12月27日，南車(chē)株洲所研制的高壓高功率密度IGBT芯片及其模塊，通過(guò)了由省科技廳組織的科技成果鑒定。來(lái)自中國(guó)科學(xué)院和中國(guó)工程院的4位院士組成的鑒定委員會(huì)認(rèn)為，該成果總體技術(shù)處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

　　這是國(guó)內(nèi)目前唯一一款最大電壓等級(jí)、最高功率密度的6500伏高壓IGBT芯片及其模塊首次向外界亮相。該產(chǎn)品具有耐壓高、電流大，功率損耗低、動(dòng)態(tài)性能好等優(yōu)點(diǎn)，其各項(xiàng)技術(shù)均填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)行業(yè)空白。

　　該公司IGBT事業(yè)部總經(jīng)理劉國(guó)友介紹，高壓高功率密度的IGBT是現(xiàn)代大功率變流裝置的“心臟”和綠色高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。其應(yīng)用領(lǐng)域從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶到4C產(chǎn)業(yè)，擴(kuò)大到軌道交通、柔性直流輸電、航空航天、新能源裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，具有重大的戰(zhàn)略價(jià)值和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。

　　目前，中國(guó)已成為世界上IGBT產(chǎn)品最大的消費(fèi)市場(chǎng)。此前，高壓高功率密度IGBT技術(shù)幾乎全部被國(guó)外少數(shù)幾家企業(yè)壟斷。從2011年開(kāi)始，南車(chē)株洲所對(duì)該項(xiàng)高端技術(shù)進(jìn)行自主攻關(guān)，在去年12月開(kāi)發(fā)出國(guó)內(nèi)首款從芯片到模塊完全自主化的3300伏等級(jí)的IGBT芯片，并在此基礎(chǔ)上，又成功研制出4500伏、6500V高功率密度IGBT芯片及模塊，初步形成了IGBT器件技術(shù)的完整產(chǎn)品型譜。