三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。

　　這種內(nèi)存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務(wù)器內(nèi)存條或者8GB SO-DIMM筆記本內(nèi)存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產(chǎn)品降低35%，能為數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器系統(tǒng)或者高端筆記本節(jié)省大量能源。

　　三星指出，目前服務(wù)器系統(tǒng)平均每路處理器搭配六條RDIMM內(nèi)存條，總?cè)萘孔畲?6GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內(nèi)存子系統(tǒng)功耗可達210W，換成40nm 2Gb DDR3芯片就只消耗55W，而最新的40nm 4Gb DDR3會進一步降至僅僅36W，也就是節(jié)能83%之多，相當于為每套服務(wù)器系統(tǒng)節(jié)約10%的功耗。

　　由于單顆芯片容量翻番，4Gb DDR3芯片的量產(chǎn)也能大大推動單條32GB內(nèi)存條的普及。

　　三星從去年七月開始引入40nm級別的DDR DRAM生產(chǎn)工藝，并計劃將該工藝的生產(chǎn)比例逐漸提高到90%以上。