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          ASML的設(shè)備是制造AI芯片的關(guān)鍵,但為什么它錯(cuò)過了AI紅利

          作者: 時(shí)間:2025-09-30 來源: 收藏

          是一家荷蘭巨頭,幾乎壟斷了先進(jìn)人工智能芯片所必需的極紫外 (EUV) 光刻機(jī),它處于有利地位,可以利用數(shù)據(jù)中心的激增。然而,由于 2026 年增長不確定的警告,其股價(jià)在過去一年中僅上漲了 11%,表現(xiàn)落后于同行。核心問題:依賴少數(shù)主要客戶,其中以控制先進(jìn)芯片生產(chǎn)的臺(tái)積電(臺(tái)積電)為主。 依靠芯片制造商之間的競爭而蓬勃發(fā)展,這些競爭刺激了升級(jí),但臺(tái)積電的領(lǐng)先優(yōu)勢扼殺了這種動(dòng)力。

          的最新創(chuàng)新高數(shù)值孔徑 (High NA) EUV 機(jī)器每臺(tái)成本超過 4 億美元,承諾為更小、更高效的芯片提供單圖案化,與舊 EUV 上的多圖案化相比,可降低復(fù)雜性、周期時(shí)間和缺陷。然而,臺(tái)積電猶豫不決,理由是前期成本高昂,并計(jì)劃延長當(dāng)前工具的使用壽命,直到高數(shù)值孔徑成熟以獲得最大價(jià)值。巴克萊銀行分析師西蒙·科爾斯 (Simon Coles) 預(yù)測 2026 年高數(shù)值孔徑 (High NA) 出貨量僅為 3 臺(tái)(低于 2025 年的 5 臺(tái)),廣泛采用將推遲到 2028 年;他將 ASML 評(píng)為持有。

          英特爾成為 ASML 的潛在救世主,在通過推遲 EUV 的采用落后于臺(tái)積電后尋求救贖。前首席執(zhí)行官帕特·基辛格 (Pat Gelsinger) 承諾推出兩臺(tái) High NA 機(jī)器,通過英特爾的 18A 工藝在人工智能芯片代工服務(wù)方面挑戰(zhàn)臺(tái)積電。然而,英特爾面臨著障礙:掌握 EUV 產(chǎn)量、生態(tài)系統(tǒng)準(zhǔn)備情況、成本競爭力以及獲得英偉達(dá)和博通等外部客戶。最近圍繞英偉達(dá)對(duì)英特爾投資 50 億美元的炒作推動(dòng)了 ASML 股價(jià)上漲 6%,但英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛回避了有關(guān)使用英特爾晶圓廠的問題,稱贊臺(tái)積電在復(fù)雜 GPU 方面的優(yōu)勢。尼古拉斯·巴拉特 (Nicolas Baratte) 等分析師質(zhì)疑,如果臺(tái)積電認(rèn)為沒有必要,英特爾是否需要更昂貴的高 NA。英特爾在俄勒岡州有兩臺(tái)機(jī)器正在研發(fā),但不會(huì)確認(rèn)生產(chǎn)時(shí)間表,而且它可能會(huì)在沒有主要客戶的情況下廢棄其 14A 工藝,從而危及美國半導(dǎo)體的雄心。

          存儲(chǔ)芯片提供了另一種途徑。由于堆疊技術(shù)和成本關(guān)注,EUV 采用的邏輯滯后,該行業(yè)正在隨著對(duì) Nvidia AI 處理器的高帶寬內(nèi)存 (HBM) 需求而發(fā)生變化。SK 海力士處于領(lǐng)先地位,組裝了第一個(gè)用于大規(guī)模生產(chǎn)的高 NA 系統(tǒng),以滿足擴(kuò)展需求。競爭對(duì)手三星于 2 月份采用了 High NA 進(jìn)行內(nèi)存和代工工作,迫使美國美光效仿。
          最終,ASML 的卓越技術(shù)無法保證在客戶主導(dǎo)地位下快速獲勝。高 NA 將變得不可或缺,但隨著行業(yè)權(quán)衡成本與未來收益,投資者可能會(huì)忍受延誤。


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