IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。

存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期，三星通過量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。

IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。

三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數(shù)據(jù)中心運營商能夠減少能源消耗和碳足跡。

該芯片還具有 7.2Gbps 的最大速度，這意味著它可以在大約一秒鐘內處理 60GB，滿足數(shù)據(jù)中心，AI 和新的計算應用需求。

12nm 節(jié)點的實現(xiàn)要歸功于三星使用了一種新型高 k 材料，該材料能讓芯片準確區(qū)分數(shù)據(jù)信號的差異。