需要的光刻膠和UBM層?？梢哉f，這個工藝還是所謂的“浪費材料的技術”。
目前業(yè)界已經(jīng)開發(fā)出了一種不會“浪費材料”的技術，它可以直接實現(xiàn)圖形制作（圖4），以替代現(xiàn)有的“浪費材料的技術”。該技術采用納米膠（nano-paste）和刻印噴?SPANlang=EN-US>(inkjetprinting)技術。這種技術的L/S指標目前還不能達到現(xiàn)在采用光刻、電鍍技術實現(xiàn)的精細間距水平，然而，它是有益生態(tài)的技術，通過進一步的開發(fā)，這種技術可能會使用在更多的應用中。
WLCSP技術的展望
WLCSP在2000年應用在電子手表中之后，已經(jīng)應用在手機、存儲卡、汽車導航儀、數(shù)碼設備中。未來幾年中，在手機這樣的高性能移動市場中，會更多采用WLCSP技術的芯片。
電子終端產(chǎn)品市場需要各種不同的系統(tǒng)級封裝（SiP，SystemInPackage），已有的形式包括在一個多芯片模塊（MCP，MultiChipPackage）封裝，以及封裝體堆疊（PoP，PackageOnPackage）等SiP的不同形式。手機設備中“SRAM+Flash”的封裝是推動SiP技術實現(xiàn)高性能電子設備的重要動力。
WLCSP技術為實現(xiàn)生產(chǎn)輕薄和小巧電子設備帶來了更多的可能性。WLCSP已經(jīng)應用在電路板組裝上，近來它也成為SiP的重要組成部分，結合WLCSP和常規(guī)引線鍵合技術的MCP也已經(jīng)進入量產(chǎn)（圖5）。
集成電路通常通過回流焊貼裝在PCB板上。使用常規(guī)的表面貼裝技術，PCB的組裝密度將接近極限。將芯片嵌入到PCB板中的技術可以實現(xiàn)更高的功能，并已經(jīng)有量產(chǎn)。將WLCSP技術和芯片嵌入PCB工藝結合，可以確保PCB組裝質(zhì)量的穩(wěn)定，這是因為WLCSP不僅易于進行PCB板貼裝，而且具有“已知優(yōu)良芯片（KGD，KnownGoodDie）”的特性。
結論
WLCSP不僅是實現(xiàn)高密度、高性能封裝和SiP的重要技術，同時也將在器件嵌入PCB技術中起關鍵作用。盡管引線鍵合技術非常靈活和成熟，但是WLCSP技術的多層電路、精細線路圖形、以及能與引線鍵合結合的特點，表明它將具有更廣泛的應用和新的機遇。
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