對(duì)于MicroLED屏的Apple Watch Ultra，面板供應(yīng)鏈領(lǐng)域的分析師Ross Young在4月份曾預(yù)計(jì)最快將在2025年下半年推出，晚于最初傳聞的2024年年底。而研究機(jī)構(gòu)最新給出的預(yù)期，較Ross Young預(yù)計(jì)的推出時(shí)間還要晚，他們預(yù)計(jì)不太可能在2026年一季度之前推出。

蘋(píng)果最“關(guān)鍵的項(xiàng)目”之一

研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)蘋(píng)果MicroLED屏的Apple Watch Ultra將再度推遲，是因?yàn)樵谏a(chǎn)方面遇到了問(wèn)題，在大規(guī)模生產(chǎn)之前，需要解決生產(chǎn)的高成本問(wèn)題。MicroLED協(xié)會(huì)預(yù)估1.78英寸Apple Watch的OLED屏幕價(jià)格為20美元，而同分辨率的MicroLED將超過(guò)40美元。

同Apple Watch Ultra目前采用的OLED屏相比，MicroLED屏通過(guò)多方面的改進(jìn)，將帶來(lái)更好的顯示效果、更長(zhǎng)的續(xù)航時(shí)間，屏幕的生命周期也將更長(zhǎng)。準(zhǔn)備從Apple Watch Ultra開(kāi)始應(yīng)用，最終將這種顯示屏應(yīng)用到包括iPhone在內(nèi)的其他設(shè)備上。蘋(píng)果已經(jīng)花費(fèi)了數(shù)十億美元開(kāi)發(fā)顯示技術(shù)，而這一轉(zhuǎn)變據(jù)說(shuō)是蘋(píng)果最“關(guān)鍵的項(xiàng)目”之一。

據(jù)彭博社報(bào)道，蘋(píng)果公司計(jì)劃最早在2024年開(kāi)始在移動(dòng)設(shè)備上使用其自己定制的顯示屏，以減少對(duì)三星和LG等技術(shù)合作伙伴的依賴(lài)。據(jù)了解，這些顯示屏可能會(huì)由外部供應(yīng)商制造，但蘋(píng)果將掌握自主設(shè)計(jì)技術(shù)。

蘋(píng)果一直在努力擺脫對(duì)其他芯片制造商的依賴(lài)，比如最新的Mac電腦已經(jīng)開(kāi)始全面采用自研M系列芯片，來(lái)代替英特爾處理器。另外，蘋(píng)果還正在“全面突破”，為iPhone、iPad和Mac制造更多自己的組件，這樣它就不需要與那么多的第三方組件供應(yīng)商合作。

此前報(bào)道，蘋(píng)果計(jì)劃在2025年淘汰博通的Wi-Fi和藍(lán)牙芯片，改用自家的芯片設(shè)計(jì)。此外，蘋(píng)果還在尋求替換高通公司的5G基帶芯片，報(bào)告稱(chēng)到2024年底或2025年初，蘋(píng)果將采用自研的基帶芯片。

次世代顯示技術(shù) —— MicroLED

電子設(shè)備屏幕的真正未來(lái)，業(yè)內(nèi)普遍都認(rèn)為會(huì)是MicroLED屏幕技術(shù)，并稱(chēng)之為次世代顯示技術(shù)。

MicroLED即微型發(fā)光二極管，是LED微縮化和矩陣化技術(shù)。簡(jiǎn)單點(diǎn)說(shuō)，既是將LED背光源進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化，集成度高并且具有自發(fā)光無(wú)需背光源的特性，采用無(wú)機(jī)氮化鎵作為發(fā)光材料。

由于MicroLED采用的是自發(fā)光的單獨(dú)的微米級(jí)LED，與當(dāng)下頂級(jí)的OLED顯示器所能提供的色域幾乎是相同的。由于LED無(wú)機(jī)物的穩(wěn)定性，讓色彩無(wú)論在使用多少時(shí)間后都可以保持一致性與穩(wěn)定性，這一點(diǎn)是OLED所無(wú)法比擬的。MicroLED也兼顧顯示純黑色的特性，而且是像素級(jí)別的純黑色，這一點(diǎn)要比MiniLED的分區(qū)背光控制要來(lái)得更加直接和純粹。

同時(shí)MicroLED由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能耗較小、擁有更高的光電轉(zhuǎn)換效率，功率消耗量可低至LCD的10%、OLED的50%，在大幅度減少單位用電的同時(shí)還允許更高的能量用于直接發(fā)光，讓最高亮度可以去到近2000尼特。

與OLED相比，MicroLED可以支持更高的亮度、更高的動(dòng)態(tài)范圍和更廣的色域，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更快的更新速率、更廣的視角和更低的功耗，這是蘋(píng)果要研發(fā)MicroLED的重要原因。

MicroLED的技術(shù)難點(diǎn)和問(wèn)題

MicroLED幾乎集合了OLED和LCD的所有優(yōu)點(diǎn)，兼顧了高亮度、高色域、高對(duì)比度，又能做到長(zhǎng)壽命、省電、柔性屏?？梢哉f(shuō)是未來(lái)屏幕的集大成者，那為什么MicroLED擁有這么多優(yōu)點(diǎn)還沒(méi)有普及呢？

那是因?yàn)镸icroLED優(yōu)勢(shì)來(lái)自于它多達(dá)百萬(wàn)級(jí)的微米LED，而難度也出現(xiàn)在這上面。目前，MicroLED主要有三個(gè)技術(shù)難點(diǎn)和問(wèn)題，量子效率Droop效應(yīng)（有效發(fā)光面有限、紅光LED效率低）、驅(qū)動(dòng)能力匹配問(wèn)題（需要高電流、低功耗的驅(qū)動(dòng)材料）、巨量轉(zhuǎn)移問(wèn)題（工藝要求高、精度要求高、成本高）。而最重要的問(wèn)題就出現(xiàn)在巨量轉(zhuǎn)移問(wèn)題上。

巨量移植技術(shù)是目前MicroLED的主流、理想制造技術(shù)，由于MicroLED是以微米級(jí)為單位的二極管，需要在硅晶圓上來(lái)制造，而非直接在屏幕基板上制造。所以這就需要讓在硅晶圓上生產(chǎn)出來(lái)的微米LED移植到屏幕的基板上。

這其中的轉(zhuǎn)移技術(shù)就叫做巨量移植。由于待轉(zhuǎn)移的微米LED晶片，大約為頭發(fā)絲的1/10，需要精度很高的精細(xì)化操作；一次轉(zhuǎn)移需要移動(dòng)幾萬(wàn)乃至幾十萬(wàn)顆以上的LED，數(shù)量十分巨大，要求有極高的轉(zhuǎn)移速率，這就讓該技術(shù)的實(shí)現(xiàn)難度有了較高的挑戰(zhàn)。

即便Micro LED技術(shù)不夠成熟，主要的挑戰(zhàn)集中在關(guān)鍵技術(shù)的突破與量產(chǎn)成本的降低。在大眾消費(fèi)市場(chǎng)的商用化進(jìn)程還很漫長(zhǎng)，但是它的種種優(yōu)勢(shì)表明，它確實(shí)代表著電子設(shè)備屏幕的未來(lái)方向。