為搶攻汽車及工業(yè)等高端應(yīng)用市場，掌握8英寸功率組件未來的龐大商機，以往專注在4、6英寸晶圓領(lǐng)域的強茂，決定斥資6,700萬美元涉足8英寸市場，其用途會專注在新團隊的晶圓設(shè)計里背面制程的應(yīng)用，以此掌握如5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等所帶動的8英寸功率組件的龐大商機。

進入2019年后，強茂邀請全球前10大國際IDM大廠晶圓研發(fā)人才組成新事業(yè)體，在美國硅谷及新竹設(shè)立研發(fā)中心，專注在功率離散組件不同的晶體管晶圓設(shè)計。其中最為重要的，包括專注在中壓最先進技術(shù) Shielded Gate MOSFETs，高壓 Super Junction MOSFETs、Field Stop IGBT及SiC（碳化硅）其它的晶體管晶圓設(shè)計。

業(yè)內(nèi)人士指出，目前電動車、車用電子需求大幅上升，如先進駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）整合盲點偵測（BSM）、車道偏離警示（LDWS）及停車輔助等裝置，二極管用量是以往的數(shù)倍，加上電動車以電池驅(qū)動，二極管需求量更多，可將帶動強茂等相關(guān)供應(yīng)鏈需求成長。

強茂目前車用營收占比雖不高，不過，公司已提前布局相關(guān)應(yīng)用，去年宣布與工研院合作建立絕緣閘雙極晶體管（IGBT）智能功率模塊底，開始小量出貨IGBT芯片，今年第一季建立試量產(chǎn)線，可望逐步拉高出貨量，搶攻電動車商機成為推動強茂未來業(yè)績成長的主要動能。