韓國(guó)半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)于美國(guó)時(shí)間6日發(fā)出新聞稿表示，該公司旗下晶圓代工部門之28納米低功率(low-power;LP)、高介電/金屬閘極 (high-k metal gate)制程已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證，目前已準(zhǔn)備好可以導(dǎo)入正式投產(chǎn)。

　　此外，三星電子也提供28納米LPH高介電/金屬閘極制程科技服務(wù)。據(jù)悉，28納米LPH制程是特別開(kāi)發(fā)用來(lái)打造運(yùn)算速度超過(guò)2GHz的行動(dòng)裝置應(yīng)用。

　　三星表示，28納米LPH制程科技可望降低6成以上的耗電量，或者是在與45納米LP系統(tǒng)單芯片制程設(shè)計(jì)比較時(shí)，可望提高55%以上的運(yùn)算效能。