上月26日，美光科技(Micron)發(fā)表三種全新64層堆疊第二代TLC(三級(jí)單元)3D NAND儲(chǔ)存產(chǎn)品，該公司表示，目前的旗艦級(jí)智能手機(jī)容量最高為256GB、預(yù)估到2021年容量將升至1TB。

　　美光指出，這款新產(chǎn)品將可讓智能手機(jī)廠商強(qiáng)化人工智能(AI)、虛擬實(shí)境、臉部識(shí)別等下一代移動(dòng)功能的使用者體驗(yàn)。根據(jù)Gartner的預(yù)測(cè)、到2022年高達(dá)80%的智能手機(jī)都將內(nèi)建AI功能。

　　Cowen分析師Karl Ackerman指出，存儲(chǔ)器芯片均價(jià)2月份保持在良性水準(zhǔn)。德國(guó)硅晶圓大廠Siltronic AG 于5日也提到，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS Markit預(yù)期2018年DRAM市況將呈現(xiàn)上升趨勢(shì)。

　　美光科技(Micron)即將于2018年5月21日在美國(guó)紐約市舉行法說(shuō)會(huì)。