全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)規(guī)模是多少？

2024年全球柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場(chǎng)規(guī)模為6.0005億美元，預(yù)計(jì)將從2025年的6.771億美元增加到2034年的約20.0825億美元，2025年至2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率為12.84%。該行業(yè)代表了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的重大進(jìn)步，為未來(lái)的電子設(shè)備提供了更高的性能和可擴(kuò)展性。隨著 GAA 晶體管市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)，了解其市場(chǎng)規(guī)模和預(yù)計(jì)擴(kuò)張對(duì)于利益相關(guān)者和行業(yè)分析師至關(guān)重要。

市場(chǎng)亮點(diǎn)

• 到 2024 年，亞太地區(qū)主導(dǎo)了全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)，市場(chǎng)份額最大，達(dá)到 60%。

• 按地區(qū)劃分，預(yù)計(jì)北美將在 2025 年至 2034 年間以 25% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)最快。

• 按器件類(lèi)型/架構(gòu)類(lèi)型劃分，納米片 GAA 晶體管細(xì)分市場(chǎng)在 2024 年占據(jù)最大的市場(chǎng)份額，達(dá)到 55%。

• 按器件類(lèi)型/架構(gòu)劃分，納米線 GAA 晶體管細(xì)分市場(chǎng)占據(jù)了 30% 的最高市場(chǎng)份額，預(yù)計(jì) 2025 年至 2034 年間將以顯著的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

• 按技術(shù)節(jié)點(diǎn)類(lèi)型劃分，5nm/4nm節(jié)點(diǎn)細(xì)分市場(chǎng)在2024年貢獻(xiàn)了最大45%的市場(chǎng)份額。

• 按技術(shù)節(jié)點(diǎn)類(lèi)型劃分，到 2024 年，3nm / 2nm 節(jié)點(diǎn)目前占據(jù)最大的市場(chǎng)份額，達(dá)到 40%，預(yù)計(jì)在預(yù)測(cè)期內(nèi)將以顯著的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

• 按應(yīng)用類(lèi)型劃分，到 2024 年，高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)⒄紦?jù) 35% 的重要市場(chǎng)份額。

• 按應(yīng)用類(lèi)型劃分，移動(dòng) SoC 預(yù)計(jì)將在 2025 年至 2034 年間以 25% 的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

• 按最終用戶(hù)類(lèi)型劃分，到 2024 年，代工廠部門(mén)將占據(jù) 50% 的主要市場(chǎng)份額。

• 按最終用戶(hù)類(lèi)型劃分，IDM 預(yù)計(jì)將在 2025 年至 2034 年間以顯著的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)。

市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)

• 2024年市場(chǎng)規(guī)模：6.0005億美元

• 2025年市場(chǎng)規(guī)模：6.771億美元

• 預(yù)計(jì)到 2034 年市場(chǎng)規(guī)模：20.0825 億美元

• 復(fù)合年增長(zhǎng)率（2025-2034）：12.84%

• 2024 年最大市場(chǎng)：亞太地區(qū)

• 增長(zhǎng)最快的市場(chǎng)：北美

為什么全環(huán)柵極（GAA）晶體管市場(chǎng)飆升？

隨著半導(dǎo)體行業(yè)突破 finFET 架構(gòu)的極限，柵極全向 （GAA） 晶體管市場(chǎng)正在迅速發(fā)展。GAA 晶體管憑借其卓越的靜電控制和減少的泄漏，正在成為 3nm 以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的下一代構(gòu)建塊。對(duì)高性能計(jì)算、移動(dòng)設(shè)備和人工智能應(yīng)用的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，推動(dòng)了它們的采用。隨著芯片制造商競(jìng)相提供更快、更節(jié)能的處理器，GAA 技術(shù)正在成為其路線圖的核心。領(lǐng)先的代工廠正在大力投資量產(chǎn)能力，這標(biāo)志著全球芯片行業(yè)進(jìn)入了過(guò)渡期。

人工智能如何影響全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)？

人工智能既是全能柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)力，也是受益者。訓(xùn)練和部署先進(jìn)的人工智能模型需要能夠提供高吞吐量和最小功率泄漏的芯片，而 GAA 在這一點(diǎn)上明顯優(yōu)于 FinFET。人工智能工作負(fù)載也在塑造設(shè)計(jì)策略，促使代工廠優(yōu)化 GAA 晶體管，以應(yīng)對(duì)自然語(yǔ)言處理、圖像識(shí)別和生成模型等數(shù)據(jù)密集型任務(wù)。與此同時(shí)，人工智能驅(qū)動(dòng)的工具正在簡(jiǎn)化 GAA 晶體管的設(shè)計(jì)、仿真和缺陷檢測(cè)。這縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間并提高了制造良率。

市場(chǎng)主要趨勢(shì)

• 在亞 3nm 節(jié)點(diǎn)上從 FinFET 過(guò)渡到 GAA。

• 對(duì) EUV 光刻和先進(jìn)材料的大量投資，以支持 GAA 生產(chǎn)。

• 鑄造廠和無(wú)晶圓廠設(shè)計(jì)公司之間的合作，以盡早采用。

• 移動(dòng)和 HPC 領(lǐng)域?qū)Φ凸?、高密度芯片的需求不斷增長(zhǎng)。

• 政府激勵(lì)措施正在推動(dòng)當(dāng)?shù)匕雽?dǎo)體制造能力的發(fā)展。

• 將人工智能驅(qū)動(dòng)的設(shè)計(jì)自動(dòng)化集成到 GAA 研發(fā)中。

市場(chǎng)范圍

市場(chǎng)動(dòng)態(tài)

驅(qū)動(dòng)力

傳統(tǒng) FinEFT 架構(gòu)的局限性推動(dòng)了全環(huán)柵 （GAA） 晶體管市場(chǎng)的增長(zhǎng)

全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力是需要在越來(lái)越小的工藝節(jié)點(diǎn)上增強(qiáng)性能。隨著 FinEFT 架構(gòu)接近其物理限制，芯片制造商被迫采用能夠維持摩爾定律的新晶體管設(shè)計(jì)。全環(huán)柵 （GAA） 晶體管可對(duì)通道泄漏進(jìn)行卓越的控制，從而實(shí)現(xiàn)更高的效率和更低的功耗。這對(duì)于智能手機(jī)等設(shè)備至關(guān)重要，因?yàn)槟茉葱手苯佑绊懹脩?hù)體驗(yàn)。此外，人工智能、5G 和自動(dòng)駕駛汽車(chē)對(duì)高性能計(jì)算的日益依賴(lài)凸顯了這個(gè)問(wèn)題的緊迫性。

限制

復(fù)雜的制造工藝和巨大的成本承擔(dān)減緩了市場(chǎng)增長(zhǎng)

盡管前景廣闊，但全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)仍面臨多項(xiàng)限制。高制造復(fù)雜性顯著提高了成本，使小型鑄造廠難以采用該技術(shù)。良率優(yōu)化仍然是一個(gè)持續(xù)存在的問(wèn)題，因?yàn)榧词故呛苄〉娜毕菀矔?huì)破壞 GAA 晶體管的效率。集成到現(xiàn)有晶圓廠需要大規(guī)模的基礎(chǔ)設(shè)施升級(jí)，這讓許多參與者望而卻步。這些挑戰(zhàn)減緩了全方位柵極 （GAA） 晶體管在成本敏感型應(yīng)用中的廣泛采用。

機(jī)會(huì)

量子計(jì)算和人工智能處理器的進(jìn)步預(yù)計(jì)將刺激全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)的增長(zhǎng)

全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)在人工智能處理器、量子計(jì)算和下一代智能手機(jī)等先進(jìn)應(yīng)用中提供了巨大的機(jī)遇。通過(guò)實(shí)現(xiàn)超低功耗和更高的晶體管密度，GAA 可以在不影響外形尺寸的情況下支持更強(qiáng)大的芯片。這為可折疊設(shè)備、AR/VR 耳機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)開(kāi)辟了新途徑。另一個(gè)機(jī)會(huì)在于它在汽車(chē)領(lǐng)域的作用，因?yàn)殡妱?dòng)汽車(chē)和自動(dòng)駕駛汽車(chē)需要高效的芯片來(lái)進(jìn)行實(shí)時(shí)處理。

細(xì)分洞察

設(shè)備類(lèi)型/架構(gòu)見(jiàn)解

為什么納米片 GAA 晶體管主導(dǎo)全環(huán)柵 （GAA） 晶體管市場(chǎng)？

納米片全方位柵極晶體管在全方位柵極晶體管市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位，占據(jù)了55%的份額。堆疊片配置允許巨大的驅(qū)動(dòng)電流。它們的架構(gòu)在可擴(kuò)展性、可制造性和靜電控制之間提供了完美的平衡，使其成為先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上 FinFET 的自然繼承者。由于與更奇特的幾何形狀相比，納米片材的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，因此更容易集成到現(xiàn)有的制造工藝中。行業(yè)巨頭，特別是三星和臺(tái)積電，已經(jīng)啟動(dòng)了商業(yè)化試生產(chǎn)，從而鞏固了納米片的霸主地位。移動(dòng)和數(shù)據(jù)密集型設(shè)備對(duì)緊湊、高效半導(dǎo)體的永不滿(mǎn)足的需求加速了它們的采用。

盡管如此，除了直接的主導(dǎo)地位之外，納米片體現(xiàn)了一種過(guò)渡原型，優(yōu)雅地將 FinFET 與未來(lái)更深?yuàn)W的晶體管范式聯(lián)系起來(lái)。它們的堆疊通道使設(shè)計(jì)人員能夠以極大的靈活性微調(diào)設(shè)備特性，滿(mǎn)足 CPU、GPU 和 AI 加速器的各種需求。重要的是，它們的制造不需要大規(guī)模放棄現(xiàn)有基礎(chǔ)設(shè)施，從而使代工廠免于財(cái)政揮霍。性能和可制造性之間的這種協(xié)同作用解釋了它們作為流行的 GAA 架構(gòu)的迅速崛起。

納米線柵極全方位晶體管是市場(chǎng)上增長(zhǎng)最快的細(xì)分市場(chǎng)，占據(jù) 30% 的份額。它們的幾何形狀完全環(huán)繞通道，幾乎消除了泄漏并實(shí)現(xiàn)了前所未有的設(shè)備小型化。這些屬性使得納米線對(duì)于亞 3nm 節(jié)點(diǎn)不可或缺，因?yàn)樵谶@些節(jié)點(diǎn)中，平面結(jié)構(gòu)遇到了巨大的物理限制。它們尤其受到高性能計(jì)算和人工智能工作負(fù)載的追捧，在這些工作負(fù)載中，效率和精度是神圣不可侵犯的。納米線的吸引力不僅在于性能，還在于它們重新定義摩爾定律界限的潛力。因此，它們?cè)谌h(huán)柵 （GAA） 晶體管市場(chǎng)的份額有望在未來(lái)十年內(nèi)迅速增長(zhǎng)。

此外，納米線體現(xiàn)了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的理想先鋒，在不犧牲可靠性的情況下滿(mǎn)足了對(duì)小型化的永不滿(mǎn)足的需求。其卓越的門(mén)控確保它們最適合節(jié)能的移動(dòng)處理器和百億億次級(jí)超級(jí)計(jì)算。該行業(yè)對(duì)這些設(shè)計(jì)的吸引力是由制造功耗更低、性能更高效、使用壽命更長(zhǎng)的芯片的前景推動(dòng)的。研究機(jī)構(gòu)和領(lǐng)先的晶圓廠正在大力投資完善納米線制造的復(fù)雜性。

技術(shù)節(jié)點(diǎn)洞察

為什么 5nm/4nm 節(jié)點(diǎn)主導(dǎo)全環(huán)繞柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)？

5nm 和 4nm 節(jié)點(diǎn)技術(shù)目前構(gòu)成了柵極全環(huán)晶體管采用的主要堡壘，占據(jù) 45% 的份額，這得益于早期的商業(yè)化努力。三星等代工廠已經(jīng)在這些節(jié)點(diǎn)上將基于納米片的設(shè)計(jì)投入生產(chǎn)，證明了擴(kuò)展到 FinFET 之外的可行性。這種新生的采用為 5nm 和 4nm 注入了切實(shí)的商業(yè)勢(shì)頭，這與它們更具投機(jī)性的繼任者不同。移動(dòng)片上系統(tǒng)和人工智能處理器維持了需求，它們?cè)谛阅芎统杀久舾行灾g取得了平衡。業(yè)界對(duì)這些節(jié)點(diǎn)的信心源于它們?cè)趧?chuàng)新和可制造性之間的務(wù)實(shí)平衡。

此外，這些節(jié)點(diǎn)在支持旗艦智能手機(jī)、筆記本電腦和服務(wù)器方面的關(guān)鍵作用也增強(qiáng)了這些節(jié)點(diǎn)的重要性。它們體現(xiàn)了效率和可負(fù)擔(dān)性融合的技術(shù)門(mén)檻，確保大眾市場(chǎng)采用。無(wú)晶圓廠公司已經(jīng)針對(duì)這些幾何形狀優(yōu)化了他們的設(shè)計(jì)，進(jìn)一步鞏固了他們的主導(dǎo)地位。在 5nm/4nm 方面進(jìn)行的基礎(chǔ)設(shè)施和智力投資不能立即放棄，因?yàn)樗鼈冊(cè)诳深A(yù)見(jiàn)的未來(lái)確保了自己的霸權(quán)地位。

3nm/2nm節(jié)點(diǎn)技術(shù)是柵極全方位晶體管部署中增長(zhǎng)最快的領(lǐng)域，占據(jù)了40%的市場(chǎng)份額。這些節(jié)點(diǎn)代表了下一次進(jìn)化飛躍，實(shí)現(xiàn)了前所未有的晶體管密度和能效。它們的實(shí)用性與高性能計(jì)算、人工智能和移動(dòng) SoC 尤其密切相關(guān)，在這些領(lǐng)域，即使是邊際收益也至關(guān)重要。盡管仍處于大規(guī)模生產(chǎn)的初期階段，但它們以其變革性的前景激發(fā)了整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。

此外，3nm 和 2nm 節(jié)點(diǎn)象征著雄心和必要性的融合。當(dāng)摩爾定律在其物理懸崖上搖搖欲墜時(shí)，這些幾何形狀為永縮公理注入了新的活力。它們使系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠調(diào)和看似矛盾的高性能和更低能耗的要求。政府和行業(yè)巨頭都在投入巨額資金來(lái)加速其商業(yè)化。

應(yīng)用程序見(jiàn)解

為什么高性能計(jì)算 （HPC） 引領(lǐng)全環(huán)繞柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)？

高性能計(jì)算已成為晶體管的主要應(yīng)用，在全環(huán)柵極（GAA）晶體管市場(chǎng)中占據(jù)了最大的需求份額，占35%的份額。CPU、GPU 和 AI 加速器從柵極全方位晶體管提供的靜電精度和密度中獲得了巨大的好處。對(duì)更快的模擬、生成式人工智能訓(xùn)練和復(fù)雜分析的永不滿(mǎn)足的渴望使 HPC 成為柵極全方位晶體管利用的指路明燈。在這里，納米片已經(jīng)被部署來(lái)支持服務(wù)器級(jí)芯片，強(qiáng)調(diào)了它們的商業(yè)可行性。數(shù)據(jù)中心和云提供商在提高效率的無(wú)情壓力下，提供了一個(gè)穩(wěn)定、龐大的市場(chǎng)。因此，HPC 構(gòu)成了 GAA 采用的主要支點(diǎn)。

此外，HPC 集中體現(xiàn)了晶體管設(shè)計(jì)中必要性與創(chuàng)新的融合。超級(jí)計(jì)算的巨大能量需求要求架構(gòu)進(jìn)步，而只有柵極全方位晶體管才能提供。通過(guò)在單位面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)更多晶體管而不產(chǎn)生過(guò)高的泄漏，柵極全方位晶體管將效率與暴力計(jì)算相協(xié)調(diào)。這種與 HPC 要求的一致性解釋了為什么該細(xì)分市場(chǎng)在市場(chǎng)份額方面高于其他細(xì)分市場(chǎng)。HPC 在從制藥到金融等各個(gè)行業(yè)的廣泛采用，確保了對(duì)這些技術(shù)的持續(xù)需求。

汽車(chē)行業(yè)，尤其是電動(dòng)汽車(chē)和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS），占有 35% 的份額，構(gòu)成了柵極全方位晶體管最肥沃的增長(zhǎng)前沿。電動(dòng)汽車(chē)采用率的不斷上升增加了對(duì)高效、緊湊和有彈性的芯片的需求。柵極全環(huán)晶體管具有卓越的功率控制和可靠性，具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，可以滿(mǎn)足這些緊急情況。信息娛樂(lè)、實(shí)時(shí)導(dǎo)航和自動(dòng)駕駛算法需要在性能和堅(jiān)固耐用之間取得平衡的芯片。該行業(yè)的發(fā)展正在催化對(duì)半導(dǎo)體創(chuàng)新的指數(shù)級(jí)需求。因此，汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)芯片是增長(zhǎng)最快的應(yīng)用領(lǐng)域。

政府對(duì)更綠色出行和更安全道路的要求進(jìn)一步推動(dòng)了這一加速。隨著車(chē)輛轉(zhuǎn)變?yōu)閹л喿拥挠?jì)算機(jī)，它們對(duì)復(fù)雜芯片的依賴(lài)變得不可避免。柵極全方位晶體管能夠提高電池效率，同時(shí)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的實(shí)時(shí)處理，這對(duì)電動(dòng)汽車(chē)制造商來(lái)說(shuō)是一個(gè)福音。此外，汽車(chē)制造商正在與芯片設(shè)計(jì)商建立更緊密的聯(lián)盟，以加快采用。

最終用戶(hù)/買(mǎi)家洞察

為什么代工廠主導(dǎo)全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)？

代工廠無(wú)可爭(zhēng)議地確立了自己作為全方位柵極晶體管的主要最終用戶(hù)的地位，占據(jù)了 50% 的份額并占據(jù)了一半的市場(chǎng)份額。臺(tái)積電、三星和英特爾等巨頭正在調(diào)動(dòng)其巨大的資源，帶頭采用柵極全方位晶體管。這些晶圓廠是建筑創(chuàng)新從理論過(guò)渡到實(shí)踐的熔爐。通過(guò)承擔(dān)大規(guī)模生產(chǎn)的艱巨責(zé)任，鑄造廠決定了全球采用的節(jié)奏。它們的規(guī)模使他們能夠攤銷(xiāo)基礎(chǔ)設(shè)施的天文數(shù)字成本并優(yōu)化收益。因此，它們?nèi)匀皇菛艠O全方位晶體管生態(tài)系統(tǒng)的支點(diǎn)。

此外，代工廠還扮演著創(chuàng)新者和推動(dòng)者的雙重角色。他們與無(wú)晶圓廠設(shè)計(jì)公司的合作確保柵極全方位晶體管無(wú)縫集成到下一代處理器中。大型鑄造廠的認(rèn)可為任何新興技術(shù)提供了商業(yè)信譽(yù)。由于其無(wú)處不在和不可或缺，代工廠鞏固了柵極全方位晶體管在市場(chǎng)架構(gòu)中的主導(dǎo)地位。政府加強(qiáng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體主權(quán)的激勵(lì)措施加強(qiáng)了它們的持久霸主地位。因此，代工廠成為柵極全方位晶體管擴(kuò)散的主要守護(hù)者，無(wú)與倫比。

集成器件制造商 （IDM） 雖然歷來(lái)被代工廠所掩蓋，但正在迅速崛起，成為全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)中增長(zhǎng)最快的最終用戶(hù)群體。英特爾等公司和一些亞洲巨頭正在通過(guò)將 GAA 直接嵌入其專(zhuān)有產(chǎn)品線來(lái)重振其 IDM 戰(zhàn)略。這種垂直整合使他們能夠?qū)υO(shè)計(jì)、制造和部署施加更大的控制。當(dāng)務(wù)之急催化了他們的采用軌跡，使他們能夠在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中脫穎而出。

此外，IDM 象征著半導(dǎo)體行業(yè)向集成創(chuàng)新的范式轉(zhuǎn)變。它們能夠同時(shí)完善設(shè)備架構(gòu)和最終產(chǎn)品應(yīng)用，從而縮短了創(chuàng)新的反饋循環(huán)。這加快了上市時(shí)間，并創(chuàng)建了針對(duì)汽車(chē)、移動(dòng)或以人工智能為中心的應(yīng)用量身定制的解決方案。由于 GAA 為差異化提供了肥沃的土壤，IDM 受到獨(dú)特的激勵(lì)來(lái)加速其解決方案的采用。他們迅速增長(zhǎng)的份額反映了他們的雄心和吸收風(fēng)險(xiǎn)的能力。因此，IDM 成為 GAA 最終用戶(hù)生態(tài)系統(tǒng)中增長(zhǎng)最快的群體。

區(qū)域洞察

亞太地區(qū)柵極全方位 （GAA） 晶體管市場(chǎng)規(guī)模和增長(zhǎng) 2025 年至 2034 年

亞太地區(qū)柵極全環(huán)（GAA）晶體管市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)到2024年為3.6003億美元，預(yù)計(jì)到2034年價(jià)值約為12.1499億美元，2025年至2034年復(fù)合年增長(zhǎng)率為12.93%。

為什么亞太地區(qū)是全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)的后起之秀？

亞太地區(qū)主導(dǎo)了全環(huán)柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)，由于大型代工廠的存在和強(qiáng)大的半導(dǎo)體制造生態(tài)系統(tǒng)，到 2024 年將占據(jù)最大的市場(chǎng)份額，達(dá)到 60%。中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)和中國(guó)等區(qū)域在強(qiáng)大的供應(yīng)鏈和熟練勞動(dòng)力的支持下，在產(chǎn)能方面處于領(lǐng)先地位。該地區(qū)的主導(dǎo)地位因其在消費(fèi)電子產(chǎn)品中的關(guān)鍵作用而得到加強(qiáng)，其中全能門(mén)的采用最為明顯。隨著領(lǐng)先企業(yè)積極過(guò)渡到全能門(mén)，亞太地區(qū)正在樹(shù)立全球標(biāo)桿。此外，政府對(duì)半導(dǎo)體獨(dú)立性的投資進(jìn)一步推動(dòng)了該地區(qū)的領(lǐng)先地位。

與此同時(shí)，亞太地區(qū)受益于由供應(yīng)鏈、研究中心和設(shè)計(jì)公司組成的密集網(wǎng)絡(luò)，加速了創(chuàng)新。代工廠和無(wú)晶圓廠公司之間的密切合作促進(jìn)了門(mén)全方位技術(shù)的更快商業(yè)化。此外，該地區(qū)的制造規(guī)模有助于更有效地吸收高昂的生產(chǎn)成本。隨著對(duì)先進(jìn)人工智能和 5G 處理器的需求不斷增長(zhǎng)，亞太地區(qū)有望保持在大規(guī)模生產(chǎn)的前沿。

為什么北美增長(zhǎng)最快的是增長(zhǎng)最快的全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)？

北美是全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)增長(zhǎng)最快的地區(qū)，在研發(fā) （R&D） 和先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)的大力投資推動(dòng)下，占據(jù) 25% 的份額。領(lǐng)先的無(wú)晶圓廠公司和科技巨頭的存在加速了人工智能和云計(jì)算應(yīng)用的采用。聯(lián)邦政府為支持國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造而采取的舉措也在加強(qiáng)增長(zhǎng)。此外，北美強(qiáng)大的風(fēng)險(xiǎn)投資生態(tài)系統(tǒng)支持初創(chuàng)企業(yè)在 GAA 材料和設(shè)計(jì)自動(dòng)化方面進(jìn)行創(chuàng)新。

該地區(qū)還見(jiàn)證了鑄造廠和設(shè)計(jì)公司之間的合作增加，旨在加速商業(yè)化。自動(dòng)駕駛和云平臺(tái)等領(lǐng)域?qū)θ斯ぶ悄茯?qū)動(dòng)芯片的高需求推動(dòng)了對(duì) GAA 晶體管的需求。雖然美國(guó)本土的制造能力仍在趕上亞洲，但新晶圓廠的建立將有助于縮小這一差距。人們對(duì)供應(yīng)鏈彈性的認(rèn)識(shí)不斷增強(qiáng)，進(jìn)一步推動(dòng)了國(guó)內(nèi)生產(chǎn)計(jì)劃。憑借強(qiáng)大的技術(shù)能力和自力更生的推動(dòng)，北美正在成為 GAA 采用增長(zhǎng)最快的中心。

全環(huán)柵 （GAA） 晶體管市場(chǎng)：價(jià)值鏈分析

• 原材料采購(gòu)： 柵極全周（GAA）晶體管的制造主要依賴(lài)于超純硅和硅鍺（SiGe）作為通道，該通道是通過(guò)硅片上的外延工藝精心生長(zhǎng)的。與這些材料相輔相成的是先進(jìn)的介電材料，例如用于柵極絕緣層的氧化鉿，以及氮化鈦等柵極金屬，這需要高度復(fù)雜的沉積技術(shù)來(lái)確保精度和性能。

• 測(cè)試和認(rèn)證： 全方位柵極 （GAA） 晶體管市場(chǎng)產(chǎn)品的測(cè)試和認(rèn)證采用先進(jìn)的方法來(lái)驗(yàn)證其復(fù)雜的多層架構(gòu)和功能可靠性。這包括采用微硬 X 射線熒光 （μHXRF） 進(jìn)行精確的臨界尺寸分析，利用 TCAD 模擬捕捉量子尺度現(xiàn)象，以及進(jìn)行嚴(yán)格的電氣評(píng)估，例如 DC/AC I-V 和 C-V 測(cè)量，以評(píng)估設(shè)備性能和泄漏特性。

• 分銷(xiāo)和銷(xiāo)售： 全環(huán)邊柵極 （GAA） 晶體管的分銷(xiāo)和商業(yè)化集中在于它們作為先進(jìn)半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)（特別是 3nm 及以下）中 FinFET 的繼任者而出現(xiàn)。英特爾和三星等主要代工廠已經(jīng)將 GAA 技術(shù)集成到其尖端節(jié)點(diǎn)（例如英特爾的 18A 和三星的 SF2）中，標(biāo)志著其市場(chǎng)采用的早期階段。銷(xiāo)售主要是企業(yè)對(duì)企業(yè)，集成設(shè)備制造商 （IDM） 和無(wú)晶圓廠公司從代工廠采購(gòu)這些高性能芯片。與此同時(shí)，IndustryARC 和 Research and Markets 等市場(chǎng)情報(bào)提供商預(yù)計(jì) GAA 晶體管在未來(lái)幾年將強(qiáng)勁增長(zhǎng)。