在去年5月的Samsung Foundry Forum論壇上，三星宣布采用5/4/3nm工藝技術(shù)。根據(jù)Tom's Hardware今天的新聞，根據(jù)三星高管所說(shuō)，他們今年下半年會(huì)量產(chǎn)7nm EUV工藝，2021年則會(huì)量產(chǎn)更先進(jìn)的3nm GAA工藝。

　　此外，三星還表示，將在今年下半年開(kāi)始生產(chǎn)7nm的超視距芯片。去年，三星還表示，它將在2020年使用4納米砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(gate all around fet)工藝。然而，一些業(yè)內(nèi)人士，包括加納副總裁王國(guó)榮(Samuel Wang)對(duì)Gaafet芯片能否在2022年投產(chǎn)表示懷疑。

　　盡管臺(tái)積電和格羅方德Global Foundries在EUV芯片開(kāi)發(fā)方面并沒(méi)有落后，但三星也有自己的優(yōu)勢(shì)。三星公司內(nèi)部開(kāi)發(fā)了自己的EUV掩膜檢測(cè)工具，但尚未開(kāi)發(fā)出類(lèi)似的商業(yè)工具。