三星宣布3nm芯片成功流片，規(guī)?；慨a(chǎn)時(shí)間節(jié)點(diǎn)臨近
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6月29日消息，據(jù)外媒報(bào)道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據(jù)介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構(gòu)，性能優(yōu)于臺(tái)積電的3nm FinFET架構(gòu)。
本文引用地址：http://yuyingmama.com.cn/article/202106/426624.htm報(bào)道稱(chēng)，三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構(gòu)的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因?yàn)槿堑?nm制程采用不同于臺(tái)積電或英特爾所采用的FinFET的架構(gòu)，而是采用GAA的結(jié)構(gòu)。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
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