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          美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)

          作者: 時(shí)間:2018-10-19 來源:快科技 收藏

            盡管JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))的標(biāo)準(zhǔn)尚未定案,Cadence(鏗騰)和已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/201810/393102.htm

            事實(shí)上,早在今年5月,Cadence就展示了首款內(nèi)存驗(yàn)證模組,DRAM來自,接口層自研,采用臺(tái)積電7nm工藝,數(shù)據(jù)率可達(dá)4400MT/s,也就是頻率高達(dá)4400MHz。

            根據(jù)的最新說法,其16Gb DDR5芯片會(huì)在2019年底量產(chǎn),基于18nm以下工藝,這就意味著,搭載DDR5內(nèi)存模組的系統(tǒng)最快2020年面世。

            按照進(jìn)度,JEDEC有望年底公布DDR5最終規(guī)范,起步頻率4800MHz,最高6400MHz。其它規(guī)劃中的變化還有,電壓降低、每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。

            由于AMD要支持AM4接口到2020年,看來已經(jīng)做好技術(shù)預(yù)留了?


          美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)



          美光推進(jìn)DDR5內(nèi)存芯片:2019年底量產(chǎn)


          關(guān)鍵詞: 美光 DDR5

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