在 NVIDIA 放行其 12 層 HBM3e 產(chǎn)品之后，韓國記憶體巨頭 Samsung Electronics 正加速進(jìn)入下一代高帶寬記憶體（HBM）技術(shù)的競賽。據(jù)報道，該公司將在 2025 年 “Samsung Tech Fair 2025” 技術(shù)展覽會上亮相其下一代 12 層 HBM4 產(chǎn)品。這場展會據(jù)稱將于 10 月 27 日至 31 日在韓國京畿道龍仁市的三星半導(dǎo)體綜合園區(qū)舉行。

報道稱，在該活動上，三星下屬的設(shè)備解決方案事業(yè)部（Device Solutions, DS）將展示其第六代 12 層 HBM4，并計劃今年晚些時候進(jìn)入量產(chǎn)階段。此舉意在顯示其在質(zhì)量認(rèn)證速度與整體技術(shù)水平上已縮小，與競爭對手（如 SK hynix 與 Micron Technology）之間的差距。

除了 HBM4，報道還指出，三星的 DS 部門將在展會上展示包括全球最小 2 億像素影像傳感器技術(shù)、專為半導(dǎo)體場景打造的 AI 創(chuàng)新，以及其 DX（Device eXperience）事業(yè)部將發(fā)布 115 英寸 Micro RGB 電視，以對抗激烈的中國競爭。此外，三星研究院（Samsung Research）預(yù)計將展示其在 Galaxy 生態(tài)系統(tǒng)中通過設(shè)備端 AI 代理實現(xiàn)的愿景。

值得注意的是，今年的三星技術(shù)展以 “REBOOT: DESIGNING WHAT’S NEXT” 為主題，恰逢同月在韓國舉行的 APEC CEO Summit 2025（亞太經(jīng)合組織首席執(zhí)行官峰會）。據(jù)報道，NVIDIA CEO Jensen Huang 有望出席該峰會，并在 10 月 28-31 日之間，與三星電子及 SK hynix 等關(guān)鍵記憶體芯片供應(yīng)商的高管會面。

此外，早前三星已在 2025 OCP Global Summit 上披露了其 “HBM4e” 技術(shù)的規(guī)格：據(jù) SeDaily 和 TweaksTown 報道，HBM4e 目標(biāo)單針腳傳輸速率超過 13 Gbps，峰值帶寬約 3.25 TB/s，約為現(xiàn)有 HBM3e 的 2.5 倍。