5月27日消息，據(jù)韓國媒體Business Korea報(bào)道稱，針對(duì)此前三星高帶寬內(nèi)存（HBM）未通過英偉達(dá)（NVIDIA）認(rèn)證是因?yàn)楣募吧釂栴}的消息，三星予以了否認(rèn)。

日前路透社引述市場(chǎng)人士的說法稱，三星最新的HBM芯片由于散熱和功耗問題，導(dǎo)致其尚未通過GPU大廠英偉達(dá)的測(cè)試認(rèn)證。

對(duì)此，三星發(fā)布聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測(cè)試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測(cè)試HBM產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，以便為客戶提供最佳解決方案。”

據(jù)了解，三星近期開始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。

外媒Tom′s Hardware認(rèn)為，三星雖然聲稱最新HBM產(chǎn)品可與多種處理器正常工作，但沒明確說明能否與英偉達(dá)相關(guān)處理器配合正常工作，以及此前未能通過英偉達(dá)某方面認(rèn)證的原因是什么。

目前英偉達(dá)有多種GPU采用HBM3E內(nèi)存，包括H200及B200、B100和GB200，雖然都需要HBM3E內(nèi)存堆疊，但對(duì)功耗和散熱要求不同。因此，Tom′s Hardware猜測(cè)，三星HBM3E內(nèi)存可滿足英偉達(dá)H200、B200及AMD即將推出的Instinct MI350X的要求，但可能無法滿足Nvidia GB200要求。

編輯：芯智訊-林子