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          AVR開發(fā)前準備—熔絲位(Fuse)快速入門

          作者: 時間:2016-10-26 來源:電子產品世界 收藏

            通過熔絲來控制內部的一些功能,比如JTAG,時鐘的使用,掉電檢測電壓,是否允許調試等。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/201610/311845.htm

             Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢:它是以功能組合讓用戶配置。 這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比,具有以下的優(yōu)勢(優(yōu)勢是如此明顯,可以用“巨大優(yōu)勢”來形容):

            有效避免因不熟悉熔絲位讓鎖死 (這是初學者的惡夢), 筆者曾經鎖死過三片Atmega16。

            不需要靠記憶與查文檔,就能配置熔絲位(這也是初學者的惡夢)

            動手之前:請你一定弄清楚了,你這樣改會有什么后果,除非你有很多錢不在乎多鎖死幾個。備份你的熔絲位狀態(tài),在點擊Program之前再次檢查熔絲位設置正確與否,不要誤點了某項而沒有注意到。

            通過下圖的方法打開連接:

            

           

            使用操作界面如下: (注意:下圖中,打勾的表示選中,代表0。沒有打勾的表示1)。

            

           

            上圖的資料有很多相關項,你需要認識以下的代碼,以理解意思。英文翻譯說明如下:

            英文中文

            On-Chip Debug Enabled片內 調試 使能

            JTAG Interface EnabledJTAG 接口 使能

            Serial program downloading (SPI) enabled串行編程下載(SPI) 使能 (ISP下載時該位不能修改)

            Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle;芯片擦除時EEPROM的內容保留

            Boot Flash section size=xxxx words引導(Boot)區(qū)大小為xxx個詞

            Boot start address=$yyyy;引導(Boot)區(qū)開始地址為 $yyyy

            Boot Reset vector Enabled引導(Boot)、復位 向量 使能

            Brown-out detection level at VCC=xxxx V;掉電檢測的電平為 VCC=xxxx 伏

            Brown-out detection enabled;掉電檢測使能

            Start-up time: xxx CK + yy ms啟動時間 xxx 個時鐘周期 + yy 毫秒

            Ext. Clock;外部時鐘

            Int. RC Osc.內部 RC(阻容) 振蕩器

            Ext. RC Osc.外部 RC(阻容) 振蕩器

            Ext. Low-Freq. Crystal;外部 低頻 晶體

            Ext. Crystal/Resonator Low Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 低頻

            Ext. Crystal/Resonator Medium Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 中頻

            Ext. Crystal/Resonator High Freq外部晶體/陶瓷振蕩器 高頻

            注:以上中文是對照 ATmega16的中、英文版本數(shù)據手冊而翻譯。盡量按照了官方的中文術語。

            應用舉例:

            比如我們想使用片內的RC振蕩(即不需要接晶振),可以選擇選擇下面三者之一:

            Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;

            [CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;

            [CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]

            如圖:內部1M晶振,默認情況典型設置。(兩個圖分別為上下兩部分,沒有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。)

            

           

            下圖顯示的是選擇內部晶振,1 Mhz RC

            

           

            比如我們想使用外部7.3728M晶振,可以選擇選擇下面三者之一:

            Ext. Crystal/Resonator High Freq.;

            Start-up time: 258 CK + 4 ms;

            [CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/Resonator High Freq.;.... 有關的選擇。

            如下兩圖:7.3728M晶振典型融絲位(及本站的開發(fā)板使用時候的典型設置)

            

           

            

           

            如果你在使用過程中遇到什么問題,歡迎討論,http://bbs.avrvi.com。

            后記:說說Mega128的熔絲位

            ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片,設計的時候兼容M103模式,但是這個M103模式經常害人?;诖?,說說ATmega128的熔絲位,順便說說其他的功能。

            默認情況下M103模式是選中的,應該將其去掉;晶振是內部1M晶振,如果你使用外部晶振,應該進行修改。M128可以開啟硬件的看門狗,選中此項,看門狗不需要程序初始化,只需要程序里面喂狗就可以了。

            默認熔絲第一部分

            M103兼容模式,使能JTAG,使能SPI,Bootloader區(qū)大小4096,未使能BOOT。

            

           

            默認熔絲第二部分

            DOD為2.7V,內部1M晶振。

            

           

            下面是本站使用M128開發(fā)板的典型設置,M103模式取消,使用M128模式,使用外部7.3728M晶振。

            典型熔絲第一部分(只說修改部分)

            去掉了M103,從而使用M128模式。

            

           

            典型熔絲第二部分

            選擇最后一項,即使用外部高頻晶振。

            



          關鍵詞: AVR 芯片

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