聯(lián)合微電子公司 （UMC） 推出了一種新的 55 納米 BCD 平臺(tái)，也稱為 55 納米 BCD 技術(shù)，旨在為下一代移動(dòng)、消費(fèi)、汽車和工業(yè)設(shè)備提供更高的性能和能效。該代工廠的最新工藝節(jié)點(diǎn)可幫助設(shè)計(jì)人員管理日益復(fù)雜的電源管理，同時(shí)減少芯片面積并提高噪聲性能。

此次發(fā)布凸顯了聯(lián)華電子對先進(jìn)專業(yè)技術(shù)的推動(dòng)，這些技術(shù)可能會(huì)直接影響廣泛電子市場的功率 IC 設(shè)計(jì)、混合信號(hào)集成和系統(tǒng)效率。

擴(kuò)展電源管理工具箱

BCD 技術(shù)使模擬、數(shù)字和電源電路能夠共存在單個(gè)芯片上，這是電源管理和混合信號(hào) IC 的關(guān)鍵要求。聯(lián)電的全新 55 納米 BCD 平臺(tái)通過針對不同應(yīng)用需求量身定制的三種主要工藝變體擴(kuò)展了這種靈活性。

非外延 （Non-EPI） 工藝提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法，專注于消費(fèi)類和移動(dòng)設(shè)備的能效和模擬性能。對于汽車應(yīng)用，聯(lián)電的外延（EPI）工藝支持高達(dá)150V的工作電壓，并符合嚴(yán)格的AEC-Q100 Grade 0汽車標(biāo)準(zhǔn)，確保在極端作環(huán)境中的可靠性。同時(shí)，絕緣體上硅 （SOI） 工藝針對高級(jí)汽車和工業(yè)系統(tǒng)，具有 AEC-Q100 1 級(jí)合規(guī)性、卓越的噪聲抑制和低泄漏性能。

聯(lián)電推出55奈米BCD平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)高能效設(shè)計(jì)（來源：聯(lián)電）。

該平臺(tái)還支持超厚金屬 （UTM）、嵌入式閃存和電阻式 RAM （RRAM） 選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員在集成內(nèi)存和電源應(yīng)用的大電流路徑方面具有更大的靈活性。

加強(qiáng)聯(lián)電的專業(yè)產(chǎn)品組合

聯(lián)華電子技術(shù)開發(fā)副總裁 Steven Hsu 表示：“我們的 55 奈米 BCD 平臺(tái)的準(zhǔn)備就緒標(biāo)志著聯(lián)華電子的一個(gè)重要里程碑，完善了我們的專業(yè) BCD 技術(shù)組合，并增強(qiáng)了我們在電源管理市場的競爭力。雖然 55 奈米 BCD 已經(jīng)在市場上生產(chǎn)了幾年，但聯(lián)華電子提供了具有競爭力設(shè)備性能的全新全面 55 奈米 BCD 解決方案，使我們的客戶能夠?yàn)閺闹悄苁謾C(jī)和穿戴式設(shè)備到汽車、智能家居和工廠等各種領(lǐng)域構(gòu)建創(chuàng)新的電源解決方案。

通過此次發(fā)布，聯(lián)華電子現(xiàn)在提供業(yè)內(nèi)最廣泛的 BCD 工藝產(chǎn)品組合之一——范圍從 0.35μm 到 55nm——涵蓋適合不同市場的電壓范圍。該代工廠結(jié)合了廣泛的 IP、設(shè)計(jì)支持和工藝成熟度，使其能夠支持電力電子和混合信號(hào) IC 制造商不斷變化的需求，這些制造商希望進(jìn)一步提高效率和集成度。

對于歐洲設(shè)計(jì)界來說，效率、可靠性和集成度仍然是創(chuàng)新的核心，聯(lián)電的 55 納米 BCD 平臺(tái)為下一代汽車和工業(yè)電源解決方案提供了及時(shí)的升級(jí)路徑。