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          賽普拉斯的異步SRAM產(chǎn)品系列又添新丁
          
                                                            
            
                    	
          • 具有片上錯誤校正代碼的低功耗MoBL器件橫空出世。與沒有ECC功能的SRAM相比，16 Mb SRAM的數(shù)據(jù)可靠性提高了幾千倍，同時可延長手持式設備的電池工作時
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          • 關鍵字：
                         賽普拉斯  SRAM  MoBL	                          
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          SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式設計中的作用
          
                                                            
            
                    	
          • 上世紀90年代中期，英特爾決定把SRAM整合到自己的處理器中，這給世界各地的獨立式SRAM供應商帶來“滅頂之災”。最大的SRAM市場(PC  高速緩存)一
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          • 關鍵字：
                        可穿戴設備  物聯(lián)網(wǎng)  SRAM                          
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          SRAM簡介及與DRAM/SDRAM的比較
          
                                                            
            
                    	
          • RAMRAM是指通過指令可以隨機的、個別的對各個存儲單元進行訪問的存儲器，一般訪問時間基本固定，而與存儲單元地址無關。RAM的速度比較快，但其保
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          • 關鍵字：
                        SRAM  DRAM  SDRAM  比較                          
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          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例
          
                                                            
            
                    	
          • 使用LPC2106的Timer 1  進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
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          • 關鍵字：
                        Flash  SRAM  觸發(fā)中斷                          
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          替代閃存的存儲新技術有哪些？
          
                                                            
            
                    	
          • 不同存儲器都有其各自的優(yōu)勢和缺點，由消費類產(chǎn)品驅(qū)動的存儲器市場在呼喚性能更優(yōu)存儲器技術，當然也要價格便宜。
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          • 關鍵字：
                        MRAM  SRAM                          
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          使用高速SRAM設計電池支持型存儲器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　嵌入式系統(tǒng)的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發(fā)揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設計多么合理，低效的硬件都可能影響系統(tǒng)性能?！　?shù)十年來，傳統(tǒng)嵌入式系統(tǒng)的結構一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統(tǒng)的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統(tǒng)的核心。按照具體應用，系統(tǒng)設計人員可根據(jù)需要刪減接口和外設。如果控制器的內(nèi)置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執(zhí)行的代碼，而SRAM用于存儲運行時臨時變量和保存重要的應用數(shù)據(jù)塊
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          • 關鍵字：
                        SRAM  存儲器                          
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          Zeno開發(fā)特殊SRAM　可提升MOS結構效能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Zeno Semiconductor日前開發(fā)出將最小靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)納入單一MOS電晶體技術，不僅其采用記憶單元(bit-cell)數(shù)量變多，存取時間也可大幅縮短4成?！　?jù)EE Times網(wǎng)站報導，Zeno在國際電子零組件會議(International Electron Devices Meeting)上展示這項新技術。Zeno執(zhí)行董事長Zvi Or-Bach表示，該技術之所以讓N型MOS電晶體做為穩(wěn)定SRAM，主要是透過采
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          • 關鍵字：
                        Zeno  SRAM　                          
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          10nm SRAM、10核心芯片亮相ISSCC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　一年一度的“國際固態(tài)電路會議”(ISSCC)將在明年2月舉行，幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布，讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術及其發(fā)展趨勢。三星(Samsung)將在ISSCC 2016發(fā)表最新的10nm制程技術、聯(lián)發(fā)科(MediaTek)將展示采用三叢集(Tri-Cluster)架構搭載十核心的創(chuàng)新行動SoC。此外，指紋辨識、視覺處理器與3D晶片堆疊以及更高密度記憶體等技術也將在此展示最新開發(fā)成果。
　　

 
　　三星將提供更多DRAM與快
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          • 關鍵字：
                        SRAM  ISSCC                          
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          三星成功開發(fā)10納米FinFET SRAM 10納米邏輯制程量產(chǎn)更近一步
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在英特爾(Intel)、臺積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產(chǎn)更近一步?！　∷俣容^DRAM快的SRAM，可運用為中央處理器(CPU)緩存存儲器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統(tǒng)芯片生產(chǎn)準備作業(yè)正順利進行。照此趨勢，2017年初將可正式量產(chǎn)采10納米制程的移動應用處理器(AP)。10納米AP將與GB級數(shù)據(jù)機芯片整合，移動裝置速度將更快?！　?jù)南韓
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          • 關鍵字：
                        三星  SRAM                           
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          串行和并行接口SRAM對比
          
                                                            
            
                    	
          • 　　外置SRAM通常配有一個并行接口?？紤]到大多數(shù)基于SRAM的應用的存儲器要求，選擇并行接口并不令人驚訝。對于已經(jīng)(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是緩存)應用而言，與串行接口相比，并行接口擁有明顯優(yōu)勢。但這種情況似乎即將改變。
　　盡管能夠提供高于串行接口的性能，但并行接口也有劣勢。其中最明顯的是，無論是從電路板空間還是從引腳數(shù)要求的角度而言，并行接口的尺寸都遠遠大于串行接口。例如，一個簡單的4Mb SRAM最多可能需要43個引腳才能與一個控制器相連。在使用一個4Mb SRAM時，我們的要求可能如
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  SRAM                          
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          PROM、EEPROM、FLASH、SRAM、DRAM等存儲器比較
          
                                                            
            
                    	
          • 　　PROM、EEPROM、FLASH的總結性區(qū)別
　　EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一種浮柵管單元(Floating gate transister)的結構。EPROM的浮柵處于絕緣的二氧化硅層中，充入的電子只能用紫外線的能量來激出。EEPROM的單元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一個附加的Transister組成，由于FLOTOX的特性及兩管結構，所以可以單元讀/寫。技術上，F(xiàn)LASH是結合EPROM和EEPRO
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          • 關鍵字：
                        SRAM  DRAM                          
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          存儲器革新將引發(fā)電子產(chǎn)業(yè)蝴蝶效應？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　經(jīng)過幾十年的發(fā)展，電子產(chǎn)業(yè)幾乎已成為一個線性系統(tǒng)，并被摩爾定律(Moore‘sLaw)左右。然而隨著摩爾定律逐漸出現(xiàn)松動，越來越多新技術開始浮上臺面。這些技術不僅僅是既有技術的改進，而是全面的變革。電子產(chǎn)業(yè)可望借由這些新技術轉(zhuǎn)型成為非線性系統(tǒng)，推翻多年來電子產(chǎn)業(yè)所定立的主張。
　　存儲器技術近年的發(fā)展，可能就此改變存儲器與處理技術在1940年代便已確立的關系。連續(xù)存儲器配置的效率盡管不斷受到挑戰(zhàn)，但系統(tǒng)的惰性使得這種配置幾十年來維持不變。
　　即使在對稱多處理系統(tǒng)中，存儲器的配置仍多是
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          • 關鍵字：
                        存儲器  SRAM                          
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          中國集成電路海外并購熱過頭了？
          
                                                            
            
                    	
          • 并購有助于填補中國集成電路產(chǎn)業(yè)空白、完成初級階段的布局、帶來規(guī)模效應，但并購不能帶來產(chǎn)業(yè)先進，還是要靠自己持續(xù)不斷的研發(fā)投入，做出真正意義上的世界級原創(chuàng)技術，才能讓中國集成電路站到超越先進的層面。
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          • 關鍵字：
                        集成電路  SRAM                          
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          ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
          
                                                            
            
                    	
          • 　　ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM是Read Only Memory的縮寫，RAM是Random Access Memory的縮寫。
　　ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算
　　機的內(nèi)存。
　　RAM
　　有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)，SRAM速度非?？欤悄壳白x寫最快的存儲設備了，但
　　是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一級緩沖，二級緩沖。另一種稱為動態(tài)RA
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          • 關鍵字：
                        ROM  RAM  SRAM                          
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          賽普拉斯推出具備片上錯誤校正碼的高性能同步SRAM，確保卓越的可靠性
          
                                                            
            
                    	
          • 　　靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)市場領導者賽普拉斯半導體公司日前宣布，推出業(yè)界最高容量的其具有片上錯誤校正碼(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能，使之可以提供最高水平的數(shù)據(jù)可靠性，簡化多種軍用、通訊和數(shù)據(jù)處理應用的設計。賽普拉斯今年計劃擴充具備ECC功能的同步SRAM產(chǎn)品線，增加其他容量的產(chǎn)品。
　　由背景輻射引起的軟錯誤可損壞存儲器中的內(nèi)容，造成重要數(shù)據(jù)的遺失。賽普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模塊可在線執(zhí)行所有的錯誤校正功能，而無需用戶干預，能達到業(yè)界最佳的軟
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  SRAM                          
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          sram介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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