TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進入新的里程碑。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Flash大廠，武漢新芯選擇與飛索半導體(Spansion)共同合作開發(fā)3D-NAND Flash技術(shù)，并在去年完成初期晶片電氣測試后，持續(xù)往更高的堆疊數(shù)邁進，目標2017年底或2018年初推出3D-NAND Flash的產(chǎn)品，切入高成長性的快閃記憶體產(chǎn)業(yè)，也透過盡早導入新技術(shù)的方式，縮短與現(xiàn)今國際NAND Flash大廠的差距。

　　武漢新芯規(guī)劃的新廠產(chǎn)能為長期20萬片，產(chǎn)能的提升必需要伴隨未來技術(shù)開發(fā)的成熟，生產(chǎn)的穩(wěn)定;楊文得表示，20萬片為長期的最終計劃，非短期能達成，比較明顯的產(chǎn)出提升應(yīng)該在5~10年之后。英特爾(Intel)大連廠自今年第四季加入生產(chǎn)行列的帶動下，來自中國生產(chǎn)的NAND Flash晶圓將占全球的8%，2017年第三季前可超過10%，顯示中國發(fā)展NAND Flash產(chǎn)業(yè)的積極度也讓國際大廠加速布局角度。

　　目前NAND Flash產(chǎn)業(yè)除三星量產(chǎn)3D-NAND Flash，且已在各大PC-OEMs業(yè)者中獲得不錯的市占率，第三代3D-NAND Flash也將完成產(chǎn)品測試階段，可望在2016下半年隨著新款筆記本電腦鋪貨的需求而開始量產(chǎn)。

　　其他NAND Flash業(yè)者也陸續(xù)加速3D-NAND Flash的開發(fā)，自今年下半年將可開始導入相關(guān)固態(tài)硬碟的需求應(yīng)用而出貨。DRAMeXchange預(yù)估2016年整體NAND Flash產(chǎn)業(yè)的3D-NAND Flash產(chǎn)出比重將可快速攀升至20%，較去年的6%有顯著成長，將可讓相關(guān)固態(tài)硬碟的普及與滲透率成長更加快速。

　　國際NAND大廠比較