機(jī)構(gòu)指出，打破內(nèi)存墻瓶頸，HBM已成為DRAM市場增長主要驅(qū)動力。HBM解決帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制等問題，已成為當(dāng)下AI芯片的主流選擇。Yole預(yù)計(jì)全球HBM市場規(guī)模將從2024年的170億美元增長至2030年的980億美元，CAGR達(dá)33%。

　　SK海力士指出，HBM的引入不僅能顯著提升AI的性能和質(zhì)量，其增長速度甚至超越了傳統(tǒng)內(nèi)存性能，有效打破了內(nèi)存墻瓶頸。民生證券認(rèn)為，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，HBM產(chǎn)業(yè)上游主要包括電鍍液、前驅(qū)體、IC載板等半導(dǎo)體原材料及TSV設(shè)備、檢測設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商；中游為HBM生產(chǎn)，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括人工智能、數(shù)據(jù)中心以及高性能計(jì)算等。在HBM制造中，TSV工序是主要難點(diǎn)，其涉及光刻、涂膠、刻蝕等復(fù)雜工藝，是價值量最高的環(huán)節(jié)。國產(chǎn)HBM量產(chǎn)勢在必行，當(dāng)前國產(chǎn)HBM或處于發(fā)展早期，上游設(shè)備材料或迎來擴(kuò)產(chǎn)機(jī)遇。